TEMA 4 – TRANSDUCTORES Y ACTUADORES - Profe Saul

‣ Se define la sensibilidad del fotodiodo como el incremento de intensidad alpolarizar el dispositivo inversamente por unidad de intensidad de luz,expresada en luxes o en mW/cm 2 .dlS = =dHEsta relación es constante para un amplio intervalo de iluminaciones.El modelo circuital del fotodiodo en polarización inversa está formado por un generadorde intensidad cuyo valor depende de la cantidad de luz recibida. En polarización directa,el fotodiodo se comporta como un diodo normal, es decir, si está fabricado en silicio, latensión que cae en el dispositivo será aproximadamente 0,7 V.Los fotodiodos son más rápidos que las fotorresistencias, es decir, tienen un tiempo derespuesta menor. Sin embargo sólo pueden conducir corrientes relativamente pequeñasen una polarización directa.Un fotodiodo presenta una construcción análoga a la de un diodo LED, en el sentido deque necesita una ventana transparente a la luz por la que se introduzcan los rayosluminosos para incidir en la unión PNUn fototransistor, por su parte, es un transistor bipolar sensible a la luz. La radiaciónluminosa se hace incidir sobre la unión colector-base. En esta unión se generan los pareselectrón-hueco, que provocan la corriente eléctrica. En la Figura 13 se muestra elsímbolo circuital de un fototransistor, donde puede apreciarse que la conexión de baseha sido sustituida por la influencia de un haz luminoso.KFigura 13 – Símbolo circuital de un fototransistorEl funcionamiento de un fototransistor viene caracterizado por los siguientes puntos:‣ Un fototransistor opera, generalmente sin terminal de base (I b = 0) aunque enalgunos casos hay fototransistores que tienen disponible un terminal de basepara trabajar como un transistor normal.‣ La sensibilidad de un fototransistor es superior a la de un fotodiodo, ya que lapequeña corriente fotogenerada es multiplicada por la ganancia deltransistor.Las curvas de funcionamiento de un fototransistor son las que aparecen en la Figura 14.Como se puede apreciar, son curvas análogas a las del transistor BJT, sustituyendo laintensidad de base por la potencia luminosa por unidad de área que incide en elfototransistor:24