Mémoire de thèse de Nizar Ben Hassine_Finale - Laboratoire TIMA

CHAPITRE-I: LA TELEPHONIE MOBILE ET LA TECHNOLOGIE A ONDES DE VOLUMElongueur d’onde acoustique dans le matériau à la fréquence de résonance du résonateur. Dans cetteconfiguration, les résonateurs sont appelés SMR (Solidly Mounted Resonator) ou S-BAW. Un accordd’épaisseur en λ/4 des couches de Bragg permet d’obtenir des ondes réfléchies en phase avec les ondesincidentes, une réflectivité maximale et des couches de Bragg de faibles épaisseurs [R.1.125] .FIG.1-15: Résonateur BAW avec un réflecteur de Bragg ou SMROptique : Acoustique :Champ électrique EPression acoustique PIndice optique nlenteur acoustique s=1/vImpédance optique 1/nImpédance acoustique Z aTableau.1-1: Analogie entre le domaine optique et le domaine acoustique, e est l’épaisseur dumilieu traversé par l’onde optique ou acoustiqueEn s’inspirant des travaux de Newell [R.1.120-R.1.121] qui propose cette idée pour les résonateurs à Quartzen 1965, une équipe de Motorola, propose dans un brevet en 1994 une structure BAW montée sur unréflecteur de Bragg (SMR ou S-BAW) afin de réaliser une isolation acoustique différente des FBARen utilisant une séries de couches à fort et faible impédance acoustique respectivement [R.1.122] . Cetteidée est réalisée pour la première fois en 1995 par Lakin, un des pionniers du domaine desBAW [R.1.128] . Cette approche est désormais la plus répandue parmi les principaux acteurs du domaine(INFINEON, ex- division de SIEMENS puis rachetée par AVAGO en 2008), TFR (rachetée parTRIQUINT en 2005), TRIQUINT, EPCOS, PHILIPS, LETI et autres (FIG.1-16). En effet cettesolution est plus simple à fabriquer avec des procédés standards de la microélectronique, moinsfragile à manipuler lors des étapes d'encapsulation et d'assemblage, plus robuste mécaniquementparlant et mieux adaptée pour les niveaux de puissance élevés grâce à sa meilleure dissipationthermique vers le substrat. Cet avantage conduit aussi à l’atténuation du niveau des harmoniquesfortement lié à la température du filtre à laquelle contribue également le miroir de Bragg qui estgénéralement désadapté pour ces fréquences.Cette structure nécessite toutefois le dépôt de couches supplémentaires et même la gravure descouches du miroir de Bragg si celles-ci sont métalliques ce qui est généralement le cas car on préfèreutiliser un empilement W/SiO 2 . De plus, cette solution devient très coûteuse pour des résonateurs audessous des 500MHz, mais il ne semble pas que cela constitue un problème majeur spécifique aux32Nizar Ben Hassine : « Eude de la fiabilité des composants BAW pour des applications RF »