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Mémoire de thèse de Nizar Ben Hassine_Finale - Laboratoire TIMA

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CHAPITRE-I: LA TELEPHONIE MOBILE ET LA TECHNOLOGIE A ONDES DE VOLUMEaux filtres SAW, le principe <strong>de</strong> fonctionnement <strong>de</strong>s filtres BAW consiste à exciter une on<strong>de</strong>acoustique <strong>de</strong> volume qui se propage selon l’épaisseur <strong>de</strong> la structure. La fréquence d’opération <strong>de</strong> cesfiltres est donc directement liée à l’épaisseur <strong>de</strong> la couche piézoélectrique (même si toutes les couchesdu résonateur y contribuent) et non plus à la largeur <strong>de</strong>s électro<strong>de</strong>s <strong>de</strong>s transducteurs comme pour unSAW.L’évolution récente <strong>de</strong>s procédés <strong>de</strong> dépôt <strong>de</strong> matériaux piézoélectriques [R.1.114-R.1.117] a permis laréalisation <strong>de</strong> couches minces <strong>de</strong> bonne texturation avec un ordonnancement cristallin colonnaire dansle sens <strong>de</strong> l’épaisseur. En conséquence, la gamme <strong>de</strong> fréquences d’opération au mo<strong>de</strong> fondamental <strong>de</strong>sfiltres BAW a pu être étendue aux hautes fréquences et certains travaux ont déjà montré la faisabilité<strong>de</strong> résonateurs BAW à <strong>de</strong>s fréquences comprises entre 6 et 20GHz [R.1.98-R.1.100] . En plus <strong>de</strong> cette facilitépour monter plus haut en fréquence, la propagation <strong>de</strong>s on<strong>de</strong>s acoustiques dans le volume permet unemeilleure tenue en puissance. Un autre avantage important <strong>de</strong> la technologie BAW est la possibilitéd’utiliser un substrat bas coût tel que le silicium contrairement aux filtres SAW qui requièrent unsubstrat piézoélectrique. En outre, les procédés <strong>de</strong> fabrication <strong>de</strong> dispositifs BAW sont compatiblesavec les procédés <strong>de</strong> fabrication <strong>de</strong>s circuits CMOS et BiCMOS (en termes <strong>de</strong> contamination et <strong>de</strong>température) ce qui permet d’envisager la réalisation <strong>de</strong>s chaînes radiofréquence complètementintégrées à coûts réduits. Les filtres BAW peuvent être classés en <strong>de</strong>ux gran<strong>de</strong>s catégories : les filtres àrésonateurs et les filtres empilés.I.5.6.1.1. Les filtres BAW à couplage acoustique:Ce sont <strong>de</strong>s filtres qui se caractérisent par la superposition <strong>de</strong> résonateurs avec un couplage qui estexclusivement acoustique.Ces filtres peuvent être divisés en <strong>de</strong>ux sous-catégories selon le type <strong>de</strong> couplage utilisé : les filtres àcouplage direct SCF (Stacked Resonator Filter) et les filtres à couplage indirect CRF (CoupledResonator Filter) (FIG.1- 25) [R.1.38] .FIG.1- 25: Structure <strong>de</strong>s filtres BAW empilés (a) à couplage direct (SCF) (b) à couplage indirect(CRF)I.5.6.1.1.1. Le SCF (Stacked Crystal Filter) en couches minces:Le couplage vertical <strong>de</strong> <strong>de</strong>ux résonateurs à on<strong>de</strong>s <strong>de</strong> volume est connu <strong>de</strong>puis 1972 avec les travaux<strong>de</strong> A. Ballato et T. Lukaszek en 1972 qui ont réussi à superposer <strong>de</strong>ux résonateurs <strong>de</strong> quartz pourconstruire <strong>de</strong>s filtres. Cette idée a été reprise en 1987 par Kline et al. pour réaliser les premiers SCF38<strong>Nizar</strong> <strong>Ben</strong> <strong>Hassine</strong> : « Eu<strong>de</strong> <strong>de</strong> la fiabilité <strong>de</strong>s composants BAW pour <strong>de</strong>s applications RF »

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