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SEMICONDUTTORE ESTRINSECO DI TIPO p<br />
Ge<br />
Ge<br />
Ge<br />
Ge<br />
Ge<br />
Ge<br />
Ge<br />
Ge<br />
lacuna<br />
L'aggiunta al semiconduttore intrinseco tetravalente <strong>di</strong> impurezze <strong>di</strong> tipo trivalente (boro,<br />
gallio, in<strong>di</strong>o), produce la sostituzione nel reticolo del cristallo ospite <strong>di</strong> alcuni atomi con quelli<br />
della nuova specie atomica che non è in grado però <strong>di</strong> saturare tutti e quattro i legami<br />
covalenti <strong>di</strong>sponibili. Si vengono a creare così una serie <strong>di</strong> "<strong>di</strong>sponibilità" per gli altri elettroni<br />
del reticolo, che possono con facilità spostarsi, occupando la "lacuna" creata dall'atomo <strong>di</strong><br />
impurezza.<br />
Dal punto <strong>di</strong> vista energetico ciò comporta la creazione, sempre all'interno dell'energy gap,<br />
<strong>di</strong> un livello molto vicino alla banda <strong>di</strong> valenza, in grado <strong>di</strong> "accettare" gli elettroni della<br />
banda <strong>di</strong> valenza stessa.<br />
Tali elettroni lasciano a loro volta un gran numero <strong>di</strong> "lacune" che possono partecipare al<br />
processo <strong>di</strong> conduzione del cristallo ospite che, in questo caso, si <strong>di</strong>ce drogato <strong>di</strong> tipo<br />
“p”.<br />
A cura del Prof. F. Giannini, R. Giofrè, M. Imbimbo, P. Longhi, A. Nanni, A. Ticconi<br />
Ec<br />
In EFi<br />
EA<br />
Ev<br />
E C = Banda <strong>di</strong> conduzione<br />
E Fi = Livello <strong>di</strong> Fermi<br />
E A = Livello accettori<br />
E V = Banda <strong>di</strong> valenza<br />
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