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DIODI (IV) Analisi approssimata del
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DIODI (IV) Circuito agganciatore (c
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E TRANSISTOR (I) Transistore a giun
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TRANSISTOR (III) Transistore in zon
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TRANSISTOR (V) Correnti nel BJT (II
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Connessione emettitore comune I +V
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Connessione emettitore comune III P
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Emettitore comune: zona di saturazi
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Dipendenza di hFE con T, VCE, IC N.
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Emettitore comune: zona di interdiz
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Curva di trasferimento IC-VBE per l
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Curva di trasferimento IC-VBE per l
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Equazioni di Ebers-Moll I E La dipe
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Equazioni di Ebers-Moll III Circuit
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Espressione analitica delle carat.
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Moltiplicazione per valanga I 1 α
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Reach Through Quando la tensione V
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Caratteristica del FET Il transisto
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Tensione di pinch-off I La tensione
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V DS >V P Tensione di pinch-off III
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Principi di funz. del MOSFET ad ENH
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ID [mA mA] -30 30 -20 20 -10 10 Pri
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ID [mA mA] 12 8 4 0 MOSFET a canale
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Processi tecnologici Gli sviluppi a
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“Trends” tecnologici II L’uso
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V i =V GS1 ID2[mA D2 mA] 30 20 10 0
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FET con carico non saturato (i FET