+ + + - - - v - Università degli Studi di Roma Tor Vergata
+ + + - - - v - Università degli Studi di Roma Tor Vergata
+ + + - - - v - Università degli Studi di Roma Tor Vergata
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
PROPRIETA’ FISICHE DEI SEMICONDUTTORI (VI)<br />
Legge della giunzione<br />
La ra<strong>di</strong>azione che incide in x=0 genera coppie<br />
elettrone-lacuna in quantità tale da variare<br />
apprezzabilmente solo la concentrazione delle<br />
cariche <strong>di</strong> minoranza p.<br />
Le cariche in eccesso <strong>di</strong>ffondono nello spazio<br />
x>0 ricombinandosi con gli elettroni, sicché la<br />
loro concentrazione <strong>di</strong>minuisce con x tendendo<br />
al valore <strong>di</strong> equilibrio p 0 secondo l'equazione:<br />
' Lp<br />
( x)<br />
= p + p ( 0)<br />
e<br />
Dove p’ 0 (0) è l'eccesso <strong>di</strong> carica ad x=0 ed L p è il già noto libero cammino me<strong>di</strong>o delle lacune:<br />
Se in particolare la causa che "inietta" le cariche in eccesso alla sezione x=0 è una tensione V≠0,<br />
si può assumere che la concentrazione p n (0) sia legata al valore <strong>di</strong> equilibrio p 0 dalla relazione:<br />
p<br />
n<br />
p<br />
( )<br />
0 =<br />
p0<br />
0<br />
e<br />
V<br />
VT<br />
A cura del Prof. F. Giannini, R. Giofrè, M. Imbimbo, P. Longhi, A. Nanni, A. Ticconi<br />
0<br />
p<br />
−<br />
x<br />
L = D τ<br />
p<br />
p<br />
p(x)<br />
p’ o<br />
p o<br />
legge della giunzione<br />
0<br />
A<br />
tipo “n”<br />
n=N D<br />
I / 16<br />
x