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+ + + - - - v - Università degli Studi di Roma Tor Vergata

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PROPRIETA’ FISICHE DEI SEMICONDUTTORI (VI)<br />

Legge della giunzione<br />

La ra<strong>di</strong>azione che incide in x=0 genera coppie<br />

elettrone-lacuna in quantità tale da variare<br />

apprezzabilmente solo la concentrazione delle<br />

cariche <strong>di</strong> minoranza p.<br />

Le cariche in eccesso <strong>di</strong>ffondono nello spazio<br />

x>0 ricombinandosi con gli elettroni, sicché la<br />

loro concentrazione <strong>di</strong>minuisce con x tendendo<br />

al valore <strong>di</strong> equilibrio p 0 secondo l'equazione:<br />

' Lp<br />

( x)<br />

= p + p ( 0)<br />

e<br />

Dove p’ 0 (0) è l'eccesso <strong>di</strong> carica ad x=0 ed L p è il già noto libero cammino me<strong>di</strong>o delle lacune:<br />

Se in particolare la causa che "inietta" le cariche in eccesso alla sezione x=0 è una tensione V≠0,<br />

si può assumere che la concentrazione p n (0) sia legata al valore <strong>di</strong> equilibrio p 0 dalla relazione:<br />

p<br />

n<br />

p<br />

( )<br />

0 =<br />

p0<br />

0<br />

e<br />

V<br />

VT<br />

A cura del Prof. F. Giannini, R. Giofrè, M. Imbimbo, P. Longhi, A. Nanni, A. Ticconi<br />

0<br />

p<br />

−<br />

x<br />

L = D τ<br />

p<br />

p<br />

p(x)<br />

p’ o<br />

p o<br />

legge della giunzione<br />

0<br />

A<br />

tipo “n”<br />

n=N D<br />

I / 16<br />

x

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