+ + + - - - v - Università degli Studi di Roma Tor Vergata

GIUNZIONE DI DUE SEMICONDUTTORI (V)
Tensione di soglia Vγ
Nella caratteristica I-V del diodo al Ge ed al Si, si nota l'esistenza di una tensione di soglia Vγ,
sotto la quale la corrente diretta è trascurabile (convenzionalmente 1% della corrente massima
che il diodo può sopportare).
Si ha in particolare V γ-Ge ≅0.2V, V γ-Si ≅0.6V. Il motivo della differenza è duplice:
1. I 0 per il germanio è dell'ordine dei mA, per il silicio dell'ordine dei nA;
2. η per il silicio è 2, specie per bassi valori di tensione, e per il germanio è 1.
Caratteristica Logaritmica
A cura del Prof. F. Giannini, R. Giofrè, M. Imbimbo, P. Longhi, A. Nanni, A. Ticconi
V
Se V>>V ηV
T si ha I ≅ I e T
0
se la tensione continua a crescere però il legame cambia perché comincia a farsi sentire la caduta
ohmica nel corpo del semiconduttore e la tensione sulla giunzione diviene diversa da quella
applicata ai morsetti.
Il risultato è che la caratteristica I-V diventa praticamente lineare.
Effetto della temperatura
La legge
⎛ V ⎞
⎜ ηV
⎟
I = I0
⎜e
T −1⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
I 0 raddoppia per ogni ΔT=10°C
contiene implicitamente T sia in I 0 che in V T . Al variare della
temperatura cambiano entrambe in modo percentualmente
analogo sia per il Ge che per il Si.
Si ha che:
ΔV
ΔT
⎡mV
= −2.
5⎢
⎣ ° C
⎤
⎥
⎦
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