Rivelatori a Semiconduttore - Gruppo 3

More documents

Recommendations

Info

La probabilità di generazione termica è proporzionale al fattore di Boltzmann Densità di portatori p gen ∝ C ⋅ e − E g / kT La probabilità di ricombinazione è approx. combinatoria p rec ∝ n ⋅ p All’equilibrio (np costante a T fissata ) n ⋅ p = C ⋅ e − E g / kT Per un materiale puro n = i p i ⇒ n i = C ⋅ e −E g / 2kT Dicembre 2007 Rivelatori a Semiconduttore - Laboratorio I 10
Densità di portatori – 2 p i = n i = A ⋅T 3/ 2 − ⋅e E g / 2kT Dipende dal Materiale Statistica di Fermi/Dirac Dipende esponenzialmente da E g Silicio a temperatura ambiente: n i = p i = 10 10 cm -3 “intrinseco” (puro) Dicembre 2007 Rivelatori a Semiconduttore - Laboratorio I 11
Page 1 and 2: Rivelatori a Semiconduttore Michele
Page 3 and 4: Lezione 1 Dicembre 2007 Rivelatori
Page 5 and 6: Rivelatori a Semiconduttore Rivela
Page 7 and 8: La struttura a bande Banda di condu
Page 9: Portatori di Carica A T ≠ 0, alcu
Page 13 and 14: Densità di corrente E A v dt Dicem
Page 15 and 16: Semiconduttori Drogati Finora assun
Page 17 and 18: Materiali di tipo n A temperatura a
Page 19 and 20: Difetti del reticolo I difetti del
Page 21 and 22: Fotoni Particelle cariche Radiazion
Page 23 and 24: La Giunzione pn E neutro ρ neutro
Page 25 and 26: Spessore Regione di svuotamento - 1
Page 27 and 28: Spessore Regione di svuotamento - 3
Page 29 and 30: Valore massimo del Campo Elettrico
Page 31 and 32: Polarizzazione Diretta tipo n tipo
Page 33 and 34: Polarizzazione diretta ed inversa I
Page 35 and 36: Riassunto Giunzione pn polarizzata
Page 37 and 38: Fully Depleted / partially depleted
Page 39 and 40: Fine Dicembre 2007 Rivelatori a Sem
Page 41 and 42: Sommario Caratteristiche operaziona
Page 43 and 44: Effetti del Bias Voltage Aumentare
Page 45 and 46: Temperatura La temperatura aumenta
Page 47 and 48: Fattore di Fano Produzione di coppi
Page 49 and 50: Formazione dell’impulso I Portato
Page 51 and 52: Applicazioni dei rivelatori a semic
Page 53 and 54: Rivelatori a giunzione diffusa Tra
Page 55 and 56: Ion inplanted Drogaggio può anche
Page 57 and 58: Passivated planar Metodi inizialmen
Page 59 and 60: Rivelatori Ge(Li) Germanio p compen
Page 61 and 62:
Rivelatori ad alto Z Il germanio d
Page 63 and 64:
Rivelatori per il tracking - fixed
Page 65 and 66:
Rivelatori di posizione - Continui
Page 67 and 68:
Rivelatori di posizione - Silicon d
Page 69 and 70:
Rivelatori di posizione - pixel 300
Page 71 and 72:
Danno da Radiazione Dicembre 2007 R
Page 73 and 74:
Ipotesi NIEL Il danno da radiazione
Page 75 and 76:
Difetti indotti dalla radiazione Di
Page 77 and 78:
Effetti dei difetti indotti dalla r
Page 79 and 80:
Type Inversion Dopo una certa dose
Page 81 and 82:
Aumento della leakage current I li
Page 83 and 84:
Annealing I difetti creati dalla ra
show all

Rivelatori a Semiconduttore - Gruppo 3

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?