Rivelatori a Semiconduttore - Gruppo 3

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Contatto rettificante Rivelatore a diodo Finestra di ingresso/ Dead layer p + n + Bias n i leak T Contatto bloccante Volume sensibile Contatto metallico Fully depleted
Effetti del Bias Voltage Aumentare Bias voltage Cariche raccolte più rapidamente Meno perdite Saturazione Campo sufficientemente alto moltiplicazione Silicon avalanche detectors Tempo di salita Rivelatori molto veloci (~ 10 ns) Tempo di transito Fully depleted aumentare V aumenta E Partially depleted aumentando V aumenta anche d Tempo di plasma (heavy charged particles) Densità cariche abbastanza alta da formare plasma che scherma interno Ritardo nella formazione del segnale e tempo di salita Dicembre 2007 Rivelatori a Semiconduttore - Laboratorio I 43
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