Rivelatori a Semiconduttore - Gruppo 3

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Effetto di particelle differenti A. Vasilescu (INPE Bucharest) and G. Lindstroem (University of Hamburg), Displacement damage in silicon, on-line compilation L’entità del danno da radiazione dipende fortemente dal tipo di particella e dalla sua energia Generalmente radiazione integrata è espressa in “flusso integrato di neutroni equivalenti da 1 MeV” 1 MeV equivalent neutrons fluence Fluence vs Flux Dicembre 2007 Rivelatori a Semiconduttore - Laboratorio I 74
Difetti indotti dalla radiazione Difetti primari Mobili a temperatura ambiente Vacanze Interstiziali Possono interagire con altri difetti e formare complessi stabili I complessi possono inattivare droganti o formare livelli intermedi Modifica delle proprietà elettriche Dettagli dipendono da molti particolari: tipo di radiazione, tipo di materiali, drogaggio, impurezze in origine etc. Formule empiriche! Aumento del Depletion Voltage e della Leakage Current Dicembre 2007 Rivelatori a Semiconduttore - Laboratorio I 75
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