Rivelatori a Semiconduttore - Gruppo 3

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Trappole/Ricombinazione Difetti strutturali e impurezze possono introdurre livelli intermedi (anche profondi) Banda di conduzione 1 2 Banda di valenza Centro di ricombinazione o “trappola” Silicio puro ricombinazione evento raro Livelli intermedi possono catturare più facilmente portatori 1. Trapping portatori rilasciati dopo un certo tempo 2. Recombination portatori si ricombinano Diminuzione Efficienza raccolta cariche (CCE) in entrambi I casi Dicembre 2007 Rivelatori a Semiconduttore - Laboratorio I 20
Fotoni Particelle cariche Radiazione nei semiconduttori Effetto fotoelettrico Effetto Compton Produzione di coppie Ioniz. diretta Inoiz. indiretta es. elettroni di alta energia (raggi δ) Coppie e/h ε = Energia/Coppia ~ 3 eV in buona approx non dipende da particelle/energia Gap ~ 1 eV ~ 2/3 E va in eccitazione reticolo Più precisamente: ε cresce al decrescere di T Ioni pesanti / frammenti di fissione ε molto maggiore (pulse height defect) Dicembre 2007 Rivelatori a Semiconduttore - Laboratorio I 21
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