Rivelatori a Semiconduttore - Gruppo 3

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Danno da radiazione nell’elettronica Transistor MOSFET (CMOS) L’applicazione di una tensione positiva al gate permette a corrente di scorrere tra drain e source Ionizzazione prodotta dalla radiazione Carica statica nell’ossido Cambiamento di valori logici (SEU) Riduzione delle dimensioni: tecnologie sub-µm intrinsecamente resistenti Tecniche di disegno Tecniche di disegno: Ridondanza + integrità dati Dicembre 2007 <strong>Rivelatori</strong> a <strong>Semiconduttore</strong> - Laboratorio I 84
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