Rivelatori a Semiconduttore - Gruppo 3

More documents

Recommendations

Info

Strati inattivi Finestra di ingresso e dead layer Solo la regione di svuotamento è la parte attiva del rivelatore Attenzione in spettroscopia di precisione Ioni pesanti lasciano gran parte energia all’inizio (vedi pulse height defect, non unico motivo) Channeling Se la particella è parallela a certe direzione reticolari, può penetrare molto di più nel rivelatore Dicembre 2007 Rivelatori a Semiconduttore - Laboratorio I 46
Fattore di Fano Produzione di coppie e/h segue, a priori, statistica di Poisson. Varianza del numero di coppie prodotte (determina risoluzione in energia) uguale al valor medio: E / ε Fattore di Fano quantifica discrepanza tra questa predizione e varianza osservata F ≡ (Varianza osservata) · ε / E Discrepanza dovuta al fatto che eventi non sono indipendenti F ≈ 0.12 Sia per silicio che per germanio, anche se valore non è determinato in maniera precisa. Dicembre 2007 Rivelatori a Semiconduttore - Laboratorio I 47
Page 1 and 2: Rivelatori a Semiconduttore Michele
Page 3 and 4: Lezione 1 Dicembre 2007 Rivelatori
Page 5 and 6: Rivelatori a Semiconduttore Rivela
Page 7 and 8: La struttura a bande Banda di condu
Page 9 and 10: Portatori di Carica A T ≠ 0, alcu
Page 11 and 12: Densità di portatori - 2 p i = n i
Page 13 and 14: Densità di corrente E A v dt Dicem
Page 15 and 16: Semiconduttori Drogati Finora assun
Page 17 and 18: Materiali di tipo n A temperatura a
Page 19 and 20: Difetti del reticolo I difetti del
Page 21 and 22: Fotoni Particelle cariche Radiazion
Page 23 and 24: La Giunzione pn E neutro ρ neutro
Page 25 and 26: Spessore Regione di svuotamento - 1
Page 27 and 28: Spessore Regione di svuotamento - 3
Page 29 and 30: Valore massimo del Campo Elettrico
Page 31 and 32: Polarizzazione Diretta tipo n tipo
Page 33 and 34: Polarizzazione diretta ed inversa I
Page 35 and 36: Riassunto Giunzione pn polarizzata
Page 37 and 38: Fully Depleted / partially depleted
Page 39 and 40: Fine Dicembre 2007 Rivelatori a Sem
Page 41 and 42: Sommario Caratteristiche operaziona
Page 43 and 44: Effetti del Bias Voltage Aumentare
Page 45: Temperatura La temperatura aumenta
Page 49 and 50: Formazione dell’impulso I Portato
Page 51 and 52: Applicazioni dei rivelatori a semic
Page 53 and 54: Rivelatori a giunzione diffusa Tra
Page 55 and 56: Ion inplanted Drogaggio può anche
Page 57 and 58: Passivated planar Metodi inizialmen
Page 59 and 60: Rivelatori Ge(Li) Germanio p compen
Page 61 and 62: Rivelatori ad alto Z Il germanio d
Page 63 and 64: Rivelatori per il tracking - fixed
Page 65 and 66: Rivelatori di posizione - Continui
Page 67 and 68: Rivelatori di posizione - Silicon d
Page 69 and 70: Rivelatori di posizione - pixel 300
Page 71 and 72: Danno da Radiazione Dicembre 2007 R
Page 73 and 74: Ipotesi NIEL Il danno da radiazione
Page 75 and 76: Difetti indotti dalla radiazione Di
Page 77 and 78: Effetti dei difetti indotti dalla r
Page 79 and 80: Type Inversion Dopo una certa dose
Page 81 and 82: Aumento della leakage current I li
Page 83 and 84: Annealing I difetti creati dalla ra

Rivelatori a Semiconduttore - Gruppo 3

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?