Rivelatori a Semiconduttore - Gruppo 3

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Sommario Ipotesi NIEL Effetti della radiazione nei Sensori Cambiamento del doping efficace Type inversion Aumento della tensione di Full depletion Aumento della leakage current Danno da radiazione nell’elettronica Principalmente rivelatori a Pixel di Silicio Dicembre 2007 Rivelatori a Semiconduttore - Laboratorio I 72
Ipotesi NIEL Il danno da radiazione nei rivelatori al Silicio ha origine dalle interazioni con la radiazione incidente La ionizzazione è un effetto transitorio ed è alla base del principio di funzionamento dei rivelatori Le interazioni con il reticolo cristallino possono indurre i danni da radiazione Ipotesi NIEL: il danno da radiazione scala con l’energia non utilizzata per la ionizzazione (Non Ionizing Energy Loss) Dicembre 2007 Rivelatori a Semiconduttore - Laboratorio I 73
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