ASPIRE INVENT ACHIEVE - Imec
ASPIRE INVENT ACHIEVE - Imec
ASPIRE INVENT ACHIEVE - Imec
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
hooGTEpuNTEN<br />
IMEC ENERGIE<br />
HOOGTEPuNTEN - <strong>Imec</strong>’s zonnecelonderzoek focust op het verhogen van de<br />
om zettings efficiëntie en het verlagen van de prijs van siliciumzonnecellen. <strong>Imec</strong><br />
onderzoekt ook plooibare organische zonnecellen en hoogefficiënte zonnecellen<br />
op basis van III-V materialen (o.a. voor ruimtetoepassingen). <strong>Imec</strong> onderzoekt<br />
ook de mogelijkheden van GaN voor hoogvermogenelektronica en voor energieefficiënte<br />
en goedkope ledverlichting.<br />
01<br />
Industrieel<br />
affiliatieprogramma<br />
galliumnitride<br />
In 2009 heeft imec een nieuw industrieel affiliatieprogramma<br />
(IIAP) rond galliumnitride gelanceerd. In dit<br />
programma wil imec samen met partners zoeken naar<br />
betere GaN-technologieën voor vermogenomzetting<br />
en ledverlichting.<br />
Voor vermogenelektronica wil het IIAP hoogspanning-,<br />
hoogvermogenschakelaars met laag energieverlies ont -<br />
wikkelen. Mogelijke toepassingen daarvan zijn hoogvermogen<br />
schakelaars voor zonnecelconverteerders,<br />
motoraandrijving, hybride elektrische voertuigen of<br />
schakelende voedingen. Een belangrijke doelstelling<br />
is de kostprijs van GaN-processen verminderen door<br />
GaN te deponeren op grote siliciumschijven.<br />
Het programma omvat ook de ontwikkeling van<br />
hoogefficiënte hoogvermogen leds. De onderzoeksfocus<br />
ligt hierbij op de verbetering van de externe en<br />
interne kwantumefficiëntie, om hoogvermogenleds<br />
mogelijk te maken.<br />
48<br />
02<br />
<strong>Imec</strong> ontwikkelt<br />
een grote siliciumzonnecel<br />
met een omzettingsefficiëntie<br />
van 18,4% en<br />
met contacten in koper<br />
Op de Europese zonnecelconferentie in Hamburg presenteerde<br />
imec een grote-oppervlakte siliciumzonnecel<br />
(125cm 2 ) met een omzettingsefficiëntie van 18,4%.<br />
Nog belangrijker dan de efficiëntie zelf is dat deze<br />
zonnecel werd ontwikkeld met een ondiepe emitter<br />
die de omzettingsefficiëntie verhoogt, en met<br />
geavanceerde kopermetallisatie voor de contacten<br />
aan de voorkant van de cel. Het gebruik van koper in<br />
plaats van zilver draagt bij tot de duurzaamheid van<br />
het proces en maakt ook verdere kostenreductie mogelijk.<br />
Dat dit resultaat behaald werd op een grote<br />
zonnecel bewijst bovendien de industriële rentabiliteit<br />
van het proces. Het is een nieuwe succesvolle<br />
stap naar steeds goedkopere en efficiëntere zonnecellen.<br />
Onze uiteindelijke ambitie is om zonnecellen<br />
te maken met een dikte van slechts 40µm en een<br />
efficiëntie boven 20%.<br />
SiN/AlGaN/GaN field effect transistor
Change language