Dispositivos semicondutores: diodos. - DEMAR
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<strong>Dispositivos</strong> <strong>semicondutores</strong>: <strong>diodos</strong>.<br />
Diodo de junção PN.<br />
Os <strong>diodos</strong> são dispositivos <strong>semicondutores</strong> confeccionados na maioria das vezes<br />
por uma junção PN. A Fig. 1 mostra o esquema de uma junção de dois materiais<br />
<strong>semicondutores</strong>, um do tipo P e o outro do tipo N. O semicondutor tipo P é o anodo e o<br />
semicondutor tipo N é o catodo. O funcionamento do diodo ocorre na região entre o<br />
anodo e o catodo, chamada de junção.<br />
Junção PN<br />
+ -<br />
Anodo P N<br />
Catodo<br />
Anodo<br />
Fig. 1 Diodo de junção PN e símbolo elétrico.<br />
<strong>Dispositivos</strong> <strong>semicondutores</strong>: <strong>diodos</strong> 1<br />
+<br />
i D<br />
-<br />
Catodo<br />
A Fig.2a mostra os portadores majoritários em cada material semicondutor:<br />
lacunas no tipo P e elétrons livres no tipo N. A estrutura do diodo é contínua de um lado<br />
a outro da junção.Devido à continuidade da estrutura cristalina do diodo, os portadores<br />
podem se mover através da junção. Após a formação do diodo, alguns elétrons podem<br />
migrar para o anodo nas proximidades da junção. Ao encontrar as lacunas, ocorre a<br />
recombinação do par elétron-lacuna e, consequentemente, o aniquilamento dos<br />
portadores de carga majoritários na junção. A região formada pela neutralização das<br />
cargas é denominada região de depleção por não haver portadores de carga (Fig. 2b). A<br />
região de depleção não irá crescer muito além da junção por causa do campo elétrico<br />
formado. Na verdade, a região de depleção funcionará como um capacitor e o campo<br />
elétrico gerado impedirá a migração de novos elétrons livres difundidos do semicondutor<br />
tipo N para se recombinar com as lacunas do lado P.<br />
+<br />
+<br />
Lacunas<br />
Junção<br />
P N<br />
+<br />
+<br />
+<br />
+<br />
+<br />
+<br />
+<br />
+<br />
- -<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
Elétrons livres<br />
(a) (b)<br />
+<br />
+<br />
P<br />
Junção<br />
N<br />
+<br />
+<br />
+<br />
+<br />
+<br />
+<br />
+ +<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
- -<br />
-<br />
- -<br />
Região de depleção<br />
Fig. 2 (a) Portadores de carga majoritários em cada lado da junção, (b) difusão de<br />
elétrons recombinando-se com as lacunas do anodo, formando a região de depleção.<br />
Assim, quando um diodo é fabricado, alguns elétrons atravessam a junção e<br />
preenchem as lacunas existentes no semicondutor tipo P criando uma barreira de<br />
potencial na região próxima à junção. Como na região de depleção não há cargas, é de se<br />
esperar que ela funcione como um isolante. Para vencer a barreira de potencial é
necessário aplicar um campo elétrico numa direção apropriada, de tal forma a colapsar a<br />
região de depleção preenchendo-a com portadores de carga. A Fig. 3 ilustra o processo<br />
de colapso da região de depleção através da aplicação de um campo elétrico com o<br />
anodo polarizado positivamente e o catodo polarizado negativamente. O sentido<br />
convencional da corrente é o sentido das cargas positivas e contrário ao sentido dos<br />
elétrons livres.<br />
+<br />
+<br />
+<br />
Corrente<br />
Colapso da região de depleção<br />
P N<br />
+<br />
+<br />
+<br />
+<br />
+<br />
+<br />
+<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
+ -<br />
Fig. 3 Polarização direta do diodo de junção PN.<br />
Com o colapso da região de depleção, o diodo passa a conduzir corrente. A<br />
condição de operação do diodo mostrada na Fig. 3 é denominada polarização direta<br />
(forward bias). Em Eletrônica, a polarização (bias)é uma tensão ou corrente aplicada a<br />
um dispositivo para “ligá-lo”. No caso do diodo, a tensão de polarização é aplicada para<br />
vencer a barreira de potencial originada pela região de depleção. Se o diodo for<br />
polarizado reversamente, isto é, se for aplicado um potencial com polaridade negativa no<br />
anodo e positiva no catodo, a região de depleção se alargará, como mostra a Fig. 4.<br />
P N<br />
+ + +<br />
+<br />
+ +<br />
+ +<br />
+ +<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
-<br />
Alargamento da<br />
região de depleção<br />
-<br />
Fig. 4 Efeito da polarização reversa sobre a região de depleção.<br />
Como a região de depleção é isolante, o seu alargamento causará o bloqueio do<br />
fluxo de corrente pelo diodo. Na realidade, uma ínfima corrente flui devido aos<br />
portadores minoritários. O semicondutor tipo P possui alguns elétrons minoritários que<br />
serão empurrados para a junção por causa da repulsão causada pelo terminal negativo da<br />
fonte de tensão. O semicondutor tipo N, por sua vez, também possui algumas lacunas<br />
minoritárias, que serão empurradas para a junção. Dessa forma, uma corrente de fuga se<br />
estabelece quando o diodo está polarizado reversamente.<br />
<strong>Dispositivos</strong> <strong>semicondutores</strong>: <strong>diodos</strong> 2<br />
+
Curvas características de <strong>diodos</strong> de junção PN.<br />
Os <strong>diodos</strong> conduzem numa direção mas não na outra. Esta é a característica mais<br />
importante do diodo e que a torna importante em Eletrônica. A curva corrente-tensão ou<br />
curva I-V é a curva característica de um dispositivo eletrônico, seja ele um resistor, um<br />
capacitor ou um diodo. Enquanto a curva I-V de um resistor que obedece a lei de Ohm<br />
(resistor ôhmico) é uma reta, a curva característica de um diodo apresenta uma forma<br />
não-linear, como a mostrada na Fig. 5.<br />
Quando uma tensão positiva é aplicada entre o anodo e o catodo, uma corrente iD<br />
flui através do diodo, desde que essa tensão seja superior a um valor VD determinado<br />
pelo tipo e pelo material utilizado na fabricação do diodo. Para um diodo de silício, esse<br />
valor de tensão é cerca de 0,6 V, enquanto que um diodo de germânio, a tensão de<br />
polarização é cerca de 0,3 V (Fig. 5). À medida que a corrente iD aumenta, a tensão VD<br />
também aumenta, porém, a maior queda de tensão no diodo é devido à sua polarização.<br />
Se uma tensão reversa negativa VR é aplicada sobre o diodo (do anodo para o<br />
catodo), o dispositivo exibe uma grande resistência à passagem de corrente e esta<br />
corrente denomina-se corrente de fuga reversa (iR). Se a intensidade da tensão reversa<br />
exceder um valor crítico, ocorre uma avalanche de corrente quando os portadores<br />
minoritários adquirem energia suficiente para colidir com os elétrons de valência e leválos<br />
para a banda de energia de condução. Este processo causa uma avalanche de<br />
portadores de carga e a corrente aumenta rapidamente. A tensão em que ocorre a<br />
avalanche de corrente é denominada tensão de ruptura reversa (VBR) e para o diodo de<br />
silício está compreendido entre 50 e 1000 V, dependendo do processo de fabricação do<br />
diodo.<br />
Fig. 5 Curvas características I-V para <strong>diodos</strong> de germânio e silício<br />
A temperatura afeta as características operacionais do diodo, como mostra a<br />
Fig.6, por causa da influência da ativação térmica sobre a junção e na criação de<br />
<strong>Dispositivos</strong> <strong>semicondutores</strong>: <strong>diodos</strong> 3
portadores majoritários. Normalmente, quanto maior a temperatura, maior será a<br />
condutividade elétrica e menor será a tensão de polarização do diodo. Este fato concorda<br />
com as características de coeficiente negativo da temperatura (NTC) para os materiais<br />
<strong>semicondutores</strong>.<br />
Fig. 6 Curvas características I-V para o diodo de silício mostrando a influência da<br />
temperatura.<br />
Quando o diodo está conduzindo no sentido direto, isto é, do anodo para o<br />
catodo, e a corrente reverte abruptamente, ele se “esquece” de bloquear esta corrente<br />
reversa durante um curto intervalo de tempo, chamado tempo de recuperação reversa trr.<br />
Durante este tempo, uma grande corrente é conduzida pelo diodo e esta corrente<br />
denomina-se corrente de recuperação reversa irr.<br />
Processo de fabricação de <strong>diodos</strong>.<br />
Os <strong>diodos</strong> atualmente são fabricados utilizando-se técnicas desenvolvidas para a<br />
fabricação de dispositivos <strong>semicondutores</strong>, como os transistores e circuitos integrados. A<br />
Fig. 7 mostra o fluxograma de fabricação de diodo empregando tecnologia planar.<br />
Empregam-se etapas de deposição de polímeros, reação química no estado gasoso e no<br />
estado sólido, utilizando-se fornos de crescimento de cristal e de reação química por<br />
vapor (CVD). Alguns desses equipamentos estão ilustrados nas Figuras 8, 9 e 10.<br />
O aspecto real de um diodo está apresentado na Fig. 11, onde se observa a<br />
estrutura de camadas crescidas, depositadas e difundidas, para a fabricação da junção PN<br />
e das conexões elétricas externas.<br />
<strong>Dispositivos</strong> <strong>semicondutores</strong>: <strong>diodos</strong> 4
N+<br />
Substrato<br />
(Si monocristalino dopado)<br />
N<br />
N+<br />
Deposição<br />
Máscara<br />
Resina fotoresistiva<br />
Ataque químico<br />
do isolante<br />
Dopagem<br />
N<br />
Camada epitaxial<br />
N<br />
N+<br />
Luz ultravioleta<br />
N<br />
N+<br />
Impurezas tipo P<br />
P<br />
N+<br />
Oxidação<br />
Metalização<br />
Fotolitografia<br />
<strong>Dispositivos</strong> <strong>semicondutores</strong>: <strong>diodos</strong> 5<br />
N<br />
N+<br />
Contatos metálicos<br />
Fig. 7 Processo de fabricação de diodo de junção PN com tecnologia planar<br />
(Rezende, 1996).<br />
Fig. 8 Esquema de deposição de vapor e crescimento epitaxial.<br />
SiO 2<br />
isolante
Fig. 9 Forno de crescimento epitaxial.<br />
Fig. 10 Forno para deposição e difusão de dopante em cristal semicondutor.<br />
Metal<br />
Tipo P (anodo)<br />
Metal<br />
Tipo N (catodo)<br />
Fig. 11 Esquema de um diodo de junção PN real.<br />
Isolante (SiO )<br />
2<br />
<strong>Dispositivos</strong> <strong>semicondutores</strong>: <strong>diodos</strong> 6
Diodo Schottky<br />
A Fig. 12 mostra um diodo Schottky. A sua aparência é bastante semelhante à do<br />
diodo de junção PN, mas, ao invés de ter uma camada P implantada, ele possui uma<br />
barreira metálica denominada barreira Schottky, formando uma junção metalsemicondutor.<br />
As guardas constituem-se em anéis metálicos, cuja função é tornar as<br />
características de ruptura reversa do dispositivo mais robustas. Tanto o metal quanto o<br />
semicondutor são materiais do tipo N, de modo que a condução de carga ocorre apenas<br />
através de portadores majoritários, sem haver injeção, armazenamento ou recombinação<br />
de portadores minoritários. Isto explica a ausência de recuperação reversa do diodo<br />
Schottky, tornando-o ideal para aplicações em altas freqüências, tais como circuitos<br />
detectores de alta freqüência ou em circuitos de chaveamento rápido. As características<br />
da curva I-V são semelhantes às do diodo PN.<br />
Metal<br />
Metal<br />
Guarda<br />
Camada epitaxial tipo N-<br />
Substrato tipo N+<br />
Fig. 12 Estrutura do diodo Schottky.<br />
Barreira Schottky<br />
Isolante (SiO )<br />
2<br />
O que diferencia as características de condução dos <strong>diodos</strong> comuns em relação<br />
aos <strong>diodos</strong> Schottky é a tecnologia de fabricação e o material usado. Desse modo, para<br />
obter uma barreira de condução baixa existem diversas tecnologias que são empregadas,<br />
determinando outras características do componente. Enquanto os <strong>diodos</strong> PN apresentam<br />
uma característica de operação de alta temperatura, baixas fugas e uma queda de tensão<br />
no sentido direto relativamente alta, os <strong>diodos</strong> Schottky são projetados para operar em<br />
temperaturas mais baixas (< 125 o C) apresentando correntes de fugas mais elevadas e<br />
uma queda de tensão no sentido direto menor.<br />
Nos <strong>diodos</strong> Schottky de barreira alta o metal usado na barreira é o “nicromo”<br />
(Ni-Cr), enquanto que no de barreira baixa o material é o nicromo-platina. O tipo de<br />
geometria usada na estrutura do diodo é que vai determinar as características elétricas<br />
básicas do componente. A baixa tensão direta, da ordem de microvolts, e o baixíssimo<br />
tempo de recuperação da ordem de picossegundos, devem-se ao metal usado no ponto<br />
em que se tem a barreira de potencial. Na Fig. 13 é mostrada a curva característica I-V<br />
para este componente, observando-se a tensão muito baixa em que ele começa a<br />
conduzir quando polarizado no sentido direto.<br />
A barreira metálica também é responsável pela baixa tensão de polarização direta<br />
do diodo Schottky. A sua desvantagem é a corrente de fuga, muito superior ao do diodo<br />
de junção PN. Em algumas aplicações, esta corrente de fuga pode levar ao dispositivo a<br />
exceder sua temperatura de junção. À medida que a temperatura da junção aumenta, a<br />
tensão de polarização direta cai, enquanto que a corrente de fuga aumenta.<br />
<strong>Dispositivos</strong> <strong>semicondutores</strong>: <strong>diodos</strong> 7
Fig. 13 Curva característica I-V do diodo Schottky.<br />
A Fig. 14 mostra o gráfico comparativo entre o tempo de recuperação reversa<br />
para o diodo PN e o diodo Schottky.<br />
(a) (b)<br />
Fig. 14 (a) Recuperação reversa de um diodo PN comum e (b) recuperação reversa de<br />
um diodo Schottky.<br />
Diodo Zener<br />
Um diodo Zener é um tipo especial de diodo que opera na região de tensão<br />
reversa de ruptura. O efeito avalanche foi observado por Clarence Zener, que propôs a<br />
sua utilização como elemento de regulação de tensão. A Fig. 15 mostra o símbolo do<br />
diodo zener.<br />
Fig. 15 Símbolo do diodo zener.<br />
<strong>Dispositivos</strong> <strong>semicondutores</strong>: <strong>diodos</strong> 8
No circuito da Fig. 16, o diodo zener 1N4743 é utilizado como regulador de<br />
tensão. Observe que, para tensões reversas maiores do que a tensão de ruptura zener<br />
(VZ), um pequeno incremento na tensão causa uma grande variação na corrente reversa<br />
no zener. Suponha que a fonte de tensão Vin não seja uma fonte regulada, que forneça<br />
uma tensão de 21 V. Esta fonte está conectada a uma carga de resistência RL , para a<br />
qual desejamos aplicar uma tensão fixa de +15 V. Observe que o diodo zener escolhido<br />
tem tensão zener VZ = 15 V. O resistor R é colocado para limitar a corrente e o seu valor<br />
pode ser calculado para limitar a corrente em 20% da corrente máxima do zener<br />
(IZ max = 61 mA). Supondo que a corrente para alimentar a carga seja de 150 mA, então<br />
podemos calcular R à partir de:<br />
V = 21 V<br />
in<br />
+<br />
-<br />
Vin<br />
− VZ<br />
21−<br />
15<br />
= =<br />
−3<br />
−<br />
i + 0,<br />
2I<br />
150.<br />
10 + 0,<br />
2.<br />
61.<br />
10<br />
R 3<br />
L Z max<br />
R<br />
V Z<br />
i L<br />
= 37 Ω<br />
<strong>Dispositivos</strong> <strong>semicondutores</strong>: <strong>diodos</strong> 9<br />
R<br />
Diodo zener 1N4743<br />
VZ = 15 V, 1 W<br />
ZZ = 17 Ω a IZ = 17 mA<br />
IZ (máx) = 61 mA<br />
Fig. 16 Circuito regulador de tensão com diodo zener.<br />
Assim, o diodo zener 1N4743 limita a tensão entre os seus terminais em 15 V. A<br />
diferença para a tensão de alimentação de 21 V é dissipada sobre o resistor de 37 Ω,<br />
limitando a corrente no diodo zener em 12,2 mA (que corresponde a 20% de IZ máx).<br />
Se for necessário limitar uma tensão maior, pode-se colocar vários <strong>diodos</strong> zener<br />
em série, de forma que a tensão de regulação é a soma das tensões zener de cada um dos<br />
<strong>diodos</strong>.<br />
Diodo Varicap<br />
O diodo varicap é um tipo especial de diodo obtido através do controle das<br />
condições de fabricação da junção PN. Neste caso, a concentração de dopante na junção<br />
é gradual, isto é, a concentração de dopante aumenta de um lado da junção em relação<br />
ao outro, de modo que a capacitância da junção varia com a intensidade da tensão<br />
reversa. Todos os <strong>diodos</strong> de junção PN exibem esta característica, porém, no caso do<br />
varicap, este comportamento é mais pronunciado, como mostra a Fig. 17. Assim, um<br />
varicap é um capacitor controlado por tensão (VCC) e é utilizado em circuitos de<br />
sintonia de rádio-freqüência no lugar de capacitores variáveis de ar tipo borboleta.
Capacitância do diodo (pF)<br />
100<br />
10<br />
Diodo varicap<br />
Diodo normal<br />
1<br />
0,1 1 10 100<br />
Tensão reversa, V R (V)<br />
Fig. 17 Curvas de capacitância para um diodo normal e um diodo varicap.<br />
Diodo Túnel<br />
O diodo túnel é feito com uma concentração de impurezas acima do normal.<br />
Como resultado, a curva característica I-V é diferente daquela apresentada pelo diodo de<br />
junção PN de silício, como mostra a Fig. 18.<br />
Fig. 18 Curvas I-V para um diodo normal e um diodo túnel.<br />
<strong>Dispositivos</strong> <strong>semicondutores</strong>: <strong>diodos</strong> 10
O comportamento do diodo túnel é caracterizado pela presença de um pico (Ip e<br />
Vp) e de um vale (Iv e Vv) na curva I-V. A região entre Vp e Vv é chamada de região de<br />
resistência negativa porque a corrente diminui com o aumento da tensão. Na região<br />
além do vale, o diodo túnel comporta-se como um diodo normal. Se colocarmos o diodo<br />
para operar no ponto do meio do vale da curva I-V, ele funcionará como um oscilador<br />
de alta freqüência. O nome diodo túnel foi dado porque o fenômeno quântico de<br />
tunelamento de elétrons através da barreira da junção foi usado para explicar o seu<br />
funcionamento.<br />
A Fig. 19 mostra os símbolos eletrônicos de alguns <strong>diodos</strong> especiais, como o<br />
diodo Schottky, diodo varicap e diodo túnel.<br />
-<br />
Diodo Schottky Diodo Varicap Diodo Túnel<br />
Fig. 19 Símbolos para alguns <strong>diodos</strong> especiais.<br />
Tipos e especificação de <strong>diodos</strong> comerciais<br />
A Tabela 1 apresenta os principais tipos e especificações de <strong>diodos</strong> para<br />
aplicações eletrônicas. De maneira simples, os <strong>diodos</strong> para aplicações eletrônicas são<br />
divididos em três tipos básicos:<br />
• 1N4148 (<strong>diodos</strong> de pequeno sinal)<br />
• Família 1N5400 (<strong>diodos</strong> retificadores)<br />
• Família BZX61 (<strong>diodos</strong> Zener)<br />
TABELA 1 Tipos e aplicações de <strong>diodos</strong>.<br />
TIPO USO CORRENTE VR máx. (V)<br />
1N914 detector/alta velocidade 75 mA 75<br />
1N4148 detector/alta velocidade 200 mA 75<br />
BB119 varicap usado em CAF ------ ------<br />
BB809 varicap usado em VHF ------ ------<br />
1N4001 retificador 1 A 50<br />
1N4002 retificador 1 A 100<br />
1N4003 retificador 1 A 200<br />
1N4004 retificador 1 A 400<br />
1N4005 retificador 1 A 600<br />
1N4006 retificador 1 A 800<br />
1N4007 retificador 1 A 1000<br />
<strong>Dispositivos</strong> <strong>semicondutores</strong>: <strong>diodos</strong> 11<br />
+
Diodo emissor de luz (LED)<br />
A emissão de luz num dispositivo semicondutor ocorre por um processo diferente<br />
daquele que ocorre em lâmpadas incandescentes. Enqunato nesta, o processo de emissão<br />
de luz ocorre por aquecimento de um filamento, no semicondutor a emissão se baseia em<br />
processos quânticos de radiação denominado luminescência. A luminescência é a<br />
emissão de fótons que ocorre quando um átomo passa de um nível energético excitado<br />
para outro de menor energia. A excitação pode-se dar por absorção de luz<br />
(foto-luminescência), bombardeamento com feixe de elétrons (catodo-luminescência) e<br />
pela aplicação de campo ou corrente elétrica (eletro-luminescência). A<br />
foto-luminescência é o princípio de funcionamento dos lasers de estado sólido; a<br />
catodo-luminescência é a base de operação dos cinescópios de aparelhos de TV e a<br />
eletro-luminescência acontece nos <strong>diodos</strong> emissores de luz (LED – light emitting diode).<br />
O funcionamento do LED é baseado na eletro-luminescência causada pela injeção<br />
de portadores numa junção PN. Quando a junção PN é diretamente polarizada, as<br />
lacunas do semicondutor tipo P e os elétrons livres do semicondutor tipo N movem-se<br />
em sentidos opostos em relação à camada de depleção. As lacunas injetadas no lado N<br />
recombinam-se com os elétrons livres que chegam da camada de depleção, enquanto que<br />
os elétrons livres injetados no lado P recombinam-se com as lacunas vindas da camada<br />
de depleção. Assim, todos os portadores recombinam-se nas imediações da camada de<br />
depleção. Se o semicondutor tiver um gap de energia direto, a recombinação de cada par<br />
elétron-lacuna resulta na emissão de um fóton. Por não haver dissipação de energia, o<br />
processo de emissão de luz num diodo é extremamente eficiente.<br />
Os materiais utilizados na fabricação de LEDs são as ligas ternárias GaxAl1-xAs e<br />
GaAs1-xPx, além da liga GaAs.<br />
Os LEDs que operam no visível são muito utilizados para a confecção de painéis<br />
indicadores de equipamentos elétricos e eletrônicos e na fabricação de displays digitais<br />
constituídos de segmentos.<br />
Diodo laser<br />
(a) (b)<br />
Fig. 20 - (a) Fotodiodo e (b) diodo PIN (fotosensor de raios x)<br />
A radiação produzida por uma lâmpada incandescente ou por um LED é<br />
composta por fótons emitidos espontaneamente por átomos ou moléculas independentes.<br />
No processo de emissão espontânea, um sistema quântico passa de um nível energético<br />
<strong>Dispositivos</strong> <strong>semicondutores</strong>: <strong>diodos</strong> 12
para outro de menor energia devido a flutuações aleatórias. Conseqüentemente, a fase do<br />
campo resultante varia aleatoriamente no tempo e espaço, fazendo com que a radiação<br />
seja incoerente. Num laser, a radiação é produzida por amplificação estimulada da luz.<br />
Ela resulta das emissões de átomos e moléculas estimuladas por um campo<br />
eletromagnético. Neste processo, as fases dos campos dos fótons emitidos estão<br />
correlacionados e, em conseqüência, a radiação é coerente. Além disso, a radiação<br />
também é altamente monocromática, isto é, o seu espectro de freqüência é bastante<br />
estreito.<br />
Diodos de potência<br />
Estrutura do diodo laser (Halliday, 1993)<br />
Diodo laser (Halliday, 1993).<br />
Os <strong>diodos</strong> de potência apresentam além das duas camadas P e N, uma terceira<br />
camada (Fig. 21a). A camada N extra e intermediaria às duas convencionais é de baixa<br />
dopagem (N-) e sua função é aumentar a capacidade do componente quando aplicado<br />
em tensões elevadas. Essa camada acrescenta uma parcela resistiva ao diodo quando em<br />
<strong>Dispositivos</strong> <strong>semicondutores</strong>: <strong>diodos</strong> 13
condução. Além disso, a área da seção transversal das junções é maior do que a de um<br />
diodo normal, pois a corrente circulante também é maior e isso agrega urna parcela<br />
capacitiva ao diodo quando em bloqueio (Fig. 21b). Essas características são indesejáveis<br />
porque introduzem distorções na forma de onda da comutação de um diodo de potência,<br />
conforme mostra a Fig. 7. Entretanto, como o dispositivo é suficientemente robusto,<br />
essas características não deverão afetar o seu funcionamento. Mesmo assim, é<br />
recomendável utilizar-se algumas técnicas de filtragem e amortecimento dos transientes<br />
provocados pela comutação dos <strong>diodos</strong> de potência.<br />
(a) (b)<br />
Fig. 21 (a) Estrutura de um diodo de potência, (b) circuito equivalente de um diodo real.<br />
A resistência e a capacitância parasitas formadas em um diodo de potência<br />
podem gerar sobretensões no circuito, principalmente quando são chaveadas cargas<br />
indutivas. Os novos <strong>diodos</strong>, denominados “soft-recovery”, minimizam esses efeitos,<br />
sendo que sua resposta é da ordem de alguns μs. Apenas como comparação, os <strong>diodos</strong><br />
mais antigos apresentavam dezenas e até centenas de μs de atraso na comutação.<br />
Fig. 19 Formas de onda na comutação do diodo.<br />
<strong>Dispositivos</strong> <strong>semicondutores</strong>: <strong>diodos</strong> 14
Modelos comerciais de <strong>diodos</strong> de potência (Aegis)<br />
Recuperação Normal<br />
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<br />
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Recuperação rápida<br />
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<strong>Dispositivos</strong> <strong>semicondutores</strong>: <strong>diodos</strong> 15
Fig. 23 Diodo retificador de potência tipo rosca<br />
Fig.24 Diodo retificador de potência tipo disco<br />
<strong>Dispositivos</strong> <strong>semicondutores</strong>: <strong>diodos</strong> 16
Fig.25 Diodo retificador de potência tipo press fit<br />
Fig. 26 Pontes retificadoras compactas<br />
Fig. 27 Pontes retificadoras montadas com dissipadores<br />
<strong>Dispositivos</strong> <strong>semicondutores</strong>: <strong>diodos</strong> 17
Referências bibliográficas<br />
Fig. 28 Módulo de <strong>diodos</strong> de potência<br />
AEGIS Semicondutores Ltda. Disponível online http://www.aegis.com.br/produtos.htm<br />
BARANAUSKAS, V.Técnicas instrumentais de caracterização de <strong>semicondutores</strong>.<br />
Campinas: Editora da UNICAMP, 1989.<br />
DIEFENDERFER, A.J. Principles of electronic instrumentation. Philadelphia, PA:<br />
Sauders College Publishing, 1979.<br />
HALLIDAY, D., RESNICK, R., WALKER, J. Fundamentals of physics – Extended<br />
with modern physics. New York: John Wiley, 1993.<br />
MILLMAN, J. & HALKIAS, C.C. Electronic devices and circuits (International student<br />
edition). Tokyo: McGraw-Hill Kogakusha, 1967.<br />
SCHULER, C.A. Electronics principles and applications. New York: McGraw-Hill,<br />
1985.<br />
REZENDE, S.M. A física de materiais e dispositivos eletrônicos. Recife, PE: Editora<br />
Universitária da UFPE, 1996.<br />
<strong>Dispositivos</strong> <strong>semicondutores</strong>: <strong>diodos</strong> 18