M.Sc. thesis - Fei

controlado pela tensão de porta , e a corrente de dreno (IDS) é proporcional a
IDS ∝ W
L [(VGS −VT H) ·VDS −VDS 2 ]; (2.3)
c) Região de Saturação ou pinçamento (pinch-off ): Ocorre quando VGS > VT H e VDS > VGS −VT H.
Neste modo a corrente de dreno (IDS) depende somente da tensão de porta VGS. O OTA utiliza
os transistores configurados neste modo de operação. A corrente de dreno (IDS) neste modo é
proporcional a
IDS ∝ W
L (VGS −VT H) 2 . (2.4)
As características de corrente e tensão (I-V) de um NMOS são apresentadas na Figura 2.3. A
corrente de dreno(IDS) 2 relaciona-se com a tensão de porta (VGS) de forma linear no Modo Triodo
(Equação 2.3) e de forma quadrática no Modo de Saturação (Equação 2.4) (MISHRA; SINGH, 2008).
Figura 2.3: Curvas características I-V de um MOSFET de canal N.
Uma das características principais utilizadas para auxiliar no projeto de OTAs é a região de
inversão dos MOSFETs, através da curva gm/IDS x IDS/(W/L) ilustrada na Figura 2.4 (SILVEIRA;
FLANDRE; JESPERS, 1996). Para obter esta curva, os autores mencionam dois métodos. Analiti-
camente através de um modelo do transistor da tecnologia a ser utilizada, ou por medidas de um
transistor típico. Para realizar o trabalho de caracterização elétrica dos MOSFETs foram utilizados
os arquivos SPICE dos anexos A.4 e A.5.
2 A corrente de dreno-fonte (IDS) , considerando que a corrente de porta (Ig) é relativamente pequena, é igual à
corrente de dreno-fonte (IDS = Id + Ig)
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