i İÇİNDEKİLER Sayfa İÇİNDEKİLER ...

14
2.1.5.1.2. Besleme Gerilimi ve Gerilim seviyeleri : 4000 ve 74C serisi entegreler;
3-15 Volt arasındaki gerilimler ile, 74HC ve 74HCT serileri ise 2-6 volt arasındaki
gerilimler ile çalışırlar. CMOS ve TTL entegreler birlikte kullanıldığı zaman,
CMOS’un Vdd ve TTL’nin Vcc gerilimlerini aynı kaynaktan sağlamak için her iki
tip eleman +5V ile çalıştırılabilir.
CMOS elemanların yalnızca CMOS elemanları sürme durumunda çıkış gerilim
seviyesi; ‘0’ konumunda yaklaşık 0 V, ‘1’ konumunda ise + Vdd değerinde olur.
CMOS entegreler Vdd = +5 V ile çalıştırıldığı zaman, V IL(MAX) = 1.5V ve V IH(MIN) =
3.5 V olarak kabul edilir.
2.1.5.1.3. Gürültü Sınırları : CMOS entegrelerin DC gürültü bağışıklıkları; Vnmh
=Vnml =%30 Vdd olarak ifade edilir.Vdd=+5 V ise, her iki lojik durumundaki
gürültü sınırı 1.5V olarak bulunur. Bu değer TTL ve ECL’den daha iyidir ve bu
durum yüksek gürültü ortamındaki uygulamalarda CMOS’u üstün duruma geçirir.
2.1.5.1.4. Güç Harcaması : CMOS lojik devreler statik durumda iken (durum
değişmediği zaman) güç harcaması çok düşüktür. Vdd = +5 V olduğu zaman her bir
kapı için 2.5 Nw’lık bir güç harcaması, Vdd=+10 V durumunda ise 10 NW’lık bir
güç harcaması oluşur.
DC çalışmada düşük seviyede kalan CMOS entegrelerin güç tüketimi, anahtarlama
durumu söz konusu olduğu durumlarda yükselir. Örneğin; DC çalışmada 10mW olan
güç tüketimi;100KHZ’de Pd= 0.1 mW değerini alır. Bunun nedeni, çıkışa bağlı yük
nedeni ile oluşan kapasitenin üzerinden akan şarj akımıdır.
CMOS İnverter lerde statik ve dinamik güç olmak üzere iki tip güç harcaması vardır.
CMOS inverterlerdeki statik güç ihmal edilebilir.
Anahtarlama süresince, çıkış yük kapasitansı sırasıyla şarj ve deşarj olurken CMOS
inverter kaçınılmaz olarak güç harcar. Basit bir CMOS inverter devresi şekilde
görülmektedir. Burada giriş geriliminin dalga şekli ideal olarak kabul edilecek ve