i İÇİNDEKİLER Sayfa İÇİNDEKİLER ...

18
2.1.5.1.6. Anahtarlama Hızı : Her ne kadar CMOS büyük kapasitif yükleri sürmek
zorunda olsada ,düşük çıkış direnci (P-MOSFET’in 1 durumundaki Ron direnci ≤
1kΩ dur) yük kapasitansının hızlı şarj olmasını sağlar . Bu durum anahtarlama hızını
arttırır.
4000 serisi ‘VEDEĞİL’ kapısı;
VDD = +5 V’ta ortalama tpd =50 nsn,
VDD = 10V’ ta tpd =25nsn
yayılım gecikmesine sahiptir. Vdd nin artmasıyla tpd değerinin artmasının nedeni;
yüksek besleme geriliminde MOSFET’in R ON değerinin küçülmesidir. Bu durum,
yüksek hız gerektiren yerlerde V DD geriliminin mümkün olduğu kadar yüksek
tutulması gerektiğini ortaya çıkarsa da, V DD nin değerinin arttırılması(aynı devre
üzerinde V DD sabittir, buradaki artıştan kasıt V DD değeri daha yüksek bir devre
dizayn etmektir.) ile güç tüketiminin artacağı ortadadır.