i İÇİNDEKİLER Sayfa İÇİNDEKİLER ...

38
V
TNF
⎪⎧
⎡
+ ⎨ 2γ
⎪⎩
⎢⎣
⎧ ⎡
= −⎨2
γ
⎩
⎢⎣
SN
( 2φ
)
1
2
1
2
−V
⎤
+ γ
⎥⎦
⎤
⎥⎦
2
⎫
⎬ / 2
⎭
⎡
⎢⎣
2
2
( 2φ
) − 2V
+ γ SN + 4 2γ
V ( 2φ
) + γ V −V
TN / 2
FN
SN
FN
TN
TN
SN
SN
TN
FN
1
2
SN
DD
⎤⎪⎫
⎬ ⎥⎦ ⎪⎭
1
2
(6a)
V
TN
V BINN
1
SN
( 2φ
FN
)2
≡ + γ
…..(6b)
Genellikle lineer hale getirme işlemi, hesaplama hatalarını en aza indirmektedir.
Lineerleştirme için en ideal durum, MOSFET in lineer bölgesinin merkez noktasıdır.
Bu yüzden lineer nokta V = 3V
/ 4 olarak seçilebilmektedir. Böylece zaman t=t e
20 DD
şu şekilde ifade edilebilmektedir;
e
dr
( ln 4) Pr
t = T + /
.....(7)
2
2
Benzer teknik kullanılarak eşitlik 1 ve 2 deki V 20 , V
16
, V
20
ve V 22 gerilimleri
lineer hale getirilebilmektedir. Sonuç olarak I dP1 ve I dN1
edilebilmektedir;
şu şekilde ifade
I dP 1
α1V20
= ………..(8)
I dN 1
α
2V20
−α
3V22
= ………. (9)
α
1, α
2
ve α
3
iletkenlik faktörleri çizelge 2 de verilmiştir. α
1
denkleminde verilen
Pf t dr
farklı durumlar için neredeyse sabit değere sahiptir. Bu yüzden 0.7 olarak ifade
edilmektedir.
Lineer hale getirilmiş kapasitans ve akımların, baskın kutup P D baskın sıfır Z D
değerleri analitik olarak şu şekilde ifade edilebilmektedir.
[ C / α α C / α ]/
2
1/
P D
= C1 / α1
+
2 3
+
2 2 1α
3
………(10)
[ α ( C )]
1/
Z D
= C2C4
/ 2
3 3C4
………(11)
Baskın kutup-Baskın sıfır ( DPDZ ) metoduna göre (WU, C.Y., 1985 ), etkin
karakteristik yükselen kutup P r değeri de şu şekilde ifade edilebilmektedir;
1/
P = 1/ P −1/
Z
………(12)
r
D
D