More documents

Recommendations

Info

M. A. Odit, I. B. Vendik, O. G. Vendik METAMATERIAL BASED ON COUPLED DIELECTRIC RESONATORS A model of metamaterial based on spherical cubic structure is considered. The structure exhibits properties of material with negative effective permittivity and permeability. Experimental results are presented. New model with closely positioned spherical dielectric resonators was introduced. The magnetic dipole is provided by Mie resonance in a spherical particle and electric dipole is provided by a mutual interaction between resonators. Modelling of 2D structure shows backward wave existence in a medium being considered. Metamaterial, negative effective permittivity and permeability, isotropy, coupling dielectric resonators 12
ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА И ЭЛЕКТРОНИКА УДК 621.382.2.23 АВТОЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ АРСЕНИДА ИНДИЯ ДЛЯ ИК ФПУ Д. М. Грама, А. С. Петров, С. Д. Попов, Р. М. Степанов, Е. В. Чилаева Автоэпитаксиальные слои InAs выращивались методом газофазной эпитаксии в хлоридно-гидридной системе на подложках диаметром 76 мм, ориентированных в плоскости (111)А. Исследование выращенных слоев показало, что при изменении температуры процесса изменяется механизм эпитаксиального роста InAs. На чистоту выращиваемого слоя в первую очередь влияет чистота исходных материалов и отношение молярной доли индия к молярной доле мышьяка в газовой фазе. Слои, выращенные в оптимальных условиях, характеризуются концентрацией носителей заряда (1.5…3.0)10 15 см –3 при подвижности (0.8…1.2)10 5 см 2 /(В · с) при 77 К. Газофазная эпитаксия, кинетические ограничения, термодинамические ограничения, концентрация и подвижность основных носителей заряда, поверхностная плотность дефектов, механическая и химико-механическая полировка Эпитаксиальный арсенид индия (InAs) находит широкое применение в полупроводниковой оптоэлектронике. На основе структур InAs ведутся разработки вакуумных и твердотельных фотоприемных устройств (ФПУ), чувствительных в инфракрасном (ИК) диапазоне [1]. При этом к структурам предъявляется ряд весьма жестких требований по чистоте материала и его структурному совершенству. Прежде всего структуры должны характеризоваться низким содержанием остаточных примесей, отсутствием структурных дефектов на поверхности слоя большой площади (до 45 см 2 ). В настоящей статье рассмотрены вопросы влияния условий получения эпитаксиального InAs на электрофизические и структурные характеристики, определяющие его пригодность в качестве основы ИК ФПУ. Исследована возможность снижения плотности дефектов на поверхности структур путем их полировки. Методика получения и исследования слоев арсенида индия. Автоэпитаксиальные слои арсенида индия выращивались методом эпитаксии из газовой фазы по хлоридногидридной методике. Выращивание производилось на модернизированной промышленной установке ЭТР-100 с вертикальным реактором открытого типа при атмосферном давлении в потоке водорода. Используемая система финишной очистки водорода обеспечивала уровень 13
Page 1 and 2: 7’2008 Известия СПбГ
Page 3 and 4: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА И
Page 5 and 6: Тогда k E( z, t) = exE e ,
Page 7 and 8: (f 2 = 16.8 ГГц) выражен
Page 9 and 10: сферических резона
Page 11: новная мода, формир
Page 15 and 16: v 3 1 р , мкм/мин 0.12 0.10
Page 17 and 18: 0 100 мкм 0 100 мкм а Рис
Page 19 and 20: ИНФОРМАТИКА, УПРАВ
Page 21 and 22: Сеть собирается из
Page 23 and 24: шей степени паралл
Page 25 and 26: АВТОМАТИЗАЦИЯ И УП
Page 27 and 28: Таблица 1 Таблица 2
Page 29 and 30: Обстоятельство Про
Page 31 and 32: • S(l, h, tree (...), R lh ) ра
Page 33 and 34: Рассмотрим пример
Page 35 and 36: ЭЛЕКТРОТЕХНИКА УДК
Page 37 and 38: Получить простые р
Page 39 and 40: Заводом-изготовите
Page 41 and 42: В качестве регулят
Page 43 and 44: сопротивлениями R f
Page 45 and 46: функции L s1 (f) на выс
Page 47 and 48: Токи в роторе по ос
Page 49 and 50: ток, n - частота вращ
Page 51 and 52: Таблица 2 Влияние п
Page 53 and 54: ПРИБОРОСТРОЕНИЕ И
Page 55 and 56: технику доставки и
Page 57 and 58: Излучение лазера п
Page 59 and 60: УДК 681.883.67.001.24 С. И. К
Page 61 and 62: биться довольно су
Page 63 and 64:
БИОТЕХНИЧЕСКИЕ СИС
Page 65 and 66:
P P 1 Рис. 2 1 3 2 4 5 Рис. 3
Page 67 and 68:
СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛ
Page 69 and 70:
Поддерево «Получен
Page 71 and 72:
нову предметной он
Page 73 and 74:
ЭКОНОМИКА И МЕНЕДЖ
Page 75 and 76:
Следует отметить, ч
Page 77 and 78:
Но вернемся к отече
Page 79 and 80:
УДК 658.562:65.012.226 ПРОЦ
Page 81 and 82:
доставляемых услуг
Page 83 and 84:
гулирования качест
Page 86 and 87:
Деятельность и про
Page 88 and 89:
ИСТОРИЯ НАУКИ, ОБРА
Page 90 and 91:
общества Русских э
Page 92 and 93:
«Telefunken», позже их с
Page 94 and 95:
ГУМАНИТАРНЫЕ НАУКИ
Page 96 and 97:
шесть раз больше, ч
Page 98 and 99:
к внедрению, внедря
show all

2008(â7) - Ð¡Ð°Ð½ÐºÑ-ÐÐµÑÐµÑÐ±ÑÑÐ³ÑÐºÐ¸Ð¹ Ð³Ð¾ÑÑÐ´Ð°ÑÑÑÐ²ÐµÐ½Ð½ÑÐ¹ ...

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?

2008(â7) - Ð¡Ð°Ð½ÐºÑ-ÐÐµÑÐµÑÐ±ÑÑÐ³ÑÐºÐ¸Ð¹ Ð³Ð¾ÑÑÐ´Ð°ÑÑÑÐ²ÐµÐ½Ð½ÑÐ¹ ...