Elektronika 2012-08 I.pdf - Instytut Systemów Elektronicznych

Streszczenia artykułów ● Summaries of the articlesBORECKI J., SERZYSKO T.: Zastosowanie past lutowniczych o zróżnicowanejtemperaturze topnienia w wieloetapowym procesie montażuelektronicznegoElektronika (LIII), nr 8/2012, s. 82W powierzchniowym montażu elektronicznym coraz częściej pojawia siękonieczność montowania zarówno małych, jak i dużych elementów elektronicznychpo obydwu stronach płytki obwodu drukowanego. W standardowymprocesie montażu, konieczność zamontowania cięższych elementów napierwszej stronie montażowej płytki wymaga klejenia ich do powierzchni płytkicelem uniemożliwienia odpadania elementów podczas montażu drugiej stronypłytki. Operacji klejenia elementów można uniknąć poprzez zastosowaniena drugiej stronie montażowej płytki pasty lutowniczej o niższej temperaturzetopnienia w porównaniu do pasty zastosowanej przy montażu pierwszej strony.Jednakże połączenia lutowane wykonane pastami lutowniczymi o różnejtemperaturze topnienia mogą charakteryzować się innymi właściwościami.W artykule przedstawiono ocenę jakości połączeń lutowanych wykonanychz zastosowaniem past lutowniczych o różnej temperaturze topnienia.Oceny jakości połączeń dokonywano miedzy innymi poprzez inspekcjęoptyczną, analizę rentgenowską, obserwacje mikroskopowe zgładów metalograficznych,oraz pomiary wytrzymałości mechanicznej.Słowa kluczowe: technologia montażu powierzchniowego (SMT), pastalutownicza, jakość połączenia lutowanego, analiza rentgenowska, wytrzymałośćmechaniczna, narażenia klimatyczneBORECKI J., SERZYSKO T.: Applying of solder pastes with differentmelting point in multi-step electronic assembly processElektronika (LIII), no 8/2012, p. 82In the Surface Mount Technology (SMT) there is more and more often neededto assembly both large and small electronic components on both sidesof the Printed Circuit Board (PCB). In a standard process, the assembly oflarge electronic elements on the first mounting side requires bonding themto the surface of PCB. It is made to prevent falling off them during assemblyof second side of PCB. Bonding operation can be avoided by usingin second step of assembly process the solder paste with lower meltingpoint than in first. However, the solder joints made ​with use different solderpastes can have different properties.This paper presents an evaluation of the quality of solder joints made ​using solder pastes with different melting point. The solder joints qualitywas evaluated inter alia through microscopic observations, X-ray analysis,microscopic observations of metallographic cross-sections, and alsothrough measurements of mechanical durability.Keywords: Surface Mount Technology (SMT), solder paste, quality of solderjoint, X-ray analysis, mechanical durability, climatic testsLIPIEC K.: Technologia integracji elementów pasywnych z płytkądrukowaną z wykorzystaniem cienkowarstwowych materiałów wielofunkcyjnychElektronika (LIII), nr 8/2012, s. 88W artykule przedstawiono bardzo ciekawy sposób zastąpienia tradycyjnejtechnologii wykonywania i montażu powierzchniowego kondensatorówi rezystorów. Wykorzystano do tego celu nowy materiał FaradFlex/Omega,z którego można wykonywać zarówno kondensatory, jak i rezystorywbudowane wewnątrz płytki drukowanej. Pozwala to na większą swobodęw rozmieszczaniu pozostałych podzespołów na zewnętrznych warstwachpłytki drukowanej.Słowa kluczowe: rezystory cienkowarstwowe z folii NiP, kondensatoryLIPIEC K.: Integration technology of passive elements with a printedplate using thin-film multifunctional materialsElektronika (LIII), no 8/2012, p. 88This article presents a very interesting way of replacing a traditional implementationtechnology and surface mounting of capacitors and resistors.New material FaradFlex/Omega is used here. Both capacitors and resistorsbuilt inside the printed plate can be made of this material. This allowsfor greater flexibility in the deployment of other components on the outsidelayers of a printed plate.Keywords: thin-layered resistors from NiP foil, capacitorsLISOWIEC A.: Układy przetwarzania sygnałów wyjściowych przetwornikówbezrdzeniowych o małym poziomie szumów własnychElektronika (LIII), nr 8/2012, s. 91W artykule przedstawiono analizę szumową wzmacniacza sygnału wyjściowegoprądowego przetwornika bezrdzeniowego działającego na zasadziecewki Rogowskiego. Dynamika pomiaru prądu możliwa do osiągnięciaza pomocą przetwornika narzuca zastosowanie wzmacniacza o kilkurównoległych torach wzmocnienia. Analizę szumową przeprowadzono dlawzmacniacza składającego się z wejściowego wzmacniacza różnicowegooraz dołączonych równolegle do jego wyjścia kilku wzmacniaczy odwracających.Przeprowadzono również analizę szumową wzmacniacza zawierającegona wejściu dwa równolegle połączone wzmacniacze różnicowe.Taka konfiguracja umożliwia kilkukrotne zmniejszenie poziomu ekwiwalentnegowejściowego źródła szumów wzmacniacza.Słowa kluczowe: przetwornik prądowy, analiza szumowa, wzmacniaczróżnicowyLISOWIEC A.: Air core transducer signal conversion circuits with lownoise levelElektronika (LIII), no 8/2012, p. 91In the paper a noise analysis of an amplifier of the output signal of an aircore current transducer based on Rogowski coil principle has been presented.To make the full use of the dynamics of current measurement thatcan be obtained with the transducer it is necessary to apply an amplifierwith parallel amplification paths. The noise analysis has been carried outfor an amplifier with input differential amplifier followed by several inversionamplifiers connected in parallel to its output. The noise analysis hasalso been carried out for an amplifier configuration where two differentialamplifiers are connected in parallel to the transducer output. Such configurationenables to lower over two times the equivalent noise voltage noisesource connected in series with the amplifier input.Keywords: current transducer, noise analysis, differential amplifierDIDUSZKO R., RYMARCZYK J., CZERWOSZ E., KOZŁOWSKI M.,DANILA M.: Badania in- situ zmian struktury nanokrystalitów Pd zachodzącychpod wpływem wodoruElektronika (LIII), nr 8/2012, s. 94W artykule przedstawiono wyniki badań XRD (X-ray Diffraction) warstwC-Pd prowadzonych przy wykorzystaniu geometrii układu GIXD (Grazing-Incidence X-ray Diffraction – ślizgowa geometria promieniowania padającego)w specjalnej komórce pomiarowej umożliwiającej pomiary in situw mieszaninie przepływających gazów N 2/H 2.Warstwy C-Pd otrzymano metodą PVD – fizycznego odparowywaniaw próżni fullerenu C 60i octanu palladu. W celu zwiększenia oraz zróżnicowaniaśrednic nanoziaren Pd, warstwy wygrzewano w argonie w temperaturze650°C. Warstwy C-Pd charakteryzowano metodami elektronowejmikroskopii skaningowej (SEM) oraz GIXD. Badania SEM pokazały topografięi morfologię warstw, w szczególności rozkład i wielkość ziarenPd. Dzięki badaniom GIXD zaobserwowano zmiany struktury nanoziarenpalladu pod wpływem wodoru występującego w mieszaninie gazowej. Zewzrostem koncentracji wodoru zaobserwowano tworzenie się roztworustałego wodoru w palladzie i następnie wodorku palladu.Słowa kluczowe: pallad, wodór, XRD, SEMDIDUSZKO R., RYMARCZYK J., CZERWOSZ E., KOZŁOWSKI M.,DANILA M.: The study in-situ structure changes of Pd nanocrystalsunder the influence of hydrogenElektronika (LIII), no 8/2012, p. 94In this article we show the results of XRD (X-ray Diffraction) investigationsof C-Pd films performed using the geometry of the GIXD (Grazing-IncidenceX-ray Diffraction) in a special measuring cell allowing in situ measurementsin a mixed flowing gas N 2/H 2.C-Pd films were prepared by PVD method i.e. – Physical Vapor Depositionof fulleren C 60and palladium acetate. These films were annealed at 650°C inargon atmosphere to increase and to diversity of Pd nanograins diameters.C-Pd films were characterized using Scanning Electron Microscopy (SEM)and by GIXD. SEM studies showed the C-Pd films’ topography and morphologyin particular Pd nanograins size and their distribution. The structuralchanges in palladium nanograins under the influence of hydrogen were observedin situ GIXD measurements at gas mixture N 2/H 2. With the increaseof hydrogen concentration in the mixture gas the formation of solid hydrogensolution in palladium and then palladium hydride were observed.Keywords: palladium, hydrogen, XRD, SEMElektronika 8/2012