Володимир Білинський-Слотило

Єлена КурекНаукові керівники – проф. Раранський М.Д.доц. Олійнич-Лисюк А.В.Пружні та непружні характеристики діамагнітного Вепри прямому та зворотному магніто-пластичномуефектахУ даній роботі досліджували особливості пружних танепружних характеристик діамагнітного берилієвого конденсатупри прямому та зворотному магніто-пластичних ефектах (ПМПЕі ЗМПЕ, відповідно) під час дії постійного магнітного поля (МП)та в процесі магнітної післядії з метою виявлення можливоїприроди ПМПЕ і ЗМПЕ в цьому матеріалі.Вимірювання низькочастотного внутрішнього тертя (НЧВТ) тамодуля зсуву ( G ef ) проводили на напівавтоматичномувакуумному релаксометрі у вакуумі 10 -3 Па в інтервалі температур 20–300 о С і відносних деформаціях кручення γ ~ 1 − 3 ⋅10. ПостійнеМП з індукцією В ~ 0,005-0,04 Тл створювали за допомогоюсоленоїда на струмах насичення. Відносна похибка привимірюванні ВТ не перевищувала 1 – 2 %, а ефективного модулязсуву – 0,1 %.Коротко результати досліджень можна звести до наступного:а) після термомеханічної обробки (ТМО) в інтервалі 20 – 110 о Сзафіксували розм’якшення ефективного модуля зсуву (на 0,26% уМП індукцією В = 0,03 Тл), яке супроводжувалося відповіднимзбільшенням рівня ВТ, – так званий прямий магніто-пластичнийефект [1, 46, с. 769]. При цьому спостерігали прямий гістерезискривих G (γ ): зменшення ступеня деформації призводило доefдодаткового зменшення міцності мат еріалу ще на 0,19%. Післявиключення МП початкові значення G і гістерезис кривих G ( γ )повністю відновлювались – ПМПЕ в берилієвому конденсаті маєкороткочасний характер;б) виявили зворотний (від’ємний) магніто-пластичний ефектпісля ТМО в інтервалі 20 – 80 о С, який супроводжувавсянезначною зміноюG при дослідженні в МП in situ, та значнимefef−4efзменшенням (в декілька разів) рів ня поглинання пружної енергіїв процесі магнітної післядії;в) зафіксували аномальну поведінку G ef і ВТ в процесі одночасної діїмагнітного і механічного полів;г) оцінили зміну швидкості руху дислокаційних сегментів піддією МП in situ (див. рис.1) і після експозиції в магнітному полічерез сотні годин як при прямому, так і при зворотному МПЕ вВе.v mp64200,00010 0,00015 0,00020 0,00025/v 0γРис.1. Амплітудна залежність v mp /v 0 в МТК Ве в області ЗМПЕ.Природу як прямого, так і зворотного МПЕ пояснювали врамках концепції спін-залежнихелектронних переходів узовнішньому МП. У даний час вважається, що МП породжуєзміну спінового стану в системі «дислокація – парамагнітнийцентр». У йонних кристалах [2, 88, c.500] такими центрами єдомішкові дефекти або електрони, що локалізовані надислокаціях. Такий ефект завершується зняттям спіновоїзаборони на визначений електронний перехід, який змінюєконфігурацію системи, що й призводить до відкріпленнядислокацій від точкового дефекта.Список літератури:1. Головин Ю.И. Магнитопластичность твердых т ел // ФТТ . 2004. Т. 46. В. 5. С.769.2. Альшиц В.И., Даринская Е.В., Колдаева М. В., Петр жик Е.А.Электростимуляция магнитопластичности и магнитоупрочнения вкристаллах // Письма в ЖЭТФ. 2008. Т. 88. В. 7. С. 500.