Володимир Білинський-Слотило

Максим ПалагнюкНауковий керівник – проф. Сльотов М.М.Вплив Ca на властивості CdTeТелурид кадмію є важливим матеріалом сучасноїоптоелектроніки. Великою перевагою даної речовини порівняно зіншими II-VI сполуками є можливість отримувати n- та p-типипровідності. Це зумовлює можливість виготовлення на йогооснові низки випромінюючих та фоточутливих структурх [1]. Дляїх отримання кристали зазвичай легують різного типу донорнимиабо (та) акцепторними домішками. Натомість функціональнівластивості CdTe можна значно розширити шляхом введеннямало використовуваних ізовалентних домішок. Тому актуальнимпостає дослідження впливу даного типу домішок на властивостібазової речовини.Досліджувався вплив ізовалентної домішки Ca на властивостіCdTe. Вихідні монокристали отримувалися методом Бріджмена.Вони характеризуються n-типом провідності і питомимелектричним опором ~100 Ом·см. Легування вихідного матеріалуздійснювалося спеціальною термообробкою у розчині Ca(NO 3 ) 2Досліджувалося оптичне відбивання з використанням методуλ−модуляції. Це дозволяє при використанні стандартноїметодики вимірювань суттєво підвищити чутливість до різноготипу особливостей енергетичної структури легованого матеріалу.Вимірювання проводилися на універсальній оптичній установці,яка складається з дифракційного монохроматора МДР-23,фотоприймача ФЕП-112, галогенної лампи з неперервниммонотонним спектром випромінювання та системи синхронногодетектування. Графіки записувалися на самописці КСП-4, аспектри відбивання будувалися з урахуванням апаратної функціїустановки в координатах: R' ω від їх енергії квантів опромінюванняhω.Легування ізовалентною домішкою Ca зумовлює зміну n-типупровідності на p-тип, про що свідчать вимірювання методомтермозонда. Одним з підтверджень інверсії типу провідності єомічність мідних контактів, хімічно осаджених на поверхнюлегованого зразка. Дослідження вольт-амперної характеристикивиявили лінійний характер залежності у широкому інтервалізначе нь та симетричність прямої та оберненої віток. Проведенівідповідні обчислення за експериментальними даними дозволиливизна чити величину питомо го опору, яка станови ть ~2,24кОм·см. Отриманняp-типу провідностіпояснюєтьсяперебудовою ансамблю власних і домішкових дефектів. Цеспостерігається, зокре ма, у спектрах оптичного в ідбивання. НаR'диференціальн их кривихω в.о.спостерігаєтьсяΔ0S0 особливість п ри hω≈1,5 еВ,1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 ћω, еВ що відповідає ширинізабороненої зони CdTe. Це-5E cсвідчит ь про те, що невідбувається утворення-10Δ S0іншої хіміч ної сполуки.EEgv1Особливість п ри hω≈2,35E E v2еВ вказуєна оптичніv3переходи росіїв заряду заучастю валентної підзони,відщепленої внаслідок спін-орбітальної взаємодії Δ SO у кубічномуCdTe. У діапазоні енергій фотонів hω< E g оптичні процесиспостерігаються особливості при hω 1,452 еВ, 1,279 еВ. 1,21 еВ.Вони визначаються оптичними переходами при поглинанні заучастю ВТД і домішкових центрів [2]. Дослідження температурноїзалежності електропровідності дозволили визначити енергіїактивації відповідних енергетичних центрів, яка добре корелює зрезультатами досліджень оптичного відбивання R' ω .Список літератури:2. Корбутяк Д. В., Мельничук С. В, Корбут Є.В, Борисик М.М. Телуридкадмію: домішково-девектні стани та детекторні властивості. – Київ:Видавництво Іван Федорів. – 2000. – 198с.3. Панков Ж. Оптические процессы в полуровыодниках. – Москва:Мир. – 1973. – 456с.