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Lokale Verformungsmessung an partikelverstärktem Aluminium

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Diplomarbeit<br />

<strong>Lokale</strong> <strong>Verformungsmessung</strong> <strong>an</strong><br />

<strong>partikelverstärktem</strong> <strong>Aluminium</strong><br />

Thomas Dick<br />

Institut für Metallphysik der Mont<strong>an</strong>universität Leoben<br />

- 1 -


Institut für Metallphysik der Mont<strong>an</strong>universität Leoben<br />

Aufgabenstellung<br />

Vorerst sollen Methoden zur Herstellung geeigneter Oberflächendekorationen<br />

für stereophotogrammetrische <strong>Verformungsmessung</strong>en und EBSD- Messungen<br />

<strong>an</strong> partikelverstärkten <strong>Aluminium</strong>legierungen entwickelt werden. D<strong>an</strong>n sollen <strong>an</strong><br />

zwei teilchenverstärkten <strong>Aluminium</strong>legierungen in in-situ Zugversuchen lokale<br />

Dehnungen auf unterschiedlichen Größenskalen ermittelt werden.<br />

Leoben, im Februar 2001 Univ.Doz. Dipl. Ing. Dr. mont. Reinhard Pipp<strong>an</strong><br />

- 2 -


D<strong>an</strong>ksagung<br />

Diese Arbeit wurde im Zeitraum von Februar bis November 2001 am Institut für<br />

Metallphysik der Mont<strong>an</strong>universität Leoben <strong>an</strong>gefertigt.<br />

Besonders möchte ich Univ. Doz. Dr. mont. Reinhard Pipp<strong>an</strong> für die Vergabe<br />

und ausgezeichnete Betreuung und Univ. Doz. Dr. mont. Otmar Kolednik für<br />

die Unterstützung bei der Durchführung meiner Diplomarbeit d<strong>an</strong>ken.<br />

D<strong>an</strong>ken möchte ich auch den Herren Dipl. Ing. Christi<strong>an</strong> Motz und Dipl. Ing.<br />

Thomas Hebesberger für die Hilfe und die Be<strong>an</strong>twortung vieler Fragen bei der<br />

Durchführung der in-situ Zugversuche und EBSD- Messungen.<br />

Zu D<strong>an</strong>k verpflichtet bin ich auch den Damen in der Metallographie, Edeltraud<br />

Haberz und Gabi Moser für die Probenpräparation, sowie dem Werkstättenteam<br />

für die Probenherstellung. Außerdem d<strong>an</strong>ke ich Herwig Felber für seine Hilfe <strong>an</strong><br />

der Ionenätz<strong>an</strong>lage, Gerald Reiter für die Hilfe bei der<br />

Rasterelektronenmikroskopie und die Lösung diverser Computerprobleme sowie<br />

Herrn Schütz für die Hilfe bei der Wärmebeh<strong>an</strong>dlung der Proben.<br />

Auch bei den <strong>an</strong>deren Instituts-Angehörigen möchte ich mich für die freundliche<br />

Aufnahme und für eine Zeit, die mir immer in <strong>an</strong>genehmer Erinnerung bleiben<br />

wird, bed<strong>an</strong>ken.<br />

Leoben, im November 2001 Thomas Dick<br />

- 3 -


Inhaltsverzeichnis<br />

1 Einleitung ...................................................................................................... 6<br />

1.1 ALLGEMEINES ÜBER MMCS........................................................................................6<br />

1.2 HERSTELLUNG VON PARTIKELVERSTÄRKTEN ALUMINIUMLEGIERUNGEN....................6<br />

1.3 MECHANISCHE EIGENSCHAFTEN PARTIKELVERSTÄRKTER MMCS ..............................7<br />

1.4 VERFORMUNGSVERHALTEN VON TEILCHENVERSTÄRKTEN MMCS..............................8<br />

1.5 VERWENDETE MMCS..................................................................................................8<br />

2 Versuchsdurchführung................................................................................ 9<br />

2.1 PROBENPRÄPARATION .................................................................................................9<br />

2.1.1 Material AA6061+10%SiC (Partikelgröße 100µm) ........................................10<br />

2.1.2 Material AA6061+10%SiC (Partikelgröße 10µm) ..........................................11<br />

2.2 BELASTUNGSEINRICHTUNG UND IN-SITU ZUGVERSUCHE...........................................14<br />

3 Versuchsauswertung.................................................................................. 16<br />

4 Ergebnisse ................................................................................................... 19<br />

4.1 MATERIAL AA6061+10%SIC (PARTIKELGRÖßE 100µM)..........................................19<br />

4.2 MATERIAL AA6061+10%SIC (PARTIKELGRÖßE 10µM)............................................26<br />

5 Diskussion ................................................................................................... 29<br />

6 Zusammenfassung...................................................................................... 36<br />

7 Literaturnachweis ...................................................................................... 37<br />

A Probenherstellung, Wärmebeh<strong>an</strong>dlung und Präparation ..................... 39<br />

A.1 PRÄPARIERUNGSZIEL.................................................................................................39<br />

A.2 PROBENPRÄPARIERUNG – VORGEHENSWEISE............................................................39<br />

A.2.1 Probenfertigung................................................................................................40<br />

A.2.2 Wärmebeh<strong>an</strong>dlung............................................................................................40<br />

A.2.3 Schleifen............................................................................................................40<br />

A.2.4 Polieren ............................................................................................................40<br />

A.2.4.1 Polierautomat „Phoenix 4000“ .....................................................................40<br />

A.2.4.2 Polierautomat „Minimet Polisher“ ...............................................................41<br />

A.2.4.3 Elektrolytisches Polieren ..............................................................................42<br />

A.2.5 Kontrastieren....................................................................................................44<br />

A.2.5.1 Chemisches Ätzen ........................................................................................44<br />

A.2.5.2 Goldaufsputtern und thermisch beh<strong>an</strong>deln ...................................................45<br />

A.2.5.3 Thermisches Ätzen .......................................................................................45<br />

A.2.5.4 Ionenätzen.....................................................................................................47<br />

A.2.5.5 Thermisches Ätzen und Ionenätzen..............................................................50<br />

A.2.5.6 Diam<strong>an</strong>tsuspension auftragen und trocknen.................................................50<br />

A.3 PROBENPRÄPARIERUNG – ERGEBNISSE......................................................................52<br />

B Vorversuche zur Automatischen <strong>Verformungsmessung</strong>........................ 54<br />

B.1 BILDAUFNAHME ........................................................................................................54<br />

B.2 MATCHER ..................................................................................................................57<br />

- 4 -


B.3 AUSWERTUNG DER VERSCHIEBUNGSDATEN UND DARSTELLUNG VON<br />

VERFORMUNGSKARTEN.........................................................................................................62<br />

C Vorversuche zur EBSD- Technik ............................................................. 63<br />

C.1 VERWENDETE GERÄTE ..............................................................................................63<br />

C.2 VORVERSUCHE ..........................................................................................................63<br />

C.2.1 Elektrolytisch polierte Probe............................................................................64<br />

C.2.2 Elektrolytisch polierte und ionengeätzte Probe................................................65<br />

C.2.3 „Minimet“- polierte und thermisch geätzte Probe...........................................65<br />

C.2.4 „Minimet“- polierte, thermisch geätzte und ionengeätzte Probe.....................66<br />

C.2.5 „Minimet“- polierte, chemisch geätzte Probe..................................................66<br />

D In-situ Zugversuche zur lokalen <strong>Verformungsmessung</strong> ........................ 69<br />

D.1 A6061 + 10%SIC, PARTIKELGRÖßE 10µM, CHEMISCH GEÄTZT..................................69<br />

D.2 A6061 + 10%SIC, PARTIKELGRÖßE 10µM, IONENGEÄTZT .........................................84<br />

D.3 A6061 + 10%SIC, PARTIKELGRÖßE 10µM, KONTRASTIERT MIT DIAMANTSUSPENSION<br />

103<br />

D.4 A6061 + 10%SIC, PARTIKELGRÖßE 100µM, CHEMISCH GEÄTZT..............................116<br />

D.4.1 Bilder mit Pixel Size 0,671µm ........................................................................116<br />

D.4.2 Bilder mit Pixel Size 0,168µm ........................................................................132<br />

- 5 -


1 Einleitung<br />

1.1 Allgemeines über MMCs<br />

Die Metall-Matrix Verbundwerkstoffe sind seit gut drei Jahrzehnten Gegenst<strong>an</strong>d sowohl der<br />

wissenschaftlichen Forschung als auch <strong>an</strong>wendungsorientierter Untersuchungen. Der Einsatz<br />

dieser Werkstoffgruppe in der Praxis erfolgte aber erst in den letzten Jahren. Heute werden<br />

Komponenten aus Metall-Matrix Verbundwerkstoffen in der Automobil- und<br />

Sportartikelindustrie eingesetzt [1, 2, 3, 4, 5]. Auch für den Einsatz in <strong>an</strong>deren<br />

Anwendungsbereichen, wie z.B. der Luft und Raumfahrt und der Elektronik, wird die<br />

Anwendbarkeit dieser Werkstoffgruppe untersucht. Gleichzeitig werden weltweit die<br />

Forschungsaktivitäten deutlich verstärkt, um ein tieferes Verständnis für die Grundlagen zu<br />

gewinnen, die notwendig sind, um die Metall-Matrix Verbundwerkstoffe auf breiterer Basis<br />

einsetzen zu können.<br />

Ein wesentliches Hindernis für die breitere Anwendung der Metall-Matrix Verbundwerkstoffe<br />

ist ihr Preis, der wesentlich von der Art der eingesetzten Verstärkung abhängt. Durch<br />

diskontinuierliche Verstärkung, etwa mit Whiskers oder Partikeln, k<strong>an</strong>n zwar das Potenzial<br />

der Verbundwerkstoffe nicht im vollen Maße ausgeschöpft werden wie durch Verstärkung mit<br />

Fasern, dafür bietet sich aber der wesentliche Vorteil von um Zehnerpotenzen geringeren<br />

Kosten [7]. Der relativ günstige Preis der diskontinuierlich verstärkten Metall-Matrix<br />

Verbundwerkstoffe resultiert aus den geringeren Kosten der Verstärkung und der<br />

Anwendbarkeit konventioneller Herstellungsmethoden.<br />

Weil sie nur wenige Gitterdefekte aufweisen, können Whiskers extreme mech<strong>an</strong>ische<br />

Eigenschaften aufweisen. Keramische Whiskers, aus Al2O3 und SiC sind seit 1965<br />

kommerziell erhältlich. In den späten 70er Jahren erreichten Herstellungsverfahren für SiC-<br />

Whiskers eine technische Reife, die sie zur Herstellung potenziell billiger <strong>Aluminium</strong>-Matrix<br />

Verbunde interess<strong>an</strong>t machten [8]. Whisker- verstärktes <strong>Aluminium</strong> weist im Allgemeinen<br />

bessere mech<strong>an</strong>ische Eigenschaften auf als <strong>an</strong>dere diskontinuierlich verstärkte<br />

Verbundwerkstoffe. Aber die sehr kleinen Dimensionen der SiC- Whiskers mit einem<br />

Durchmesser von 0,2-1µm und einer Länge von 10-50µm machen sie ebenso<br />

gesundheitsschädlich wie Asbest. Hauptsächlich aus diesem Grund werden SiC-<br />

Whiskerverstärkte <strong>Aluminium</strong>legierungen nur noch wenig untersucht.<br />

SiC- Partikel mit Teilchengrößen von 5 bis 25µm sind im Gegensatz zu SiC-Whiskers<br />

gesundheitlich unbedenklich. <strong>Aluminium</strong>legierungen mit bis zu 30 Volumprozent solcher<br />

Partikel sind heute die verbreitetsten Metallmatrix Verbundwerkstoffe. Viel Forschungsarbeit<br />

wurde in Charakterisierung und Verarbeitung dieses Materials gesteckt. Heute werden SiC-<br />

Partikelverstärkte <strong>Aluminium</strong>legierungen beispielsweise von Alc<strong>an</strong> und von BP hergestellt.<br />

1.2 Herstellung von partikelverstärkten <strong>Aluminium</strong>legierungen<br />

Die Herstellungsverfahren von MMCs können grundlegend in die schmelz- und die<br />

pulvermetallurgischen Verfahren unterteilt werden. Der Großteil der heute eingesetzten<br />

Bauteile wird schmelzmetallurgisch hergestellt. Dies ist darauf zurückzuführen, dass die<br />

Schmelzphase im Vergleich zum Pulver generell billiger und auch leichter zu h<strong>an</strong>dhaben ist.<br />

Zudem ist eine einfache Formgebung bei Anwendung konventioneller Gießtechniken<br />

möglich. Die Nachteile der schmelzmetallurgischen Verfahren liegen vor allem in der<br />

schweren Reproduzierbarkeit auf Grund der schwer zu kontrollierenden Prozessparameter und<br />

in häufig unvermeidbaren und unerwünschten chemischen Reaktionen <strong>an</strong> der Grenzfläche<br />

zwischen Schmelze und Verstärkung. Die Vorteile der pulvermetallurgischen Verfahren<br />

- 6 -


liegen in der relativ freien Wahl des Matrix-Verstärkung Systems, da bei Vermeidung der<br />

Flüssigphase eventuelle Grenzflächenreaktionen unterbunden werden, die zur Bildung spröder<br />

Phasen führen und somit die Materialeigenschaften negativ beeinflussen können. Mit<br />

pulvermetallurgischen Herstellungsverfahren können vorteilhafte Matrix- Mikrostrukturen<br />

mit Korngrößen von wenigen Mikron hergestellt werden. Des weiteren ist ein exakter<br />

Volumengehalt der Verstärkungskomponente einstellbar. Dem stehen die Nachteile von<br />

hohen Herstellungskosten und der problematischen Pulverh<strong>an</strong>dhabung gegenüber.<br />

1.3 Mech<strong>an</strong>ische Eigenschaften partikelverstärkter MMCs<br />

In Tab. 1-1 sind die im Zugversuch ermittelten Eigenschaften einiger A6061-SiC-MMCs<br />

aufgelistet. Aus der Tabelle lässt sich erkennen, dass es durch das Einbringen von<br />

keramischen Partikeln in eine <strong>Aluminium</strong>-Matrix zu einer Erhöhung des E-Moduls kommt.<br />

Der E-Modul dieser MMCs wird also am stärksten durch den Partikelgehalt beeinflusst. Die<br />

Festigkeit steigt mit höherem Partikelgehalt ebenfalls <strong>an</strong>, wenn auch nicht im gleichen<br />

Ausmaß wie der E-Modul. Diese Erhöhung ist umso stärker ausgeprägt, je weicher und<br />

duktiler das Matrixmaterial ist. Der Verfestigungsexponent , der in aushärtbaren<br />

<strong>Aluminium</strong>legierungen meist bei 0,01 liegt ist in den MMCs um einen Faktor zehn erhöht.<br />

0,2% Dehngrenze und Zugfestigkeit sind im Verbundwerkstoff gegenüber dem unverstärkten<br />

Matrixwerkstoff erhöht, die Streckgrenze allerdings wird abgesenkt. Die Bruchdehnung δ<br />

wird mit steigendem Gehalt <strong>an</strong> Verstärkungsmaterial ebenfalls abgesenkt. Die Bruchzähigkeit<br />

KIc (siehe Tab. 1-2) sinkt mit steigendem Partikelgehalt, die relative Abnahme ist aber<br />

geringer als die der Bruchdehnung. Eine Übersicht über den Einfluss mikrostruktureller<br />

Merkmale auf die Eigenschaften von Verbundwerkstoffen gibt Tab. 1-3.<br />

Insgesamt weisen Partikelverstärkte MMCs gegenüber dem unverstärkten Matrixmaterial eine<br />

geringere Dichte, eine höhere spezifische Festigkeit, einen höheren E-Modul, eine bessere<br />

thermische Leitfähigkeit, bessere Ermüdungseigenschaften und eine höhere<br />

Verschleißfestigkeit auf. Diesen Vorteilen stehen die geringere Duktilität und geringere<br />

Bruchzähigkeiten gegenüber.<br />

Material Herstellungsprozess E<br />

(GPa)<br />

- 7 -<br />

Rp0,2<br />

(MPa)<br />

Rm<br />

(MPa)<br />

δ (%)<br />

A6061-T6 Schmelzmetallurgisch 69 276 310 17<br />

+10 vol.% SiC Schmelzmetallurgisch 79 321 351 7,5<br />

+20 vol.% SiC Schmelzmetallurgisch 97 343 377 2,8<br />

+15 vol.% Al2O3 Schmelzmetallurgiesch - 345 368 3,0<br />

+25 vol.% SiC (3µm) Pulvermetallurgisch 98 350 410 4,2<br />

Tab. 1-1: In Zugversuchen ermittelte Eigenschaften von partikelverstärkten <strong>Aluminium</strong>-<br />

Legierungen bei Raumtemperatur [6].<br />

Material Herstellungsprozess KIc (MN/m 3/2 )<br />

A6061T6 Schmelzmetallurgisch 37<br />

+20 vol.% SiC (3µm) Pulvermetallurgisch 15<br />

+15 vol.% Al2O3 Schmelzmetallurgisch 23<br />

Tab. 1-2: Bruchzähigkeit partikelverstärkter <strong>Aluminium</strong>legierungen bei Raumtemperatur [6].


Tab. 1-3: Übersicht über die Struktur und Eigenschaftsbeziehungen von MMCs<br />

(αaxial...axialer thermischer Ausdehnungskoeffizient; Eaxial...axialer E-Modul). Die Pfeile<br />

zeigen <strong>an</strong>, wie sich eine Zunahme der mikrostrukturellen Parameter (linke Spalte) auf die<br />

Eigenschaften auswirkt (nach [1]).<br />

1.4 Verformungsverhalten von teilchenverstärkten MMCs<br />

In den letzten 15 Jahren wurde eine Vielzahl FE- Rechnungen durchgeführt, in denen durch<br />

Modellierung der Mikrostruktur das makroskopische Werkstoffverhalten simuliert wurde. So<br />

wurden viele Veröffentlichungen über die erfolgreiche Anwendung der Finite Elemente<br />

Methode zur Untersuchung von Materialien mit idealisierten regelmäßigen<br />

Partikel<strong>an</strong>ordnungen und Geometrien bei monotoner Zugbelastung bei Raumtemperatur<br />

gemacht [9, 10, 11]. Partikelbruch und das Brechen von Interfaces wurden ebenfalls mit<br />

idealisierten Partikelformen untersucht [12]. In 3D Modellen wurden FE- Rechnungen mit<br />

kubischen Verstärkungspartikeln durchgeführt. In der neueren Literatur wird auch von FE-<br />

Rechnungen mit komplexeren Partikel<strong>an</strong>ordnungen berichtet. In FE- Rechnungen mit „Unit<br />

Cells“, die etwa 10 Partikel enthielten, wurde der Einfluss der Partikel<strong>an</strong>ordnung in MMCs<br />

untersucht [13]. Des weiteren wurde in zweidimensionalen Rechnungen mit der „Unit Cell“<br />

Methode mit realistischen Partikel<strong>an</strong>ordnungen, die von realen MMCs ermittelt worden<br />

waren, gerechnet [14, 16].<br />

Den hier erwähnten FE- Modellen stehen bis jetzt wenige experimentelle Untersuchungen der<br />

lokalen Verformung der Mikrostruktur von partikelverstärkten <strong>Aluminium</strong>legierungen<br />

gegenüber. Die detailliertesten bis heute veröffentlichten Messungen, die <strong>an</strong> A2014+15 vol.%<br />

SiCP durchgeführt wurden, stammen von David L. Davidson [15].<br />

In dieser Arbeit sollen durch stereophotogrammetrische <strong>Verformungsmessung</strong> lokale<br />

Dehnungen <strong>an</strong> MMCs noch höher örtlicher Auflösung im Submikrometerbereich gemessen<br />

werden.<br />

1.5 Verwendete MMCs<br />

Die in dieser Arbeit verwendeten MMCs wurden pulvermetallurgisch hergestellt. Es h<strong>an</strong>delt<br />

sich um zwei Werkstoffe, die sich ausschließlich in der Größe der Verstärkungspartikel<br />

unterscheiden. Bei der Herstellung wurde das Matrixpulver aus der <strong>Aluminium</strong>legierung<br />

A6061 mit einer Pulverteilchengröße von 100µm mit 10 Volumsprozent<br />

Siliziumkarbidpartikel mit Teilchengrößen von 10µm bzw. 100µm gemischt. Die Mischung<br />

- 8 -


wurde kaltisostatisch gepresst und durch Str<strong>an</strong>gpressen bei einer Temperatur von 500°C<br />

restverdichtet.<br />

2 Versuchsdurchführung<br />

In diesem Kapitel soll auf die Vorgehensweise bei der Durchführung der in-situ- Zugversuche<br />

näher eingeg<strong>an</strong>gen werden.<br />

Bei den Versuchen wurden zwei Vari<strong>an</strong>ten eines pulvermetallurgisch hergestellten<br />

Metallmatrix Verbundwerkstoffes verwendet. Diese best<strong>an</strong>den aus Siliziumkarbidpartikel in<br />

einer Matrix aus der aushärtbaren <strong>Aluminium</strong>legierung AA6061. Die zwei Vari<strong>an</strong>ten<br />

unterschieden sich in der Größe der Siliziumpartikel, wobei die durchschnittliche<br />

Partikelgröße im einen Material 10µm, im <strong>an</strong>deren 100µm betrug. Der Volumen<strong>an</strong>teil der<br />

SiC- Partikel betrug in beiden Materialien 10 Prozent.<br />

2.1 Probenpräparation<br />

Aus dem Ausg<strong>an</strong>gsmaterial wurden aus den 25mm Ø St<strong>an</strong>gen quer zur Extrusionsrichtung die<br />

in Abb. 2-1 dargestellten Flachzugproben durch mech<strong>an</strong>ische Bearbeitung hergestellt.<br />

Abb. 2-1: Abmessungen der Flachzugproben.<br />

Alle Proben wurden in den Wärmebeh<strong>an</strong>dlungszust<strong>an</strong>d T6 (Peak Aged Condition) gebracht,<br />

bei der die <strong>Aluminium</strong>legierung AA6061 die maximale Härte erreicht:<br />

Lösungsglühung: 530°C/ 1 Stunde ⇒ in Wasser abgeschreckt<br />

Aushärten: 175°C/ 8 Stunden ⇒ in Luft abgekühlt<br />

Die Probenoberflächen wurden geschliffen, poliert und kontrastiert. Die fertigen Proben<br />

mussten, um sich zur Messung der lokalen Verformungen durch stereophotogrammetrische<br />

<strong>Verformungsmessung</strong> zu eignen, folgende Merkmale aufweisen:<br />

• Die SiC- Partikel <strong>an</strong> der Probenoberfläche sollten durch die Präparation nicht zerstört<br />

werden.<br />

• Der Höhenunterschied zwischen den SiC- Partikel und der <strong>Aluminium</strong>-Matrix sollte<br />

<strong>an</strong> der Oberfläche 2 µm nicht überschreiten.<br />

• Die Oberfläche der Proben soll eine kontrastreiche gleichmäßige Struktur besitzen, um<br />

eine automatische <strong>Verformungsmessung</strong> durchführen zu können.<br />

• Sichtbare Korngrenzen in der <strong>Aluminium</strong>legierung wären wünschenswert.<br />

Für das Material mit Siliziumkarbidpartikel der Größe 100µm wurde eine Probenpräparation<br />

gefunden, die die oben gen<strong>an</strong>nten Anforderungen erfüllte. Für das Material mit 10µm großen<br />

SiC- Partikeln wurden drei Probenpräparationen verwendet, die aber alle nicht die gesamten<br />

- 9 -


Anforderungen erfüllten. Im Folgenden werden nun die einzelnen Schritte bei der Präparation<br />

der beiden Probentypen <strong>an</strong>geführt. Details zu den hierfür notwendigen Vorversuchen findet<br />

m<strong>an</strong> im Anh<strong>an</strong>g A.2.<br />

2.1.1 Material AA6061+10%SiC (Partikelgröße 100µm)<br />

• Verjüngung der Flachzugprobe: Dieses Material wies eine Bruchdehnung von nur einem<br />

Prozent auf. Um bei den Versuchen sicher jenen Zugprobenbereich aufzunehmen, wo die<br />

größten Verformungen auftraten, wurde die Flachzugprobe mit einem Diam<strong>an</strong>tstift in der<br />

Probenmitte verjüngt und dort mit einem Filzstift und Diam<strong>an</strong>tpaste poliert. Im Bereich<br />

der Verjüngung wurden im Versuch die lokalen Dehnungen gemessen.<br />

Abb. 2-2: Verjüngung der Flachzugprobe aus dem Material AA6061+10%SiC (Partikelgröße<br />

100µm)<br />

• Wärmebeh<strong>an</strong>dlung: Wärmebeh<strong>an</strong>dlungszust<strong>an</strong>d T6<br />

• Schleifen: Nachein<strong>an</strong>der Papiere mit den Körnungen 320, 400, 800 und schließlich 1200.<br />

• Polieren: Die Proben wurden auf dem Automaten „Minimet Polisher“ von Buehler mit<br />

dem Poliermittel „Buehler Mastermet 0,6µm“ (kolloidales SiO2) bei den<br />

Geräteeinstellungen „mittlere Last“ und „mittlere Geschwindigkeit“ 15 Minuten l<strong>an</strong>g<br />

poliert.<br />

• Korngrenzenätzung: 100ml H2O, 5g HF, Ätzzeit 4min.<br />

- 10 -


Abb. 2-3: Lichtmikroskopische Aufnahme des chemisch geätzten Materials<br />

AA6061+10%SiC (Partikelgröße 100µm)<br />

2.1.2 Material AA6061+10%SiC (Partikelgröße 10µm)<br />

Vari<strong>an</strong>te1 - Chemisches Ätzen:<br />

• Wärmebeh<strong>an</strong>dlung: Wärmebeh<strong>an</strong>dlungszust<strong>an</strong>d T6<br />

• Schleifen: Nachein<strong>an</strong>der Papiere mit den Körnungen 320, 400, 800 und schließlich 1200.<br />

• Polieren: Die Proben wurden auf dem Automaten „Minimet Polisher“ von Buehler mit<br />

dem Poliermittel „Buehler Mastermet 0,6µm“ (kolloidales SiO2) bei den<br />

Geräteeinstellungen „mittlere Last“ und „mittlere Geschwindigkeit“ 15 Minuten l<strong>an</strong>g<br />

poliert.<br />

• Korngrenzenätzung: 100ml H2O, 5g HF, Ätzzeit 4min.<br />

- 11 -


Abb. 2-4: Lichtmikroskopische Aufnahme des chemisch geätzten Materials<br />

AA6061+10%SiC (Partikelgröße 10µm)<br />

Nachteil der Probenpräparation: Die Interfaces zwischen Matrix und Partikel werden beim<br />

chemischen Ätzen <strong>an</strong>gegriffen. Sie reißen während der Verformungsversuche auf und<br />

verfälschen das Ergebnis.<br />

Vari<strong>an</strong>te2 – Erzeugen einer Struktur durch Auftragen einer Diam<strong>an</strong>tpaste<br />

• Wärmebeh<strong>an</strong>dlung: Wärmebeh<strong>an</strong>dlungszust<strong>an</strong>d T6<br />

• Schleifen: Nachein<strong>an</strong>der Papiere mit den Körnungen 320, 400, 800 und schließlich 1200.<br />

• Polieren: Die Proben wurden auf dem Automaten „Minimet Polisher“ von Buehler mit<br />

dem Poliermittel „Buehler Mastermet 0,6µm“ (kolloidales SiO2) bei den<br />

Geräteeinstellungen „mittlere Last“ und „mittlere Geschwindigkeit“ 15 Minuten l<strong>an</strong>g<br />

poliert.<br />

• Kontrastieren: Die polierte Oberfläche wurde mit der Diam<strong>an</strong>tsuspension „Buehler Metadi<br />

Supreme 0,25µm“ benetzt, in das Vakuum der Ionenätz<strong>an</strong>lage gelegt und für eine halbe<br />

Stunde mit den Einstellungen EHT 5kV, Beam Current 1mA, Vakuum 4,5*10 -3 mbar<br />

gesputtert. Außerhalb des Sputterzentrums erzeugten Rückstände der Polierflüssigkeit die<br />

in Abb. 2-5 sichtbare Struktur.<br />

Nachteil der Probenpräparation: Die erzeugten Strukturen sind schlecht reproduzierbar und<br />

Korngrenzen in der <strong>Aluminium</strong>- Matrix werden nicht sichtbar.<br />

- 12 -


Abb. 2-5: Lichtmikroskopische Aufnahme des Materials AA6061+10%SiC (Partikelgröße<br />

10µm). Struktur erzeugt durch das Auftragen einer Diamatpaste.<br />

Vari<strong>an</strong>te3 – Thermisches Ätzen und Ionenätzen<br />

• Wärmebeh<strong>an</strong>dlung: Lösungsglühen 530°C/ 1 Stunde<br />

• Schleifen: Nachein<strong>an</strong>der Papiere mit den Körnungen 320, 400, 800 und schließlich 1200.<br />

• Polieren: Die Proben wurden auf dem Automaten „Minimet Polisher“ von Buehler mit<br />

dem Poliermittel „Buehler Mastermet 0,6µm“ (kolloidales SiO2) bei den<br />

Geräteeinstellungen „mittlere Last“ und „mittlere Geschwindigkeit“ 15 Minuten l<strong>an</strong>g<br />

poliert.<br />

• Wärmebeh<strong>an</strong>dlung: Das Auslagern für 8 Stunden bei 175°C wird in Vakuum durchgeführt<br />

und wirkt als thermische Ätzung.<br />

• Ionenätzen: Die Probe wird für 16 Minuten bei den Einstellungen EHT 5kV, Beam<br />

Current 1mA, Vakuum 4,5*10 -3 mbar, Winkel zwischen Ionenstrahl und Probenoberfläche<br />

90° mit Argonionen gesputtert.<br />

Nachteil der Probenpräparation: Die Struktur, die durch das Kontrastieren erzeugt wird, ist<br />

nicht ausreichend für detaillierte Auswertungen der lokalen Deformationen.<br />

- 13 -


Abb. 2-6: Lichtmikroskopische Aufnahme unter Interferenzkontrast des thermisch geätzten<br />

und ionengeätzten Materials AA6061+10%SiC (Partikelgröße 10µm)<br />

2.2 Belastungseinrichtung und In-situ Zugversuche<br />

Die Realisierung der plastischen Verformung erfolgte durch in-situ Zugexperimente im<br />

Rasterelektronenmikroskop (REM) mit einer am Institut entwickelten und gebauten<br />

Belastungseinrichtung (Abb. 2-7). Mit dieser Belastungseinrichtung konnten Zugexperimente<br />

bis zu einer Maximallast von 2kN durchgeführt werden. Die Dehngeschwindigkeit beim<br />

Zugversuch betrug 3µms -1 , was einer Dehnrate von 3⋅10 -4 s -1 entspricht. Die makroskopische<br />

Dehnungsmessung erfolgte über die Messung des Abst<strong>an</strong>des zweier relativ weit entfernter<br />

mark<strong>an</strong>ter Punkte auf der Probenoberfläche. Zwar lieferte diese Methode der<br />

Dehnungsmessung bei kleinen Dehnungen im elastischen Bereich ungenaue Ergebnisse, zu<br />

einer Abschätzung während der Versuchsdurchführung reichte diese Information aber aus.<br />

Bei der Versuchsauswertung wurde die globale Dehnung mit einer genaueren Methode, auf<br />

die im nächsten Kapitel näher eingeg<strong>an</strong>gen wird, bestimmt. Die auftretende Kraft während<br />

des Zugversuches wurde mittels der in der Belastungseinrichtung eingebauten Kraftmessdose<br />

gemessen, und konnte am <strong>an</strong>geschlossenen Messverstärker (Scout55) abgelesen werden.<br />

Während der Zugversuche wurde in regelmäßigen Abständen Kraft und Verschiebung<br />

aufgenommen. Bei jedem Messpunkt wurden REM- Bilder der gleichen Probenstelle<br />

aufgenommen. Die REM- Bilder wurden mit der externen Bildkarte von „Softpoint<br />

Electronics“ aufgenommen und hatten eine Auflösung von 4000x3200 Pixel. Die zumeist<br />

verwendeten Grundeinstellungen sind nachfolgend <strong>an</strong>geführt:<br />

• Beschleunigungssp<strong>an</strong>nung (EHT): 5kV<br />

• Filamenteinstellung: 2. Emissionspeak<br />

• Probenstrom: 250pA<br />

• Arbeitsabst<strong>an</strong>d: 28mm<br />

In Anh<strong>an</strong>g B.1 wird auf die Bildaufnahme genauer eingeg<strong>an</strong>gen.<br />

- 14 -


Abb. 2-7: Belastungseinrichtung für die In-situ- Zugversuche im REM<br />

- 15 -


3 Versuchsauswertung<br />

In diesem Abschnitt soll erklärt werden, wie aus den SE- Bildern die lokalen Dehnungen<br />

ermittelt wurden.<br />

Matchen von SE- Bildern zweier Verformungsstufen<br />

SE- Bildpaare wurden in das Programm „Mex“ von Alicona importiert und als Stereopaar<br />

betrachtet. Auf diese Weise konnte m<strong>an</strong> sich bereits einen qualitativen Eindruck von den<br />

lokalen Verformungen machen, weil bei derartiger Darstellung Deformationen als<br />

Höhengradienten gesehen werden konnten.<br />

Als Parameter für den Matching- Algorithmus wurden mithilfe des Programmes „Mex“ der<br />

globale Offset und die halbe Suchfenstergröße, welche nachfolgend erklärt werden, bestimmt.<br />

• Der globale Offset ist die Pixelzahl, um die m<strong>an</strong> die Bilder verschieben muss, um die<br />

Mitte der beiden Bilder zur Deckung zu bringen.<br />

• Die halbe Suchfenstergröße ist die größte Pixelzahl, um die m<strong>an</strong> die Bilder vom<br />

globalen Offset aus verschieben muss, um die beiden Bilder <strong>an</strong> den Rändern zur<br />

Deckung zu bringen.<br />

Anschließend wurden in den Bildpaaren unter Verwendung des Programmes „Esimatch“ nach<br />

homologen Punkten gesucht. Eine typische Befehlszeile zum Start des Programms, das im<br />

Dos- Modus läuft, ist im folgenden <strong>an</strong>geführt:<br />

esimatch -points 0 -limg Bild1.tif -rimg Bild2.tif -hswinx 110 -hswiny 70 -threshold<br />

0.7 -epipolar 0 -grid 16 -outfile Ergebnis.txt -xofs 27 -yofs –40<br />

Die Parameter der Befehlszeile werden im Folgenden beschrieben:<br />

• points: Wird bei der Auswertung von Verformungen immer 0 gesetzt.<br />

• limg, rimg: Dateinamen des linken und rechten Bildes.<br />

• hswinx, hswiny: halbe Suchfenstergröße in x- und y- Richtung<br />

• threshold: Ein Paar homologer Punkte k<strong>an</strong>n von dem Programm nicht mit absoluter<br />

Sicherheit erk<strong>an</strong>nt werden. Die Wahrscheinlichkeit, dass ein gefundenes Paar<br />

homologer Punkte richtig ist, wird mit einer Zahl zwischen null (Punkte falsch) und<br />

eins (Punkte richtig) bewertet. Der Wert „Threshold“ bestimmt den<br />

Wahrscheinlichkeits- Schwellwert, über dem ein homologes Punktepaar als Richtig<br />

<strong>an</strong>genommen wird. Der Wert wurde immer auf 0,7 gesetzt,<br />

• epipolar: Wird bei der Auswertung von Verformungen immer 0 gesetzt.<br />

• grid: Dieser Parameter bestimmt, wie viele homologe Punkte das Programm in den<br />

Bildern sucht. Ein Wert von 4 bedeutet etwa, dass das Programm versucht, für jedes 4.<br />

Pixel einen homologen Punkt zu finden. Der Parameter wurde auf 16, bei<br />

Detailauswertungen auf 4 gesetzt.<br />

• outfile: Name der Ausgabedatei. Enthält die Koordinaten der homologen Punkte. In<br />

Spalte eins und zwei stehen die Koordinaten x1- und y1 des Punktes im linken Bild<br />

(limg), in Spalte 3 und 4 stehen die Koordinaten x2 und y2 des Punktes im rechten Bild<br />

(rimg).<br />

• xofs, yofs: globaler Offset in x- und y- Richtung.<br />

Im Anh<strong>an</strong>g B.2 wird auf die Parameterwahl beim Matchen genauer eingeg<strong>an</strong>gen.<br />

Nachbearbeitung der homologen Punkte<br />

Die vom Matching- Programm generierte Ausgabedatei wurde in das Programm „Mex“<br />

importiert. Hier konnten die homolgen Bildpunkte und die daraus resultierenden<br />

- 16 -


Verschiebungsdaten als 3D- Fläche <strong>an</strong>gezeigt werden. In dieser Ansicht konnten Fehler, die<br />

dem Matching- Algorithmus unterlaufen waren, beseitigt werden, weil sie in der 3D- Ansicht<br />

als Ausreißer klar sichtbar waren.<br />

Koordinatentr<strong>an</strong>sformation<br />

Zur Berechnung der lokalen Verformungen aus den Koordinaten der homologen Punkte<br />

wurde das Programm „Surfer 7“ von Golden Software Inc. verwendet.<br />

Die Koordinatentr<strong>an</strong>sformation war notwendig, weil der Koordinatenursprung in der<br />

Ausgabedatei des Matching- Algorithmus in der linken oberen Bildecke liegt, während das<br />

Programm „Surfer 7“ den Koordinatenursprung in der linken unteren Ecke <strong>an</strong>nimmt.<br />

Deswegen wurden die y- Koordinaten der homologen Punkte nach Glg. 3-1 tr<strong>an</strong>sformiert.<br />

yTr<strong>an</strong>sformiert = 3200 − y Glg. 3-1<br />

Berechnung der Verschiebungen<br />

Aus den Koordinaten der homologen Punkte werden nach Glg. 3-2 die Verschiebungen in x-<br />

und y- Richtung berechnet.<br />

U x = x2<br />

− x1<br />

Glg. 3-2<br />

= y − y<br />

U y<br />

2<br />

1<br />

x1 und y1 sind die Koordinaten eines Punktes im Bild mit geringerer Verformung, x2 und y2<br />

die Koordinaten des gleichen Punktes im Bild mit höherer Verformung.<br />

Tri<strong>an</strong>gulation<br />

Anschließend wurde die Delauny Tri<strong>an</strong>gulation mit linearer Interpolation verwendet, um aus<br />

den Matching- Daten die Verschiebungen <strong>an</strong> gleichmäßig verteilten Gitter(Stütz)punken zu<br />

berechnen. Als Koordinatenursprung der tri<strong>an</strong>gulierten Verschiebungsdaten wurde die linke<br />

untere Ecke des linken SE- Bildes gewählt.<br />

Glättung<br />

Es wurde eine Matrix-Glättung <strong>an</strong>gew<strong>an</strong>dt, um unerwünschtes „Rauschen“ und kleine<br />

Schw<strong>an</strong>kungen in den Verschiebungsdaten zu eliminieren. Dazu wurde eine 5 x 5 Matrix über<br />

die Verschiebungswerte gelegt. Die Methode berechnet den Mittelwert von allen<br />

Verschiebungswerten in der Matrix, ohne Rücksicht auf die Dist<strong>an</strong>z vom Zentrum, wobei der<br />

Zentrumswert doppelt gezählt wird. Der neue Verschiebungswert im Zentrum der Matrix<br />

ergibt sich somit über folgende Formel:<br />

u<br />

u<br />

x 33<br />

i = 1 j = 1<br />

x ( x , y ) =<br />

33 i ⋅ j +<br />

+<br />

5<br />

5<br />

∑ ∑<br />

u<br />

x ij<br />

1<br />

- 17 -<br />

( x , y )<br />

.<br />

Glg. 3-3<br />

Diese Formel wurde auf jede Stützstelle in dem Verschiebungsfeld <strong>an</strong>gew<strong>an</strong>dt.<br />

Berechnung der globalen Dehnung εxx, global aus den Dehnungskarten<br />

Bei kleinen Dehnungen lieferte die makroskopische Dehnungsmessung über die Messung des<br />

Abst<strong>an</strong>des zweier mark<strong>an</strong>ter Punkte auf der Probenoberfläche während eines in-situ<br />

Zugversuches ungenaue Resultate. Deswegen wurden zur genaueren Ermittlung der globalen<br />

Dehnung die tri<strong>an</strong>gulierten, geglätteten Verschiebungsdaten ausgewertet.<br />

Es wurden 3 Verschiebungsprofile Ux mit 0 < x min ≤ x ≤ xmax<br />

< 4000 und y = 500 , y = 1500 ,<br />

y = 2500 <strong>an</strong>gefertigt. In jedem der Profile wurde nach Glg. 3-4 die Dehnung in Zugrichtung


εxx ermittelt. Als arithmetisches Mittel aus den Dehnungswerten errechnete sich nach Glg. 3-5<br />

die globale Dehnung εxx, global.<br />

( x = x ) − U ( x = x )<br />

U x max x min<br />

ε xx =<br />

Glg. 3-4<br />

xmax<br />

− xmin<br />

ε<br />

3<br />

∑<br />

= 1<br />

, = i<br />

xx global<br />

ε<br />

3<br />

xx<br />

i<br />

- 18 -<br />

Glg. 3-5<br />

Aus den bei dem in-situ Zugversuch aufgenommenen Werten der Last und den Werten der<br />

globalen Dehnung nach Glg. 3-5, die aus den Verschiebungsdaten berechnet worden waren<br />

konnten technische σ-ε Kurven berechnet werden.<br />

Berechnung der lokalen Dehnungen<br />

Die Berechnung der Dehnung erfolgte über die folgenden Differenzennäherungsgleichungen:<br />

ux<br />

( x − ∆x,<br />

y)<br />

− ux<br />

( x + ∆x,<br />

y)<br />

ε xx(<br />

x,<br />

y)<br />

≈<br />

Dehnung in<br />

2⋅<br />

∆x<br />

Zugrichtung<br />

u y ( x,<br />

y − ∆y)<br />

− u y ( x,<br />

y + ∆y)<br />

( x,<br />

y)<br />

≈<br />

2 ⋅ ∆y<br />

ε yy<br />

Querdehnung<br />

1 ⎛<br />

⎞<br />

⎜<br />

u − ∆ − + ∆ u x − ∆x<br />

y − u x + ∆x<br />

y<br />

x ( x,<br />

y y)<br />

ux<br />

( x,<br />

y y)<br />

y ( , ) y ( , )<br />

ε x y ≈<br />

+<br />

⎟<br />

xy ( , )<br />

⎜<br />

⎟ Scherung<br />

2 ⎝ 2⋅<br />

∆y<br />

2⋅<br />

∆x<br />

⎠<br />

r<br />

xy<br />

1 ⎛<br />

⎞<br />

⎜<br />

u − ∆ − + ∆ u x − ∆x<br />

y − u x + ∆x<br />

y<br />

x ( x,<br />

y y)<br />

ux<br />

( x,<br />

y y)<br />

y ( , ) y ( , )<br />

( x,<br />

y)<br />

≈<br />

−<br />

⎟<br />

⎜<br />

⎟ Rotation<br />

2 ⎝ 2⋅<br />

∆y<br />

2⋅<br />

∆x<br />

⎠<br />

∆x und ∆y ist der Stützstellenabst<strong>an</strong>d in x- und y-Richtung<br />

Glg.<br />

3-6<br />

In einem Gitterpunkt (x,y) wurden, wie aus Glg. 3-6 ersichtlich, die Verschiebungsdaten links<br />

und rechts bzw. oben und unten verwendet, wodurch sich nochmals eine geringfügige<br />

Glättung ergab.


4 Ergebnisse<br />

In diesem Kapitel sollen die Ergebnisse der in-situ Zugversuche präsentiert werden. Von den<br />

zwei untersuchten Materialien werden die Sp<strong>an</strong>nungs- Dehnungs- Diagramme <strong>an</strong>geführt<br />

sowie das Materialverhalten <strong>an</strong>h<strong>an</strong>d von REM- Bildern und Dehnungskarten erläutert. Hier<br />

werden nur ausgewählte Bilder verwendet um die wesentlichen Vorgänge zu verstehen. Eine<br />

Zusammenstellung aller Bilder findet m<strong>an</strong> in Anh<strong>an</strong>g D.<br />

4.1 Material AA6061+10%SiC (Partikelgröße 100µµµµm)<br />

Es wurden REM- Bilder bei den globalen Dehnungen 0,2%, 0,3%, 0,5%, 0,6% und 1%<br />

aufgenommen. Die bei dem in-situ Zugversuch ermittelte technische Sp<strong>an</strong>nungs-<br />

Dehnungskurve ist in Abb. 4-1 dargestellt. Die Zugprobe wies <strong>an</strong> der Stelle, <strong>an</strong> der im in-situ<br />

Zugversuch die REM- Bilder aufgenommen wurden, eine Verjüngung auf. Hier wurden auch<br />

die Sp<strong>an</strong>nungen und Dehnungen für das σ−ε Diagramm ermittelt. Des Weiteren wurde in<br />

diesem Bereich, der in Abb. 4-2 rot gekennzeichnet ist, bei jedem aufgenommenen<br />

Dehnungswert die Zahl der gebrochenen Partikel bestimmt.<br />

technische Sp<strong>an</strong>nung [MPa]<br />

350<br />

300<br />

250<br />

200<br />

150<br />

100<br />

50<br />

0<br />

0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2<br />

technische Dehnung [%]<br />

Sic- Partikel 100 Mikron<br />

Abb. 4-1: Bei dem in-situ Zugversuch ermittelte technische Sp<strong>an</strong>nungs- Dehnungs- Kurve für<br />

den Werkstoff A6061+ 10%SiC- Partikel (Partikelgröße 100µm)<br />

Abb. 4-2: SE- Aufnahme der in-situ Zugprobe. Rot eingezeichnet ist der Bereich, in dem die<br />

Zahl der beim Zugversuch gebrochenen Partikel gestimmt wurde.<br />

- 19 -


Eine Auszählung aller Partikel bei einer globalen Dehnung von 0% ergab, dass bereits <strong>an</strong> der<br />

unverformten Probe 30 Prozent der Partikel gebrochen waren. Während des in-situ<br />

Zugversuchs beg<strong>an</strong>nen bei einer globalen Dehnung von 0,5% weitere Partikel zu brechen. Bei<br />

der letzten Verformungsstufe (εglobal=1%) hatten 72% der Verstärkungspartikel versagt. Diese<br />

Ergebnisse sind in Tab. 4-1 zusammengefasst.<br />

Globale Summe der betrachteten Gebrochene Anteil gebrochener<br />

Dehnung<br />

Partikel<br />

Partikel Partikel<br />

0,0% 136 41 31%<br />

0,0% 25 9 36%<br />

0,2% 25 9 36%<br />

0,3% 25 9 36%<br />

0,5% 25 11 44%<br />

0,6% 25 12 48%<br />

1,0% 25 18 72%<br />

Tab. 4-1: Anteil gebrochener Partikel bei zunehmender globaler Dehnung des Werkstoffes<br />

Werkstoff A6061+ 10%SiC- Partikel (Partikelgröße 100µm)<br />

Zur Messung der lokalen Deformationen wurden REM- Bilder mit Pixel Sizes von 0,671µm<br />

und 0,168µm aufgenommen und ausgewertet. Die REM- Bilder, die aus ihnen ermittelten<br />

homologen Punkte, die Dehnungskarten εxx,. εyy, εxy und die Karte der Rotation aller<br />

Verformungsstufen sind im Anh<strong>an</strong>g D.4 enthalten.<br />

Im Folgenden sollen <strong>an</strong>h<strong>an</strong>d einiger ausgewählter Dehnungskarten die Vorgänge während der<br />

Verformung der Zugprobe <strong>an</strong>schaulich dargestellt werden.<br />

In Abb. 4-3 und Abb. 4-4 sind die gleichen Dehnungskarten mit unterschiedlichem Farbcode<br />

der Dehnungskomponente εxx, die aus REM-Bildern mit einer Pixel Size von 0,168µm<br />

errechnet wurden, dargestellt. In Abb. 4-3 ist der Farbcode so gewählt, dass hohe Dehnungen<br />

bis 10 Prozent, die um Partikel und in Scherbändern auftreten, gut sichtbar sind. In Abb. 4-4<br />

sind Dehnungen bis zu einem Prozent, die in der Matrix auftreten, <strong>an</strong> dem Farbcode ablesbar.<br />

Alle Dehnungen, die ein Prozent übersteigen sind hier rot eingefärbt. Die Umrisse der SiC-<br />

Partikel sind mit schwarzen Linien in die Dehnungskarten eingezeichnet.<br />

Bei einer globalen Dehnung von 0,3% öffnen sich in Partikeln, die bereits vor Beginn des<br />

Zugversuchs gebrochen waren die Rissfl<strong>an</strong>ken. Rechts und links von sich öffnenden Rissen in<br />

Partikeln ist die Matrix unverformt, sonst weist die Matrix eine Dehnung von 0,3% auf. Dort<br />

wo die Risse in die Matrix münden treten bereits Dehnungen von etwa 1% auf. An einigen<br />

Stellen, beispielsweise <strong>an</strong> dem Partikel in der linken unteren Ecke der Dehnungskarte, lösen<br />

sich Partikel- Matrix- Interfaces. Die horizontale Welligkeit der Dehnung und die negativen<br />

Dehnungen am linken R<strong>an</strong>d sind Artefakte, die auf die Bildaufnahme im REM<br />

zurückzuführen sind.<br />

In der Dehnungskarte der Verformungsstufe εGlobal 0,3% bis 0,5% ist zu erkennen, dass die<br />

sich öffnenden Risse in den Partikeln durch Passagen hoher Dehnung in der Matrix verbunden<br />

werden. Allgemein bilden sich Scherbänder aus, außerhalb dieser treten keine zusätzlichen<br />

Deformationen in der Matrix auf. Von dem Partikel in der Kartenmittel bricht <strong>an</strong> der rechten<br />

Spitze ein Stück aus, was in Abb. 4-4 durch eine rot eingefärbte Stelle erkennbar ist. Weitere<br />

Partikel- Matrix Interfaces reißen auf. Während der nächsten Stufe (εGlobal 0,5% bis 0,6%) ist<br />

nur ein Scherb<strong>an</strong>d und die <strong>an</strong>liegenden Partikel aktiv. Rechts von dem SiC- Partikel in der<br />

Kartenmitte dehnt sich die Matrix um 2 Prozent und das benachbarte Interface löst sich. In der<br />

letzten Verformungsstufe (εGlobal 0,6% bis 1,0%) prägen sich die Bänder hoher Verformung<br />

stark aus. Partikel, die in diesen Bändern liegen, etwa das Partikel rechts oben oder die beiden<br />

Partikel links unten in der Dehnungskarte, brechen. Rechts oder Links von durchgebrochenen<br />

- 20 -


Partikeln treten negative Dehnungen (εxx), also eine elastische Entlastung auf (Kartenmitte,<br />

links unten). Wo Partikelrisse in die Matrix münden treten Deformationen bis 5% auf. In den<br />

Scherbändern lagen Deformationen von 2% bis 3% vor.<br />

- 21 -


Abb. 4-3: Dehnungskarten εxx des Werkstoffes A6061+10%SiC, Partikelgröße 100µm, Pixel<br />

Size 0,168µm. Die Belastungsrichtung stimmt mit der l<strong>an</strong>gen Bildk<strong>an</strong>te überein (x-Achse).<br />

Die verwendete Einheit der Ortskoordinaten ist Pixel.<br />

- 22 -


Abb. 4-4: Dehnungskarten εxx des Werkstoffes A6061+10%SiC, Partikelgröße 100µm, Pixel<br />

Size 0,168µm. Deformationen in der Matrix abseits von Scherbändern. Die<br />

Belastungsrichtung stimmt mit der l<strong>an</strong>gen Bildk<strong>an</strong>te überein (x-Achse). Die verwendete<br />

Einheit der Ortskoordinaten ist Pixel.<br />

- 23 -


In Abb. 4-5 sind aus der εxx- Dehnungskarte (εGlobal 0%-1,0%) drei Bereiche vergrößert<br />

dargestellt. In diesen wurden die lokalen Deformationen mit einer höheren örtlichen<br />

Auflösung berechnet, was auf kosten der Genauigkeit ging. Das macht sich in den Karten in<br />

größeren Unregelmäßigkeiten bemerkbar. Aufgrund der höheren örtlichen Auflösung aber<br />

wird sichtbar, dass ein Großteil der Verformung durch das Aufreißen von Interfaces zust<strong>an</strong>de<br />

kam.<br />

Abb. 4-5: Dehnungskarten εxx des Werkstoffes A6061+10%SiC, Partikelgröße 100µm, Pixel<br />

Size 0,168µm. <strong>Lokale</strong> Deformationen um SiC- Partikel. Die Belastungsrichtung stimmt mit<br />

der l<strong>an</strong>gen Bildk<strong>an</strong>te überein (x-Achse). Die verwendete Einheit der Ortskoordinaten ist Pixel.<br />

Abb. 4-6 zeigt die Dehnungskarten εxx und εyy über die g<strong>an</strong>ze Breite der Zugprobe. Es ist zu<br />

erkennen, dass die Verformung bei geringen globalen Dehnungen am oberen R<strong>an</strong>d in der<br />

Mitte der Verjüngung seinen Ausg<strong>an</strong>g nahm und mit steigender Probenverlängerung nach<br />

unten fortschritt. In den εyy- Karten ist die Ausbildung von Scherbändern bei fortschreitender<br />

Verformung gut erkennbar. In einem vergrößerten Detail der εxx- Karte (εglobal 0% - 1,0%)<br />

k<strong>an</strong>n die Stelle, <strong>an</strong> der die Dehnungslokalisation beg<strong>an</strong>n einem Partikel zugeordnet werden,<br />

welcher bereits vor dem Zugversuch einen Riss aufgewiesen hatte. Im Einflussbereich des<br />

gebrochenen Partikels wurden in der Matrix mit εxx=9% die größten lokalen Deformationen<br />

erreicht.<br />

- 24 -


Abb. 4-6: Dehnungskarten des Werkstoffes A6061+10%SiC, Partikelgröße 100µm, Pixel<br />

Size 0,671µm. Die Belastungsrichtung stimmt mit der l<strong>an</strong>gen Bildk<strong>an</strong>te überein (x-Achse).<br />

Die verwendete Einheit der Ortskoordinaten ist Pixel.<br />

- 25 -


4.2 Material AA6061+10%SiC (Partikelgröße 10µµµµm)<br />

Es wurden in-situ Zugversuche mit drei unterschiedlich präparierten Proben durchgeführt.<br />

Eine Probe wurde chemisch geätzt, eine thermisch geätzt und ionengeätzt, die dritte Probe<br />

wurde durch das Auftragen einer Diam<strong>an</strong>tsuspension kontrastiert. In Abb. 4-7 ist die<br />

technische σ-ε Kurve abgebildet, die aus den in-situ Zugversuchen berechnet wurde.<br />

technische Sp<strong>an</strong>nung [MPa]<br />

450<br />

400<br />

350<br />

300<br />

250<br />

200<br />

150<br />

100<br />

50<br />

0<br />

0 2 4 6 8<br />

technische Dehnung [%]<br />

- 26 -<br />

chemisch geätzt<br />

therm. geätzt, gesputtert<br />

Diam<strong>an</strong>tsuspension<br />

Abb. 4-7: : In den in-situ Zugversuch ermittelte technische Sp<strong>an</strong>nungs- Dehnungs- Kurve für<br />

den Werkstoff A6061+ 10%SiC- Partikel (Partikelgröße 10µm)<br />

Zur Messung der lokalen Deformationen wurden REM- Bilder mit einer Pixel Size von<br />

0,034µm aufgenommen und ausgewertet. Die REM- Bilder, die aus ihnen ermittelten<br />

homologen Punkte, die Dehnungskarten εxx,. εyy, εxy und die Karte der Rotation aller<br />

Verformungsstufen sind im Anh<strong>an</strong>g D dargestellt.<br />

Von der chemisch geätzten Zugprobe wurden REM-Bilder mit einer Pixel Size von 0,034µm<br />

bei den Verformungsstufen εglobal 0%, 1,9%, 2,5%, 3,3%, 4,1% und 5,1% aufgenommen.<br />

Während des gesamten Zugversuchs trat <strong>an</strong> der Probenoberfläche kein Partikelbruch auf. In<br />

Abb. 4-8 ist die Dehnungskarte εxx bei der Verformungsstufe εglobal=3,3% dargestellt. Die rot<br />

gefärbten Bereiche hoher lokaler Deformationen befinden sich zum Großteil unmittelbar vor<br />

oder hinter Partikeln. Grund dafür ist das Aufreißen von Partikel- Matrix- Interfaces, das<br />

durch bevorzugte Auflösung der Interfaces beim chemischen Ätzen verursacht wurde.<br />

Von einer thermisch geätzten und <strong>an</strong>schließend ionengeätzten Probe wurden im in-situ<br />

Zugversuch REM- Bilder mit einer Pixel Size von 0,034µm bei globalen Verformungen von<br />

0,4%. 0,7%, 3,6%, 4,7%, 5,5% und 6,3% <strong>an</strong>gefertigt. Anh<strong>an</strong>d der REM- Bilder wurde bei<br />

jeder Verformungsstufe die Zahl der gebrochenen Partikel bestimmt. Bei εglobal=0% waren 9<br />

von 82 Partikel gebrochen. Zwischen εglobal=0,7% und εglobal=3,6% brachen 5 weitere Partikel,<br />

in den weiteren Verformungsschritten trat kein Partikelbruch mehr auf. Die Ergebnisse sind in<br />

Tab. 4-2 zusammengefasst. Die Probenoberfläche wies eine zu schwach ausgeprägte Struktur<br />

auf, so dass keine aussagekräftige Karten der lokalen Deformationen <strong>an</strong>gefertigt werden<br />

konnten.


Abb. 4-8: Dehnungskarte εxx des Werkstoffes A6061+10%SiC, Partikelgröße 10µm,<br />

chemisch geätzt, Pixel Size 0,034µm. Die Belastungsrichtung stimmt mit der l<strong>an</strong>gen<br />

Bildk<strong>an</strong>te überein (x-Achse). Die verwendete Einheit der Ortskoordinaten ist Pixel.<br />

Globale Summe der Gebrochene Anteil gebrochener<br />

Dehnung Partikel Partikel Partikel<br />

0% 82 9 11%<br />

0,7% 82 9 11%<br />

3,6% 82 14 17%<br />

6,3% 82 14 17%<br />

Tab. 4-2: Anteil gebrochener Partikel bei zunehmender globaler Dehnung des Werkstoffs<br />

A6061+ 10%SiC- Partikel (Partikelgröße 10µm), thermisch geätzt und ionengeätzt.<br />

Von einer Probe, die durch Auftragen einer Diam<strong>an</strong>tsuspension kontrastiert worden war,<br />

wurden im in-situ Zugversuch SE- Bilder bei globalen Verformungen von 0,3%, 1,0%, 2,1%,<br />

und 2,4% <strong>an</strong>gefertigt. Während der Aufnahme des REM- Bildes bei εglobal=2,4% brach die<br />

Probe. Deswegen sind SE- Bild und Dehnungskarten dieser Verformungsstufe unvollständig.<br />

In Abb. 4-9 sind die Dehnungskarten der Dehnungskomponente εxx, die aus den SE-Bildern<br />

errechnet wurden, dargestellt. Die Dehnungskarten der Verformungsstufen εglobal=0%- 1%,<br />

εglobal=0%- 2,1% und εglobal 2,1%– 2,4% zeigen alle die Bildung ausgeprägter Scherbänder.<br />

Sie sind so <strong>an</strong>geordnet, dass um Partikelgruppen Inseln geringer Deformationen entstehen.<br />

Maxima der Deformationen entstehen dort, wo sich zwei Scherbänder schneiden und dort, wo<br />

Scherbänder von Partikeln behindert werden. Bei einer globalen Dehnung εglobal=2,4% treten<br />

in den Scherbändern Deformationen εxx von 5% auf. Wo Scherbänder von Partikeln behindert<br />

werden treten Deformationen εxx bis zu 11% auf. Bis zur höchsten in dem Versuch<br />

aufgenommenen Verformungsstufe von 2,4% tritt kein Bruch von SiC- Partikeln ein. Von<br />

einem Teilchen, das sich in den Dehnungskarten bei den Koordination x=3500, y=1000<br />

- 27 -


efindet, das bereits vor dem Zugversuch gebrochen war, wurden die Bruchhälften im Zuge<br />

der Materialverformung gegenein<strong>an</strong>der verschoben. Bei den Koordinaten x=3000, y=2700<br />

befindet sich ein Partikel knapp unter der Probenoberfläche, lediglich eine Teilchenspitze, um<br />

die im Zugversuch sehr hohe Dehnungen auftraten, ist sichtbar.<br />

Abb. 4-9: Dehnungskarten εxx des Werkstoffes A6061+10%SiC, Partikelgröße 10µm, Pixel<br />

Size 0,034µm. Die Belastungsrichtung stimmt mit der l<strong>an</strong>gen Bildk<strong>an</strong>te überein (x-Achse).<br />

Die verwendete Einheit der Ortskoordinaten ist Pixel.<br />

- 28 -


5 Diskussion<br />

Hier sollen die Ergebnisse der in-situ Zugversuche zweier <strong>Aluminium</strong> 6061 MMCs<br />

mitein<strong>an</strong>der und mit Finite Elemente Rechnungen verglichen werden.<br />

Im Rahmen einer Dissertation [16] wurde das Verformungsverhalten von A2124-T4+17%SiC<br />

(SiC- Partikelgröße 1µm) im Zugversuch mit finite Elemente Rechnungen simuliert. In den<br />

Rechnungen wurden die Partikel als linear elastisch, die Matrix als elastisch- plastisch mit den<br />

Verfestigungseigenschaften der unverstärkten A2124-T4 Legierung <strong>an</strong>genommen. Das<br />

Interface zwischen Matrix und Partikel wurde als perfekt verbunden <strong>an</strong>genommen,<br />

Partikelbruch wurde ausgeschlossen. Für zweidimensionale FE- Rechnungen wurde ein Stück<br />

MMC modelliert, in dem SiC- Partikel ähnlich wie in dem zu simulierenden Material<br />

<strong>an</strong>geordnet waren. Den SiC- Partikeln wurde eine unregelmäßige Form gegeben, die der im<br />

realen MMC entsprach. Ein solches 2D- Modell ist im linken Bild von Abb. 5-1 dargestellt.<br />

Mit dem Modell wurden die lokalen Dehnungen für eine globale Zugdehnung von 7,121% in<br />

vertikaler Richtung berechnet, was der Bruchdehnung des zu simulierenden Materiales<br />

entsprach. In Konturplots (siehe Abb. 5-1, rechtes Bild) wird die lokale äquivalente plastische<br />

Dehnung ε pl nach Glg. 5-1 dargestellt,<br />

2<br />

ε pl = ⋅ε<br />

ij ⋅ε<br />

ij<br />

3<br />

wobei εij eine Komponente des Dehnungstensors ist.<br />

- 29 -<br />

Glg. 5-1<br />

Abb. 5-1: Links: 2D- Modell eines A2124-T4 MMC mit 17% SiC- Partikeln. Rechts:<br />

Konturplot der äquivalenten plastischen Dehnung bei einer globalen Zugdehnung von 7,121%<br />

in vertikale Richtung.<br />

Bei der lokalen Dehnungsmessung im in-situ Zugversuch können nur die Komponenten εx, εy,<br />

εxy des Dehnungstensors bestimmt werden, die in der Oberfläche der Zugprobe liegen. In den<br />

Dehnungskarten ist εx die Dehnung in horizontaler Richtung. Sie stimmt mit der Zugrichtung<br />

überein. Die Dehnungen, die im in-situ Zugversuch gemessen werden setzen sich aus einem<br />

bleibenden plastischen und einem reversiblen elastischen Anteil zusammen, weil die<br />

Messungen unter Einwirkung der Prüflast durchgeführt werden. Aus den zwei gen<strong>an</strong>nten<br />

Gründen können die im in-situ Zugversuch ermittelten lokalen Dehnungen nicht – wie in den


FE- Berechnungen- durch eine äquivalente plastische Dehnung dargestellt werden. In den<br />

Dehnungskarten ist deswegen immer eine der Dehnungskomponenten dargestellt.<br />

Im in-situ Zugversuch werden die Dehnungen <strong>an</strong> einer speziell präparierten Oberfläche<br />

gemessen. Durch die Oberflächenpräparation können die Materialeigenschaften verändert<br />

werden. So können beim Schneiden, Schleifen und Polieren der Oberfläche Matrix- Partikel<br />

Interfaces geschwächt werden oder Partikel brechen. Bei der Kontrastierung durch<br />

chemisches Ätzen werden Interfaces stärker abgetragen als die übrige Matrix und die Matrix-<br />

Partikel- Bindung wird geschwächt. Der Umst<strong>an</strong>d, dass die Oberflächenpräparation das<br />

Ergebnis der lokalen Dehnungsmessung beeinflusst und sich der Dehnungszust<strong>an</strong>d auch <strong>an</strong><br />

einer ideal präparierten Oberfläche von dem Dehnungszust<strong>an</strong>d im Material unterscheidet,<br />

sollte beim Vergleich von FE- Rechnung und in-situ Zugversuch im Auge behalten werden.<br />

Im Unterschied zu den FE- Rechnungen wurde bei den Versuchen ein MMC aus A6061-T6<br />

mit einem geringeren Anteil <strong>an</strong> Partikeln von 10% verwendet. Die Partikelgrößen von 10µm<br />

beziehungsweise 100µm liegen um ein Vielfaches über der des simulierten Materials, was<br />

aber eigentlich keine Rolle spielen sollte da die FE- Rechnung keine absolute Größenskala<br />

enthält.<br />

Die Zugproben wurden in den Wärmebeh<strong>an</strong>dlungszust<strong>an</strong>d T6 gebracht, wobei durch den<br />

unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten von <strong>Aluminium</strong>matrix und SiC- Partikel<br />

Eigensp<strong>an</strong>nungen in das Material eingebracht wurden. Solche Misfit- Sp<strong>an</strong>nungen wurden in<br />

der hier diskutierten FE- Rechnung nicht berücksichtigt.<br />

Abb. 5-2: Oben: Dehnungskarten εx bei einer globalen Zugdehnung von εglobal= 2,1%. Pixel<br />

Size 0,034µm, Material: A6061+10%SiC (Partikelgröße 10µm). Rechts ist der in der linken<br />

Dehnungskarte markierte Bereich vergrößert mit höherer örtlicher Auflösung dargestellt.<br />

Unten: Zu den oben abgebildeten Dehnungskarten gehörige REM- Bilder bei εglobal= 2,1%.<br />

Im in-situ Zugversuch mit einer Probe aus A6061+10% SiC (Partikelgröße 10µm), deren<br />

Oberfläche durch das Aufbringen einer Diam<strong>an</strong>tsuspension kontrastiert worden war, trat bei<br />

- 30 -


einer globalen Dehnung von 2,1% weder Partikelbruch noch das Aufreißen von Interfaces<br />

auf, was mit den Annahmen der FE- Rechnung übereinstimmt. Nun wollen wir die<br />

Dehnungskarte εx dieser Probe bei εglobal=2,1% (siehe Abb. 5-2, Bild links) mit dem<br />

Konturplot der FE- Rechnung bei einer globalen Zugdehnung von 7,121% (siehe Abb. 5-1)<br />

vergleichen werden.<br />

Die Ergebnisse von Versuch wie Rechnung zeigen die Bildung von Scherbändern. Im<br />

Unterschied zum simulierten Zugversuch, wo sich um jedes Partikel Scherbänder ausbilden<br />

werden in der gemessenen Dehnungskarte g<strong>an</strong>ze Gruppen von Teilchen durch Scherbänder<br />

umschlossen. In den Scherbänden treten in der Rechnung Dehnungen von etwa 17% auf, was<br />

dem 2,4- fachen der globalen Dehnung von 7,121% entspricht. Das stimmt gut mit den 4,5%<br />

Dehnung in den Scherbändern der in-situ Zugprobe überein, die die globale Dehnung um das<br />

2,1- fache übersteigen. Maxima treten in beiden Resultaten <strong>an</strong> Stellen auf, wo Scherbänder<br />

mit Partikelk<strong>an</strong>ten zusammentreffen. Im Unterschied zur Simulation aber, in der <strong>an</strong> Stellen,<br />

wo zwei Partikel sehr nahe <strong>an</strong>ein<strong>an</strong>der liegen sehr hohe Deformationen von bis zu 229%<br />

auftreten, ist <strong>an</strong> solchen Stellen in der gemessenen Dehnungskarte meist überhaupt keine<br />

lokale Verformung beobachtbar. Dies hat wohl damit zu tun, dass diese FE- Rechnung eine<br />

2D- Analyse ist. In unseren Experimenten wird durch die räumliche Beschränkung solcher<br />

Partikel<strong>an</strong>ordnungen vermutlich diese Lokalisierung unterdrückt. Nur wenn zwischen zwei<br />

eng beiein<strong>an</strong>derliegenden Partikeln, wie etwa in Abb. 5-2 (Bild rechts) ein Scherb<strong>an</strong>d läuft<br />

kommt es in diesem Versuch zu Dehnungslokalisationen. Die Dehnungen erreichen hier mit<br />

15% das 7-fache von εglobal. Es ist <strong>an</strong>zumerken, dass in der Dehnungskarte (Abb. 5-2, Bild<br />

rechts) die hohen Dehnungen in den eingezeichneten Partikeln das Resultat von Matchfehlern<br />

sind, die durch das Überstrahlen der SiC- Partikel bei der Bildaufnahme in REM zust<strong>an</strong>de<br />

kommen. Im in-situ Zugversuch werden in diesem Material die Fragmente jener Partikel, die<br />

bei Materialherstellung oder Oberflächenpräparation gebrochen wurden d<strong>an</strong>n gegenein<strong>an</strong>der<br />

verschoben, wenn sie <strong>an</strong> einem Scherb<strong>an</strong>d liegen. Dort bilden sich Dehnungslokalisationen in<br />

der umliegenden Matrix.<br />

Nun würde sich ein Vergleich einer Dehnungskarte der gleichen Zugprobe und globalen<br />

Dehnungen nahe der Bruchdehnung mit der FE- Rechnung <strong>an</strong>bieten. Weil diese Probe nicht<br />

<strong>an</strong> der im REM untersuchten Stelle brach, wurde dazu der Versuch mit einer <strong>an</strong>deren Probe<br />

her<strong>an</strong>gezogen. Es wurden zwei weitere Versuche mit dem gleichen Material, aber <strong>an</strong>deren<br />

Probenpräparierungen ausgewertet (siehe Anh<strong>an</strong>g D). Der Versuch mit einer chemisch<br />

geätzten Probe ist zu einem Vergleich nicht geeignet, weil aufgrund der Präparationsmethode<br />

bei der Verformung bevorzugt Interfaces brachen. Eine weitere Probe wurde thermisch geätzt<br />

und ionengeätzt. Zwar wurden bei dieser Präparation die Interfaces geschont, aber es konnte<br />

nur eine schwache Oberflächenstruktur erzeugt werden, wodurch bei der rechnergestützten<br />

Bildauswertung nur verhältnismäßig wenige, ungleichmäßig verteilte homologe Punkte<br />

ermittelt werden konnten. So entst<strong>an</strong>den Dehnungskarten mit geringer Zuverlässigkeit und<br />

geringer örtlicher Auflösung. Information über die Dichte und Verteilung der homologen<br />

Punkte geben die Abbildungen in Anh<strong>an</strong>g D.2.<br />

Von dieser Probe wurden im in-situ Zugversuch Verformungsstufen bis zu εglobal= 6,3%<br />

gemessen. Eine εx- Dehnungskarte bei εglobal=6,3% ist in Abb. 5-3 dargestellt. Im Vergleich<br />

mit dem gerechneten Konturplot in Abb. 5-1 fällt wieder auf, dass oft mehrere Partikel von<br />

Scherbändern umschlossen werden. In den Partikeln und oft auch in größeren Bereichen um<br />

sie, sowie zwischen Partikeln bestehen Bereiche sehr geringer Dehnung. In den Scherbändern<br />

herrschen mit εx=15% um das 2,5- fache erhöhte Dehnungen gegenüber εglobal, was mit den<br />

Rechnungen gut übereinstimmt. Die größten lokal auftretenden Dehnungen betragen εx= 26%.<br />

Auch in dieser Verformungsstufe kurz vor Eintritt des Bruches treten keine Dehnungen in der<br />

Höhe der berechneten Werte von 229% auf. Aber es findet sowohl Partikelbruch als auch das<br />

Aufreißen von Interfaces statt. Das Lösen von Interfaces geht insbesondere dort vonstatten,<br />

- 31 -


wo zwei Partikel nebenein<strong>an</strong>der liegen und die Fortsetzung eines Scherb<strong>an</strong>des behindern. Ein<br />

Beispiel dafür ist jener in Abb. 5-3, linkes Bild, gekennzeichnete Bereich der d<strong>an</strong>eben<br />

vergrößert mit höherer Auflösung dargestellt ist.<br />

Abb. 5-3: Oben: Dehnungskarten εx bei einer globalen Zugdehnung von εglobal= 6,3%. Pixel<br />

Size 0,034µm, Material: A6061+10%SiC (Partikelgröße 10µm).. Rechts ist der in der linken<br />

Dehnungskarte markierte Bereich vergrößert mit höherer örtlicher Auflösung dargestellt.<br />

Unten: Zu den oben abgebildeten Dehnungskarten gehörige REM- Bilder bei εglobal= 6,3%.<br />

Insgesamt lässt sich der in-situ Zugversuch <strong>an</strong> dem Material A6061+10%SiC (Partikelgröße<br />

10µm) in 3 Abschnitte aufteilen. Zuerst bilden sich Scherbänder ähnlich wie in der FE-<br />

Rechnung aus. Fragmente von bereits bei Materialherstellung und Oberflächenpräparation<br />

gebrochenen Partikeln verursachen Dehnungslokalisationen in der Matrix, falls sie mit<br />

Scherbändern zusammenfallen (siehe Abb. 5-4). Zwischen den Verformungsstufen εglobal=<br />

2,5% und εglobal=3,6% brechen Partikel und Interfaces lösen sich. Von εglobal=3,6% bis<br />

εglobal=6,3% finden die Ausbildung von Scherbändern und das öffnen von Interfaces und<br />

Partikelbrüchen und damit verbundene Dehnungslokalisation in der <strong>an</strong>grenzenden Matrix<br />

parallel statt.<br />

Im zweiten in dieser Arbeit untersuchten Material mit gleicher Zusammensetzung aber einer<br />

Partikelgröße von 100µm bestimmen von Beginn des Zugversuchs <strong>an</strong> Partikel, die bei der<br />

Materialherstellung und Präparation gebrochen sind, die Materialverformung. So sind etwa<br />

30% der Teilchen <strong>an</strong> der präparierten Oberfläche des Materials mit 100µm Partikel bereits vor<br />

dem Zugversuch gebrochen, in dem MMC mit 10µm- Partikeln beträgt dieser Anteil nur 11%.<br />

Im Zugversuch entstehen Scherbänder nicht nur unter 45° zur Zugrichtung, sondern auch und<br />

vor allem als Verbindungen der Rissufer zweier gebrochener Partikel. Abb. 5-5 zeigt die<br />

Dehnungskarte der letzten Verformungsstufe bei εglobal= 1%.<br />

- 32 -


εglobal= 0,7%<br />

εglobal= 3,6%<br />

εglobal= 6,3%<br />

Abb. 5-4: REM- Bilder einer Probenstelle einer thermisch geätzten, ionengeätzten Probe aus<br />

A6061+10%SiC (Partikelgröße 10µm) bei verschiedenen Verformungsstufen.<br />

- 33 -


Abb. 5-5: Dehnungskarten εx bei einer globalen Zugdehnung von εglobal= 1 %, Material:<br />

A6061+10%SiC (Partikelgröße 100µm). Pixel Size 0,167µm. Rechts ist der in der linken<br />

Dehnungskarte markierte Bereich vergrößert mit höherer örtlicher Auflösung dargestellt.<br />

Unten: Zu den oben abgebildeten Dehnungskarten gehörige REM- Bilder bei εglobal= 1%.<br />

Auf der linken Seite liegen einige Partikel dicht beiein<strong>an</strong>der in einer vertikalen Linie. In der<br />

Matrix zwischen ihnen bilden sich besonders starke Dehnungslokalisationen, es kommt zu<br />

Partikelbruch und dem Aufreißen von Interfaces, während <strong>an</strong>dere Bereiche keine plastische<br />

Verformung erfahren. In den Scherbändern tritt mit εx=3% etwa das 3-fache von εglobal auf.<br />

Gebrochene Partikel verursachen lokale Dehnungen von bis zu εx=7. In der letzten<br />

Verformungsstufe vor dem Bruch der Probe sind etwa 70% der Partikel gebrochen, während<br />

dieser Anteil in dem Material mit 10µm- Partikel bei der höchsten globalen Verformung<br />

(εglobal=6,3%) kurz vor Eintritt des Bruches nur etwa 20% beträgt.<br />

Der in der linken Dehnungskarte in Abb. 5-5 eingezeichnete Bereich, der in höherer<br />

Auflösung rechts vergrößert dargestellt ist zeigt, dass ein großer Teil der Dehnungen in den<br />

Interfaces nahen Bereich lokalisiert ist. Die Ursache dafür könnte, wie bei dem Material mit<br />

SiC- Partikeln der Größe 10µm, die Oberflächenkontrastierung durch chemisches Ätzen sein.<br />

Die Dehnungen in den Interfaces könnten auf folgende Weisen entst<strong>an</strong>den sein:<br />

• Beim Ätzen entstehen <strong>an</strong> den Interfaces Furchen, weil dort ein stärkerer Ätz<strong>an</strong>griff als<br />

im restlichen <strong>Aluminium</strong> auftritt. Bei der Verformung im Zugversuch könnten sich,<br />

wie in Abb. 5-6 dargestellt, diese Furchen verbreitert haben, ohne dass Interfaces<br />

brachen.<br />

- 34 -


• Durch das Ätzen könnten die Interfaces so stark geschwächt worden sein, dass im insitu<br />

Zugversuch Interfaces brachen.<br />

• Vielleicht wären die Interfaces aber auch d<strong>an</strong>n gebrochen, wenn die Probenoberfläche<br />

nicht chemisch geätzt worden wäre.<br />

Matrix Partikel<br />

Dehnung<br />

Matrix Partikel<br />

Abb. 5-6: Skizze der Verbreiterung von Furchen <strong>an</strong> Interfaces, die durch chemisches Ätzen<br />

entst<strong>an</strong>den sind, bei der Dehnung im in-situ Zugversuch.<br />

Aufschluss darüber könnte ein in-situ- Zugversuch mit einer Probe, die ohne chemisches<br />

Ätzen kontrastiert wurden, geben.<br />

- 35 -


6 Zusammenfassung<br />

In dieser Arbeit wurden in in-situ Zugversuchen im Rasterelektronenmikroskop lokale<br />

Verformungen in <strong>partikelverstärktem</strong> <strong>Aluminium</strong> gemessen. Die zwei verwendeten<br />

Versuchsmaterialien wurden pulvermetallurgisch hergestellt, wiesen eine Matrix aus A6061-<br />

<strong>Aluminium</strong> auf, enthielten 10% Verstärkungspartikel aus Siliziumkarbid und unterschieden<br />

sich in der Größe der Verstärkungspartikel. Sie betrug 10µm beziehungsweise 100µm.<br />

Vorerst mussten Methoden zur Herstellung geeigneter Oberflächendekorationen für<br />

stereophotogrammetrische <strong>Verformungsmessung</strong>en und EBSD- Messungen entwickelt<br />

werden. Weil in Vorversuchen keine Oberflächen erzeugt werden konnten, die sich für beide<br />

Untersuchungsmethoden eigneten, wurde im weiteren auf EBSD- Sc<strong>an</strong>s verzichtet. Für die<br />

stereophotogrammetrische <strong>Verformungsmessung</strong> wurden folgende Präparierungsmethoden<br />

gefunden:<br />

• Schleifen, Polieren am Automaten „Minimet Polisher“ mit kolloidalem SiO2 und<br />

chemisches Ätzen mit der Lösung 100ml H2O + 5gHF.<br />

• Schleifen, Polieren am Automaten „Minimet Polisher“ mit kolloidalem SiO2,<br />

Auftragen und Trocknen der Diam<strong>an</strong>tsuspension „Buehler Metadi Supreme 0,25µm“.<br />

• Lösungsglühen + Wasserabkühlung, Schleifen, Polieren am Automaten „Minimet<br />

Polisher“, Aushärten in Vakuum und Ionenätzen.<br />

Mit einer chemisch geätzten Zugprobe mit 100µm großen SiC- Partikeln wurde ein in-situ<br />

Zugversuch durchgeführt. Bis zum Eintritt des Bruches wurden REM- Bilder und<br />

Dehnungskarten mehrerer Verformungsstufen bis zu Probendehnungen von einem Prozent<br />

<strong>an</strong>gefertigt. In diesem Material bestimmte das Partikelversagen das Berformungsverhalten.<br />

Anfänglich die bereits bei der Materialherstellung und der Präparation gebrochenen Teilchen<br />

und mit zunehmender Dehnung versagte dazu ein grossteil der restlichen Teilchen.<br />

Mit dem Material mit 10µm- Partikeln wurden Versuche unter Verwendung aller drei oben<br />

<strong>an</strong>geführten Präparierungsmethoden durchgeführt. Es wurden REM- Bilder und<br />

Dehnungskarten verschiedener Verformungsstufen bis zu globalen Dehnungen von 6,3%<br />

<strong>an</strong>gefertigt. In diesem Material bildeten sich, ähnlich wie in FE- Rechnungen [16], <strong>an</strong>f<strong>an</strong>gs<br />

Scherbänder in der Matrix unter 45° zur Zugrichtung aus. Bei weiterer Probendehnung traten<br />

Partikelbruch und das Aufreißen von Interfaces ein.<br />

Mit den durchgeführten Versuchen konnten erstmals lokale Dehnungen <strong>an</strong> MMCs mit hoher<br />

örtlicher Auflösung im Submikrometerbereich gemessen werden.<br />

- 36 -


7 Literaturnachweis<br />

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Schweizerischen Akademie der Wissenschaften (1994) 13.<br />

4 Degischer, H.P., Kaufm<strong>an</strong>n, H. und Leitner, H: Str<strong>an</strong>gpressprofile, Schmiede und<br />

Gussteile aus Keramikteilchenverstärktem <strong>Aluminium</strong>, Sonderdruck aus VDI Berichte<br />

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5 Hochreiter, E.: Herstellungsbedingte Beeinflussung der Verteilung der<br />

Verstärkungsteilchen in Al-Verbundwerkstoffen und ihre Auswirkung auf die<br />

mech<strong>an</strong>ischen Eigenschaften, Dissertation, Mont<strong>an</strong>universität Leoben, 1995.<br />

6 Levin, M.: Fatigue of Metal Matrix Composites, Dissertation, Calmers University of<br />

Technology, 1993.<br />

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10 Christm<strong>an</strong>, T., Needlem<strong>an</strong> A. <strong>an</strong>d Suresh, S.: An Experimental <strong>an</strong>d Numerical Study<br />

of Deformation in Metal-Ceramic Composites, Acta Metall. Mater., 1989, 37, 3029-<br />

50.<br />

11 Bao, G., McMeeking, R.M., Hutchinson, J.W.: Particle Reinforcement of Ductile<br />

Matrices Against Plastic Flow <strong>an</strong>d Creep, Acta Metall. Mater, 1991, 39, 1871-82.<br />

12 Gall, K., Horstemezer, M., McDowell, D.L., F<strong>an</strong>, J.: Finite element of the stress<br />

distributions near damages Si particle clusters in cast Al-Si alloys. Mech<strong>an</strong>ics of<br />

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13 Watt, D.F., Xu, Y.Q., Lloyd, D.J.: Effects of particle morhpology <strong>an</strong>d spacing on the<br />

strain fields in a plastically deforming matrix. Acta Metall. Mater., 1996, 44, 789-799.<br />

14 Fischmeister, H., Karlsson, B.: Plastizitätseigenschaften grob-zweiphasiger<br />

Werkstoffe. Z. Metallk., 1999, 68, 311-327<br />

15 Davidson, D.L.: Tensile Deformation <strong>an</strong>d Fracture Toughness of 2014+15 Vol Pct SiC<br />

Particulate Composite. Metallurgical Tr<strong>an</strong>sactions, 1991, A 22, 113-123.<br />

16 Bruzzi, M: Development of Models to Predict the Mech<strong>an</strong>ical Response of <strong>Aluminium</strong><br />

<strong>an</strong>d <strong>Aluminium</strong> Matrix Composites in Static <strong>an</strong>d Fatigue Loading, Dissertation, B.E.<br />

National University of Irel<strong>an</strong>d, 2000.<br />

- 37 -


17 Publikation MMC network: http://mmc-assess.tuwien.ac.at/public/v2_thermaltreat.pdf<br />

(2000).<br />

18 Marschall, H.U., R. D<strong>an</strong>zer und R. Pipp<strong>an</strong>: Three-dimensional <strong>an</strong>alysis of decorated<br />

ceramic fracture surfaces by automatic stereophotogrammetry. J. Am. Ceram. Soc., 83<br />

[1] (2000),223-25.<br />

19 Buchgrabner, W.: Untersuchung des Einflusses von Versuchsparametern und<br />

plastischer Verformung auf die Linienschärfe von Electron Back Scatter Diffraction<br />

Patterns. Diplomarbeit, Mont<strong>an</strong>universität Leoben, 1996.<br />

20 Kneissl A., F. Jeglitsch: In Fortschritte der Metallographie, B<strong>an</strong>d 30, DGM Verlag,<br />

Fr<strong>an</strong>kfurt, 1999, 247-255.<br />

21 Tatschl, A.: Neue experimentelle Methoden zur Charakterisierung von<br />

Verformungsvorgängen, Dissertation, Mont<strong>an</strong>universität Leoben, 2000.<br />

22 OIM (Orientation Image Microcopy), 1997; User M<strong>an</strong>ual, TexSEM Labs. Inc.<br />

- 38 -


A Probenherstellung, Wärmebeh<strong>an</strong>dlung und Präparation<br />

A.1 Präparierungsziel<br />

Die Proben sollen im Rasterelektronenmikroskop (REM) eine Untersuchung des Werkstoffes<br />

bezüglich seiner lokalen Verformungseigenschaften durch EBSD und<br />

stereophotogrammetrische <strong>Verformungsmessung</strong> zulassen. Dazu soll die präparierte<br />

Oberfläche folgende Merkmale aufweisen:<br />

• Die SiC- Partikel <strong>an</strong> der Probenoberfläche sollen durch die Präparation nicht zerstört<br />

werden.<br />

• Der Höhenunterschied zwischen den SiC- Partikel und der <strong>Aluminium</strong>-Matrix soll in der<br />

Oberfläche 2 µm nicht überschreiten.<br />

• Die Oberfläche soll keine Verformungs- oder Deckschicht, die EBSD- Messungen stört,<br />

aufweisen.<br />

• Die Oberfläche der Proben soll eine kontrastreiche gleichmäßige Struktur besitzen um<br />

eine automatische <strong>Verformungsmessung</strong> durchführen zu können.<br />

• Die Korngrenzen in der <strong>Aluminium</strong>legierung sollen sichtbar gemacht werden.<br />

A.2 Probenpräparierung – Vorgehensweise<br />

Auf der Suche nach einer geeigneten Präparierungsvari<strong>an</strong>te schlugen wir verschiedene Wege,<br />

die in Abb. A-1 dargestellt sind, ein.<br />

Probenfertigung<br />

Wärmebeh<strong>an</strong>dlung<br />

Schleifen<br />

Polieren<br />

Mech<strong>an</strong>isch<br />

Polierautomaten:<br />

•Minimet Polisher<br />

•Phönix 400<br />

Kontrastieren<br />

Wärme-<br />

Beh<strong>an</strong>dlung -<br />

Therm. Ätzen<br />

Goldbesputtern<br />

Lösungs-<br />

Glühen<br />

In Luft<br />

Lösungs-<br />

Glühen<br />

In Argon<br />

- 39 -<br />

Lösungsglühen<br />

Elektrolytisch<br />

Aushärten<br />

In Vakuum<br />

Aushärten<br />

Chem. Ätzen<br />

Diam<strong>an</strong>tsuspension<br />

Ionenätzen<br />

Abb. A-1: Schema der durchgeführten Versuche zur Präparierung von in-situ Zugproben


A.2.1 Probenfertigung<br />

Von St<strong>an</strong>gen mit einem Durchmesser von 25 mm wurden 2 mm starke Ronden abgedreht.<br />

Diese Ronden wurden mit einem Fräser auf die in Abb. A-2 beschriebene Kontur bearbeitet<br />

und mit einer Bohrung versehen.<br />

Abb. A-2: Abmessungen der verwendeten Flachzugproben<br />

A.2.2 Wärmebeh<strong>an</strong>dlung<br />

Für die verwendeten Verbundwerkstoffe, die alle eine Matrix aus der <strong>Aluminium</strong>legierung<br />

AA6061 aufweisen, wurde die Wärmebeh<strong>an</strong>dlungsvorschrift T6 des reinen Werkstoffes<br />

AA6061 verwendet [17].<br />

Die Werkstoffe wurden für eine Stunde bei 530°C lösungsgeglüht und <strong>an</strong>schließend in<br />

Wasser bei Raumtemperatur abgeschreckt. D<strong>an</strong>ach wurden sie bei 175°C für eine Dauer von<br />

8 Stunden ausgehärtet und in Luft abgekühlt.<br />

A.2.3 Schleifen<br />

Geschliffen wurden die Proben auf Tellerschleifmaschinen mit Schleifpapieren der Firma<br />

Buehler. Es wurden Papiere mit den Körnungen 320, 400, 800 und schließlich 1200<br />

verwendet.<br />

A.2.4 Polieren<br />

A.2.4.1 Polierautomat „Phoenix 4000“<br />

Auf dem Polierautomaten Phoenix 4000 der Firma Je<strong>an</strong> Wirtz wurden Versuche<br />

unternommen, das Material auf einer Filzunterlage mit Diam<strong>an</strong>tsuspensionen (Buehler<br />

Metadi) der Abstufungen 6µm, 3µm, 1µm zu polieren. Wie aus Abb. A-3 ersichtlich ist<br />

konnte nicht verhindert werden, dass die SiC- Partikel zerbrachen und deren Debris die<br />

<strong>Aluminium</strong>matrix bedeckte.<br />

- 40 -


Abb. A-3: REM- Aufnahme eines Schliffs aus A6061+20%SiC , Partikelgröße 10µm, poliert<br />

am Gerät Phoenix 4000 der Firma Je<strong>an</strong> Wirtz<br />

A.2.4.2 Polierautomat „Minimet Polisher“<br />

Bessere Ergebnisse konnten mit dem Gerät „Minimet Polisher“ von Buehler erzielt werden.<br />

Die Proben wurden mit dem Poliermittel „Buehler Mastermet 0,6µm“ (kolloidales SiO2) bei<br />

den Geräteeinstellungen „mittlere Last“ und „mittlere Geschwindigkeit“ 15 Minuten l<strong>an</strong>g<br />

poliert. Die resultierende Probenoberfläche wies eine <strong>Aluminium</strong>matrix auf, die<br />

verhältnismäßig geringfügig mit SiC – Splittern bedeckt war. Die Siliziumkarbid- Partikel<br />

selbst lagen größtenteils unversehrt vor (Abb. A-4).<br />

- 41 -


Abb. A-4: REM- Aufnahme eines Schliffs aus A6061+10%SiC, Partikelgröße 10µm, poliert<br />

am Gerät „Minimet Polisher“ von Buehler<br />

A.2.4.3 Elektrolytisches Polieren<br />

Vorteilhaft <strong>an</strong> dieser Methode ist, dass die polierte Oberfläche keine Verformungsschicht, die<br />

EBSD- Untersuchungen stört, aufweist. Andererseits wird die <strong>Aluminium</strong>-Matrix stärker<br />

abgetragen als die Partikel. Deswegen erhält m<strong>an</strong> beim elektrolytischen Polieren<br />

Probenoberflächen, <strong>an</strong> denen die SiC- Partikel deutlich aus der <strong>Aluminium</strong>matrix<br />

hervorstehen.<br />

Für die Präparierungsversuche wurde das Gerät „Polectrol“ von Struers benutzt, als Elektrolyt<br />

kam die Lösung A2-I der Firma Struers zum Einsatz.<br />

Proben wurden geschliffen, auf Filztuch mit Tonerde poliert und elektrolytisch poliert. Mit<br />

den Geräteeinstellungen Sp<strong>an</strong>nung 60V, Polierzeit 3sec und Flow3 konnte eine glatt polierte<br />

<strong>Aluminium</strong>matrix erhalten werden, aus der die SiC- Partikel aber 4 µm hervorst<strong>an</strong>den (Abb.<br />

A-5).<br />

Um diesen Höhenunterschied zu mindern variierten wir Sp<strong>an</strong>nung (20V, 40V) und Polierzeit<br />

(3s, 4s, 5s). Bei allen diesen Einstellungen ragten die Partikel 1,5µm bis 2,5µm aus der Matrix<br />

heraus, wobei kleinere Sp<strong>an</strong>nungen und geringere Polierzeiten nicht zu kleineren<br />

Höhenunterschieden zwischen Matrix und Partikel führten. Die erhaltenen Oberflächen<br />

wiesen, wie in Abb. A-6 ersichtlich, in der <strong>Aluminium</strong>matrix eine rau strukturierte Oberfläche<br />

auf.<br />

- 42 -


Abb. A-5: REM- Aufnahme eines Schliffs aus A6061+20%SiC, Partikelgröße 10µm,<br />

elektrolytisch poliert am Gerät „Polectrol“ von Struers, Einstellungen: 60V, 3s, Flow 5<br />

Abb. A-6: REM- Aufnahme eines Schliffs aus A6061+10%SiC, Partikelgröße 10µm,<br />

elektrolytisch poliert am Gerät „Polectrol“ von Struers, Einstellungen: 20V, 4s, Flow 5<br />

- 43 -


A.2.5 Kontrastieren<br />

A.2.5.1 Chemisches Ätzen<br />

Es wurden Proben, die zuvor <strong>an</strong> den Polierautomaten „Phoenix 4000“ oder „Minimet<br />

Polisher“ poliert worden waren mit unterschiedlichen Ätzmitteln, die in Tab. A-1 aufgelistet<br />

sind, beh<strong>an</strong>delt.<br />

Zusammensetzung Wirkung<br />

1 100ml H2O, 10ml HNO3, 6ml HCl, 4ml HF Korngrenzen<br />

2 100ml H2O, 4g Kaliumperm<strong>an</strong>., 1g Natriumplätchen Farbätzung<br />

3 30ml Glyz, 20 ml HF, 10ml HNO3 Korngrenzen<br />

4 100ml HNO3, 92ml H2O, für 30 min Korngrenzen<br />

5 70ml Phosphorsäure, 25ml Schwefelsäure, 5ml HNO3, Ätzzeit Korngrenzen<br />

6 min<br />

6 100ml H2O, 25g Natriumhydroxid Korngrenzen<br />

7 100ml H2O, 5g HF, Ätzzeit 4min Korngrenzen<br />

Tab. A-1: Zusammensetzungen der Ätzmittel<br />

Mit den Reagenzien 1 und 2 ergaben sich Oberflächenbelegungen. Reagenz 3 verursachte<br />

Lochfraß. Mit den Ätzmitteln 5 und 6 konnten im Lichtmikroskop unter Interferenzkontrast<br />

Korngrenzen gesehen werden, im REM aber nicht. Mit dem Ätzmittel 7 gel<strong>an</strong>g es,<br />

Korngrenzen im REM sichtbar zu machen und gleichzeitig eine ausgeprägte Struktur zu<br />

erzeugen (siehe Abb. A-7). Auch EBSD Sc<strong>an</strong>s waren, wenn auch bei hohem Filamentstrom<br />

(am 2. Peak), durchführbar (siehe Anh<strong>an</strong>g C).<br />

Abb. A-7: REM- Aufnahme eines Schliffs aus A6061+10%SiC, Partikelgröße 10µm, poliert<br />

am „Minimet Polisher“, geätzt mit Reagent 7 (siehe Tab. A-1)<br />

- 44 -


Durch den Ätz<strong>an</strong>griff wurde die Verbindungsschicht zwischen Teilchen und Matrix stärker<br />

<strong>an</strong>gegriffen als die Umgebung. Die daraus resultierenden Furchen, die bei<br />

Verformungsversuchen zum Aufreißen der Matrix – Partikel Interfaces führen können, sind<br />

im REM deutlich zu erkennen (Abb. A-8).<br />

Abb. A-8: REM- Aufnahme eines Schliffs aus A6061+10%SiC, Partikelgröße 100µm, poliert<br />

am „Minimet Polisher“, geätzt mit Reagent 7 (siehe Tab. A-1). Bildk<strong>an</strong>tenlänge horizontal<br />

64,5µm.<br />

A.2.5.2 Goldaufsputtern und thermisch beh<strong>an</strong>deln<br />

Eine Probe aus AA6061+20%SiC (Partikelgröße 10µm) wurde geschliffen und mit dem<br />

Polierautomaten „Phoenix 4000“ poliert. Anschließend wurde die Probe für 5 Sekunden wie<br />

in [18] beschrieben mit Gold besputtert und unter Argon 30min bei 530°C wärmebeh<strong>an</strong>delt.<br />

Die Probenoberfläche war nach der Wärmebeh<strong>an</strong>dlung von einer dunklen Schicht bedeckt,<br />

die sich mit der Zeit etwas zurückbildete. Ein REM- Bild der Probe zeigt Abb. A-9. Da dies<br />

keine brauchbaren Kontraste ergab wurde diese Präparationstechnik nicht weiterverfolgt.<br />

A.2.5.3 Thermisches Ätzen<br />

Es wurden Proben, die zuvor <strong>an</strong> den Polierautomaten „Phoenix 4000“ oder „Minimet<br />

Polisher“ poliert worden waren <strong>an</strong>schließend bei den Temperaturen 530°C oder 160°C in<br />

Luft- oder Argonatmosphäre thermisch geätzt. Jene Proben, die bei 530°C in<br />

Argonatmosphäre 30 Minuten belassen wurden zeigten Oberflächenbelegungen wie in Abb.<br />

A-10 zu erkennen ist. Wurde bei den Temperaturen 530°C und 160°C ohne Schutzgas in Luft<br />

wärmebeh<strong>an</strong>delt, so boten REM- Aufnahmen der Probenoberflächen aufgrund dicker<br />

Oxidfilme wenig Kontrast. Proben, die am Gerät „Minimet Polisher“ poliert und <strong>an</strong>schließend<br />

im Vakuumofen für 8 Stunden auf eine Temperatur von 175°C gebracht wurden zeigten im<br />

REM belegungsfreie Oberflächen (Abb. A-11). In der <strong>Aluminium</strong>matrix kamen im REM<br />

Korngrenzen, die im Lichtmikroskop bei Interferenzkontrast gut sichtbar waren, nur<br />

<strong>an</strong>satzweise heraus. EBSD- Sc<strong>an</strong>s <strong>an</strong> diesen Proben wiesen mindere Qualität auf.<br />

- 45 -


Abb. A-9: REM- Aufnahme eines Schliffs aus A6061+20%SiC, Partikelgröße 10µm,<br />

mech<strong>an</strong>isch poliert am Automaten „Phoenix 4000“, goldbesputtert und in Argon bei 530°C<br />

für 30min belassen.<br />

Abb. A-10: REM- Aufnahme eines Schliffs aus A6061+20%SiC, Partikelgröße 10µm,<br />

mech<strong>an</strong>isch poliert am Automaten „Phoenix 4000“, in Argonatmosphäre bei 530°C für 30min<br />

belassen.<br />

- 46 -


Abb. A-11: REM- Aufnahme eines Schliffs aus A6061+10%SiC, Partikelgröße 10µm,<br />

mech<strong>an</strong>isch poliert am Automaten „Minimet Polisher“, in Vakuum bei 175°C für 8 Stunden<br />

ausgelagert.<br />

A.2.5.4 Ionenätzen<br />

An elektrolytisch poliertem 6061<strong>Aluminium</strong> + 20% Al2O3- Partikel wurde diese Ätzmethode<br />

vorerst erprobt. In Verlauf der ersten Versuchsreihe wurden die Proben unter einem Winkel<br />

von etwa 10° zur Probenoberfläche mit Argonionen beschossen [19]. Im Laufe der Versuche<br />

wurde die Ätzzeit systematisch verändert. Bei einer Ätzzeit von 2,75 Stunden konnte ein<br />

Punktmuster erzeugt werden. Durch den schrägen Ionenbeschuß kam es hinter den<br />

herausstehenden Partikeln zu Abschattungen, wie in Abb. A-12 zu sehen ist.<br />

In weiteren Versuchen wurde der Winkel zwischen Probenoberfläche und Ionenstrahl auf 90°<br />

eingestellt [20]. Die Probe wurde bis auf 15mm <strong>an</strong> die Blende der Ionenk<strong>an</strong>one her<strong>an</strong>gerückt.<br />

Bei dieser Anordnung brachten die Einstellungen EHT 5kV, Beam Current 1mA, Vakuum<br />

4,5*10 -3 und Ätzzeit 16 Minuten die besten Ergebnisse.<br />

Mit Material aus pulvermetallurgisch hergestelltem unverstärktem <strong>Aluminium</strong> A6061, das am<br />

Gerät „Minimet Polisher“ poliert worden war, wurden durch Ionenätzen grübchenreiche<br />

Oberflächen erhalten (Abb. A-13).<br />

Das „Minimet - polierte“ Material A6061+10%SiC, Partikelgröße 10µm, wurde <strong>an</strong> den<br />

Grenzschichten zwischen Partikel und <strong>Aluminium</strong>matrix bevorzugt <strong>an</strong>geätzt. In der Matrix<br />

selbst war der Ätzeffekt sehr ungleichmäßig verteilt, wie aus Abb. A-14 ersichtlich ist.<br />

Material, das zuerst elektrolytisch poliert und d<strong>an</strong>n ionengeätzt wurde, zeigte in der<br />

<strong>Aluminium</strong>matrix Korngrenzen und feine Strukturen wie in Abb. A-15.<br />

EBSD- Aufnahmen <strong>an</strong> elektrolytisch polierten, ionengeätzten Proben lieferte gute Ergebnisse,<br />

<strong>an</strong> mech<strong>an</strong>isch polierten, ionengeätzten Proben nicht (siehe Anh<strong>an</strong>g C).<br />

- 47 -


Abb. A-12: REM- Aufnahme eines Schliffs aus A6061+Al2O3- Partikel, elektrolytisch<br />

poliert, d<strong>an</strong>n ionengeätzt für 2,75 Stunden bei EHT 5 kV ,Beam Current 0,75mA, Vakuum<br />

6*10 -3 mbar, Winkel von 10° zwischen Ionenstrahl und Probenoberfläche<br />

Abb. A-13: REM- Aufnahme eines Schliffs aus A6061, poliert am Gerät „Minimet Polisher“,<br />

d<strong>an</strong>n ionengeätzt für 16 Minuten bei EHT 5 kV ,Beam Current 1mA, Vakuum 4,6*10 -3 mbar,<br />

Winkel von 90° zwischen Ionenstrahl und Probenoberfläche<br />

- 48 -


Abb. A-14: REM- Aufnahme eines Schliffs aus A6061+10%SiC, Partikelgröße 10µm, poliert<br />

am Gerät „Minimet Polisher“, d<strong>an</strong>n ionengeätzt für 16 Minuten bei EHT 5 kV ,Beam Current<br />

1mA, Vakuum 4,5*10 -3 mbar, Winkel von 90° zwischen Ionenstrahl und Probenoberfläche<br />

Abb. A-15: REM- Aufnahme eines Schliffs aus A6061+10%SiC, Partikelgröße 100µm,<br />

elektrolytisch poliert, d<strong>an</strong>n ionengeätzt für 16 Minuten bei EHT 5 kV, Beam Current 1mA,<br />

Vakuum 4,5* 10 -3 mbar, Winkel von 90° zwischen Ionenstrahl und Probenoberfläche<br />

- 49 -


A.2.5.5 Thermisches Ätzen und Ionenätzen<br />

Die Proben wurden geschliffen, auf dem Poliergerät „Minimet Polisher“ poliert, im<br />

Vakuumofen für 8 Stunden auf eine Temperatur von 175°C gebracht und ionengeätzt (EHT<br />

5kV, Beam Current 1mA, Vakuum 4,5*10 -3 mbar, Winkel von 90° zwischen Ionenstrahl und<br />

Probenoberfläche).<br />

Die resultierende Schliffoberfläche ist in Abb. A-16 dargestellt. In der <strong>Aluminium</strong>matrix<br />

entstehen Ätzgrübchen, die Interfaces zwischen Partikel und Matrix werden beim Ionenätzen<br />

bevorzugt abgetragen und Korngrenzen werden <strong>an</strong>satzweise sichtbar.<br />

EBSD- Sc<strong>an</strong>s <strong>an</strong> diesen Proben lieferten keine brauchbaren Resultate (siehe Anh<strong>an</strong>g C).<br />

Abb. A-16: REM- Aufnahme eines Schliffs aus A6061+10%SiC, Partikelgröße 10µm,<br />

„Minimet- poliert“, im Vakuumofen thermisch geätzt, Ionengeätzt<br />

A.2.5.6 Diam<strong>an</strong>tsuspension auftragen und trocknen<br />

Materialproben wurden geschliffen und mit dem Automaten „Minimet Polisher“ poliert. Die<br />

polierte Oberfläche wurde mit der Diam<strong>an</strong>tsuspension „Buehler Metadi Supreme 0,25µm“<br />

benetzt, in das Vakuum der Ionenätz<strong>an</strong>lage gelegt und für eine halbe Stunde mit den<br />

Einstellungen EHT 5kV, Beam Current 1mA, Vakuum 4,5*10 -3 mbar gesputtert. Die<br />

präparierte Oberfläche außerhalb der Sputtergrube sah <strong>an</strong> bestimmten Stellen wie Abb. A-17<br />

aus. Wahrscheinlich begünstigten die beim Sputtern entst<strong>an</strong>dene Wärme und das Vakuum das<br />

Abdampfen der Polierflüssigkeit und es blieben nur gleichmäßig verteilt Diam<strong>an</strong>tpartikel auf<br />

der Probenoberfläche zurück. An <strong>an</strong>deren Stellen ergab sich ein Aussehen wie in Abb. A-18.<br />

Hier erzeugten weniger die Diam<strong>an</strong>tpartikel als Rückstände der Polierflüssigkeit eine<br />

Struktur.<br />

- 50 -


Abb. A-17: REM- Aufnahme eines Schliffs aus A6061+20%SiC, Partikelgröße 10µm,<br />

„Minimet- poliert“, mit Diam<strong>an</strong>tsuspension benetzt, in Ionenätz<strong>an</strong>lage präpariert<br />

Abb. A-18: REM- Aufnahme eines Schliffs aus A6061+10%SiC, Partikelgröße 10µm,<br />

„Minimet- poliert“, mit Diam<strong>an</strong>tsuspension benetzt, in Ionenätz<strong>an</strong>lage präpariert<br />

- 51 -


A.3 Probenpräparierung – Ergebnisse<br />

Weil kein Präparationsweg gefunden wurde, der alle in Abschnitt A.1 festgelegten<br />

Anforderungen erfüllt, werden hier jene vier Vari<strong>an</strong>ten <strong>an</strong>geführt, die dem Ziel am nächsten<br />

kommen. Sie sind in Abb. A-19 dargestellt. Den Vari<strong>an</strong>ten ist jeweils eine Nummer zugeteilt,<br />

unter der die Eigenschaften der Präparate im folgenden beschrieben werden. Vorteile sind mit<br />

+ und Nachteile mit – gekennzeichnet.<br />

Probenfertigung<br />

Wärmebeh<strong>an</strong>dlung<br />

Schleifen<br />

Polieren<br />

Minimet Polisher<br />

Kontrastieren<br />

Wärme-<br />

Beh<strong>an</strong>dlung -<br />

Therm. Ätzen<br />

Lösungsglühen Aushärten<br />

Auhärten<br />

In Vakuum<br />

Elektrolytisch<br />

Chem. Ätzen<br />

Diam<strong>an</strong>tsuspension<br />

Ionenätzen<br />

Abb. A-19: Schema der für In-situ Zugversuche geeigneten Präparationsvari<strong>an</strong>ten<br />

1. Nach der Probenfertigung wird die Probe wärmebeh<strong>an</strong>delt, geschliffen, auf Filztuch<br />

mit Tonerde poliert und elektrolytisch poliert (Einstellungen: 20-40V, 3-5s, Flow3)<br />

(Abb. A-6).<br />

+ Die SiC Partikel werden nicht beschädigt.<br />

+ Die Oberfläche weist eine kontrastreiche Struktur auf.<br />

+/- Der Höhenunterschied zwischen Matrix und Partikel liegt mit 1,5 µm bis 2,5 µm in<br />

einem vertretbaren Bereich.<br />

- Die Verformungsschicht wird beim elektrolytischen Polieren abgetragen, allerdings<br />

k<strong>an</strong>n die Oberflächenbelegung EBSD-Aufnahmen stören.<br />

- Korngrenzen sind nicht sichtbar.<br />

- Geringe Reproduzierbarkeit.<br />

2. Nach der Probenfertigung wird die Probe wärmebeh<strong>an</strong>delt, geschliffen, auf dem<br />

Automaten „Minimet Polisher“ poliert und mit Ätzmittel 7 (Tab. A-1) geätzt (Abb.<br />

A-7).<br />

+ Die SiC Partikel werden nicht beschädigt.<br />

+ Der Höhenunterschied zwischen Matrix und Partikel ist gering.<br />

+ Die Verformungsschicht wird beim chemischen Ätzen abgetragen, EBSD-Aufnahmen<br />

können bei hohem Filamentstrom (2. Peak) aufgenommen werden.<br />

- 52 -<br />

1<br />

2<br />

3<br />

4


+ Die Oberfläche weist eine kontrastreiche Struktur auf.<br />

+ Korngrenzen sind sichtbar.<br />

- Die Interfaces zwischen Matrix und Partikel werden bevorzugt aufgelöst, sodass beim<br />

in-situ Zugversuch die Interfaces aufgrund der Präparation aufreißen können.<br />

3. Nach der Probenfertigung wird die Probe wärmebeh<strong>an</strong>delt, geschliffen, auf dem<br />

Automaten „Minimet Polisher“ poliert. Im Weiteren wird wie in Abschnitt A.2.5.6<br />

beschrieben Diam<strong>an</strong>tsuspension aufgetragen und getrocknet (Abb. A-18).<br />

+ Die SiC Partikel werden nicht beschädigt.<br />

+ Kein Höhenunterschied zwischen Matrix und Partikel.<br />

+ Die Oberfläche weist eine kontrastreiche Struktur auf.<br />

- EBSD Sc<strong>an</strong>s können nicht durchgeführt werden.<br />

- Korngrenzen sind nicht sichtbar.<br />

4. Nach der Probenfertigung wird die Probe lösungsgeglüht, geschliffen, auf dem<br />

Automaten „Minimet Polisher“ poliert, wie in Abschnitt A.2.5.5 beschrieben in<br />

Vakuum ausgehärtet und Ionengeätzt (Abb. A-16).<br />

+ Die SiC Partikel werden nicht beschädigt.<br />

+ Kein Höhenunterschied zwischen Matrix und Partikel.<br />

+/- Die Oberfläche weist eine weniger kontrastreiche Struktur auf<br />

+/- Korngrenzen werden <strong>an</strong>geätzt, sind aber nicht vollständig sichtbar.<br />

- EBSD Sc<strong>an</strong>s können nicht durchgeführt werden.<br />

- 53 -


B Vorversuche zur Automatischen <strong>Verformungsmessung</strong><br />

Zur Erstellung von Verformungskarten werden REM-Bilder eines bestimmten Bereiches einer<br />

Zugprobe bei verschiedenen Verformungsstufen im Verlaufe eines In-situ-Zugversuchs<br />

aufgenommen, elektronisch verarbeitet und die Ergebnisse in Konturplots dargestellt. Dabei<br />

beeinflussen Bildaufnahme, Ermittlung der Verschiebungsdaten mithilfe eines Matching–<br />

Algorithmus, Datenauswertung und Datenvisualisierung das Resultat.<br />

Die Vorversuche dienten dem Zweck, eine vorteilhafte Vorg<strong>an</strong>gsweise für die<br />

<strong>Verformungsmessung</strong> zu finden.<br />

B.1 Bildaufnahme<br />

Die Aufnahmen wurden in einem Rasterelektronenmikroskop der Type „Leo Stereosc<strong>an</strong> 440“<br />

durchgeführt. Die Mikroskop– interne Karte liefert Bilder der Größe 1024x768 Pixel.<br />

Zusätzlich st<strong>an</strong>d uns eine externe Bildkarte der Firma „Softpoint Elektronics“, die Aufnahmen<br />

der Größe 4000x3200 erlaubt, zur Verfügung.<br />

Folgend werden wichtige Einflussfaktoren bei der Bildaufnahme aufgezählt und beschrieben.<br />

Detektor: Bilder, die mit dem Sekundärelektronen– Detektor aufgenommen wurden lieferten<br />

kontrastreichere Bilder als jene mit dem Backscatter– Detektor.<br />

Filament: das Wolfram – Filament wurde auf das 2. Emissionsmaximum eingestellt um<br />

höchste Bildqualität zu erhalten.<br />

Beschleunigungssp<strong>an</strong>nung: Bei geringen Beschleunigungssp<strong>an</strong>nungen konnten die bei der<br />

Probenpräparierung erzeugten Oberflächenstrukturen am besten abgebildet werden. Gute<br />

Ergebnisse erzielten wir bei der Einstellung 5kV.<br />

Kontrast/Helligkeit: Weil die Proben während der Bildaufnahme im REM kontaminierten,<br />

wodurch die Proben dunkler wurden, mussten Helligkeit und Kontrast in Laufe der in-situ<br />

Zugversuche nachgestellt werden. Dieser Effekt trat bei höheren Vergrößerungen stärker auf.<br />

Die Kontamination hing auch von der Probenpräparation ab.<br />

An Thermisch geätzten und <strong>an</strong> gesputterten Proben trat besonders starke Kontamination der<br />

<strong>Aluminium</strong>- Matrix auf, weniger stark betraf das die SiC- Partikel. Wurde mit dem Ziel, eine<br />

möglichst kontrastreiche Alu- Matrix abzubilden die Helligkeit erhöht, so konnten die SiC-<br />

Partikel überstrahlt werden. Die überstrahlten Bereiche wiederum verursachten Fehler bei der<br />

Auswertung der Bilder zur Berechnung der lokalen Verformungen.<br />

An chemisch geätzten Proben trat vergleichsweise schwache Kontamination auf, wodurch die<br />

Bildaufnahme erleichtert wurde.<br />

Vergrößerung: Um diesen Einfluss zu erfassen wurden von einer polierten, geätzten Probe<br />

bei 200facher Vergrößerung zwei Bilder <strong>an</strong>gefertigt ohne dazwischen die Probe zu<br />

verformen, oder zu bewegen. Diese Prozedur wurde bei 2000facher Vergrößerung wiederholt.<br />

Jeweils eines der Bilder bei 200facher bzw. 2000facher Vergrößerung sind in Abb. B-1–a<br />

dargestellt. Mit dem Bilderpaar mit 200facher Vergrößerung wurden die Dehnungskarten εx<br />

und εy, die in Abb. B-1–b dargestellt sind erstellt. Genauso wurde mit den Bildern mit<br />

2000facher Vergrößerung verfahren (Abb. B-1–c).<br />

Weil die Proben während des Versuchs nicht verformt wurden sollten die in Abb. B-1 b und c<br />

dargestellten Verformungskarten die Dehnung ε=0% <strong>an</strong>zeigen und also in einheitlichem grün<br />

erscheinen. Die Verformungskarten in Abb. B-1 aber beinhalten Fehler, die bei höherer<br />

Vergrößerung ausgeprägter werden (Abb. B-1–b, Abb. B-1–c). Mit steigender<br />

Bildvergrößerung sinkt also die Genauigkeit der <strong>Verformungsmessung</strong>.<br />

Externe/Interne Bildkarte: Die Verformungskarten in Abb. B-1–b und Abb. B-1–c wurden<br />

mit REM-Aufnahmen <strong>an</strong>gefertigt, die mit der externen Bildkarte aufgezeichnet worden<br />

- 54 -


waren. Für Abb. B-1–d wurden Verformungskarten aus Bildern erzeugt, die mit der externen<br />

Bildkarte erstellt worden waren.<br />

Ein Vergleich der εxx Dehnungskarten in Abb. B-1–c und Abb. B-1–d zeigt wesentlich<br />

geringere Fehler bei Verwendung der externen Bildkarte.<br />

Andererseits zeigen die εyy Dehnungskarten bei Verwendung der externen Bildkarte eine<br />

Welle in vertikaler Richtung. Wie ein Vergleich der εyy- Dehnungskarten Abb. B-1–b, Abb.<br />

B-1–c zeigt nimmt die Welligkeit mit steigender Vergrößerung zu. Bei -n-situ Zugversuchen<br />

traten bei Aufnahmen mit der externen Bildkarte in εxx– Dehnungskarten Wellen in<br />

horizontaler Richtung auf. Ursache für diesen Fehler könnte die Steuerung der<br />

Strahlablenkung der externen Bildkarte sein.<br />

Mit Bildern der Auflösung 4000x3200 k<strong>an</strong>n m<strong>an</strong> bei gleich großem Aufnahmebereich feinere<br />

Strukturen auflösen als mit Bildern der Größe 1024x768. Das k<strong>an</strong>n die Wahrscheinlichkeit<br />

erhöhen, dass der Matching- Algorithmus eine ausreichend hohl Zahl <strong>an</strong> homologen Punkten<br />

findet um lokale Deformationen berechnen zu können. Außerdem erlauben es Bilder hoher<br />

Auflösung, Details zu vergrößern, während bei Verwendung von Bildern geringerer<br />

Auflösung neue REM- Aufnahmen höherer Vergrößerung erstellt werden müssten. Aus<br />

diesem Grund wurden bei der Durchführung der in-situ Zugversuche Bilder der Auflösung<br />

4000x3200 mit der externen Bildkarte aufgenommen.<br />

Mit der externen Bildkarte wurden Aufnahmen der Größe 4000x3200 Pixel gemacht, was eine<br />

Aufnahmezeit von ungefähr 13 Minuten pro Bild bedeutete. Während dieser l<strong>an</strong>gen<br />

Aufnahmezeit kam es m<strong>an</strong>chmal und unkontrolliert zu plötzlichen Änderungen des Fokus,<br />

was sich in den Aufnahmen in scharfen horizontalen Trennlinien zwischen Bereichen<br />

unterschiedlicher Schärfe m<strong>an</strong>ifestierte. Das verursachte Fehler in den Verformungskarten<br />

(Pfeil in Abb. B-1–c, εxx).<br />

Bilder mit einer Auflösung 4000x3200 haben eine in etwa 4 mal kleinere Pixelgröße als<br />

Bildern der Auflösung 1024x768. Bei kleiner Pixelgröße können auch kleinere Strukturen<br />

abgebildet werden, was die Wahrscheinlichkeit erhöht, dass der Matching-Algorithmus eine<br />

ausreichende Zahl von homologen Punkten findet. Während sich aus Dehnungskarten kleiner<br />

Pixelgröße Details einfach vergrößern lassen müssen bei Verwendung von Bildern mit großer<br />

Pixelgröße von Details gesonderte REM-Aufnahmen gemacht und ausgewertet werden.<br />

Für die automatische <strong>Verformungsmessung</strong> im Rahmen der in-situ Zugversuche wurden<br />

daher Bilder der Auflösung 4000x3200 mit der externen Bildkarte aufgenommen.<br />

- 55 -


a: Aufnahmen der Schliffoberfläche. Links 200fache, rechts 2000fache Vergrößerung<br />

εxx εyy<br />

b: Externe Bildkarte, 4000x3200, 200fache Vergrößerung, Pixelsize 0.34µm<br />

εxx εyy<br />

c: Externe Bildkarte, 4000x3200, 2000fache Vergrößerung, Pixelsize 0.034µm<br />

εxx εyy<br />

d: Interne Bildkarte Leo 440, 1024x768, 2000fache Vergrößerung, Pixelsize 0.13µm<br />

Abb. B-1: Abhängigkeit des Resultats der automatischen <strong>Verformungsmessung</strong> von der<br />

Vergrößerung und der verwendeten Bildkarten.<br />

- 56 -


B.2 Matcher<br />

Zur Auswertung der REM-Aufnahmen wird das im Dos-Modus arbeitende Programm<br />

„Esimatch“ verwendet. Dabei werden die Bilder zweier Verformungsstufen durch einen<br />

numerischen Algorithmus verglichen. Das Ergebnis des Vorg<strong>an</strong>ges ist ein Textfile, in dem die<br />

Koordinaten homologer Punkte der beiden Bilder aufgelistet sind.<br />

Besonderen Einfluss auf das Ergebnis der <strong>Verformungsmessung</strong> haben folgende zwei<br />

Parameter:<br />

Grid: Dieser Parameter bestimmt, wie viele homologe Punkte das Programm in den Bildern<br />

sucht. Ein Wert von 4 bedeutet etwa, dass das Programm versucht, für jedes 4. Pixel einen<br />

homologen Punkt zu finden.<br />

An Bildern der Auflösung 4000x3200 wurde der Parameter normalerweise auf 16, bei<br />

Detailauswertungen auf 4 gesetzt.<br />

Threshold: Ein Paar homologer Punkte k<strong>an</strong>n von dem Programm nicht mit absoluter<br />

Sicherheit erk<strong>an</strong>nt werden. Die Wahrscheinlichkeit, dass ein gefundenes Paar homologer<br />

Punkte richtig ist wird mit einer Zahl zwischen null (Punkte falsch) und eins (Punkte richtig)<br />

bewertet. Der Wert „Threshold“ bestimmt den Wahrscheinlichkeits- Schwellwert, über dem<br />

ein homologes Punktepaar als Richtig <strong>an</strong>genommen wird.<br />

Der Einflusses des Parameters „Threshold“ auf das Ergebnis der automatischen<br />

<strong>Verformungsmessung</strong> soll nun ver<strong>an</strong>schaulicht werden.<br />

Die Darstellungen in Abb. B-2 betreffen eine Probe aus <strong>Aluminium</strong> mit 10% SiC- Partikel der<br />

Größe 10µm, die durch chemisches Ätzen kontrastiert wurde. In der linken Spalte von Abb.<br />

B-2 sind zwei Partikel und die sie umgebende <strong>Aluminium</strong>matrix bei einer globalen Dehnung<br />

von εglobal =0% dargestellt. Diese wurden mit Aufnahmen der gleichen Stelle bei einer<br />

globalen Dehnung von εglobal=3,2% mit unterschiedlichem Wert für den Parameter<br />

„Threshold“ gematcht. Die vom Matching- Algorithmus gefundenen homologen Punkte sind<br />

als rote Kreuze in die REM- Bilder eingezeichnet. Mit steigendem „Threshold“ gibt das<br />

Programm Datenfiles mit einer geringeren Anzahl <strong>an</strong> homologen Punkten aus. So fällt die<br />

Zahl dieser von 21470 homologen Punkten bei einem Threshold von 0,5 auf lediglich 8200<br />

bei Threshold 0,9 ab.<br />

- 57 -


Abb. B-2: Einfluss des Parameters „Threshold” auf das Ergebnis der automatischen<br />

<strong>Verformungsmessung</strong> bei geätzten Probenoberflächen. Threshold von oben nach unten: 0.5,<br />

0.7, 0.8, 0.9. Links: Ausschnitt eines REM- Bildes mit eingezeichneten homologen Punkten.<br />

Rechts: Konturplot der Dehnung εxx.<br />

- 58 -


In Abb. B-2 sind rechts von den REM- Bildern die dazugehörigen εxx- Dehnungskarten<br />

dargestellt. Sie zeigen, dass die Partikel keine Deformation erfahren (blaue - hellblaue Zonen)<br />

während die Matrix deutlich verformt wird (blauer bis grüner Bereich). Der rot- gelbe Streifen<br />

hoher Dehnung zeigt das Reißen des Matrix- Partikel- Interfaces <strong>an</strong>.<br />

Die Dehnungskarten, die von oben nach unten nach steigendem „Threshold“ gereiht sind<br />

weisen nur geringe Unterschiede auf. Ein hoher Threshold bewirkt eine leichte Abnahme von<br />

Matchfehlern, dafür gehen Informationen über die lokale Verformung verloren, weil nicht<br />

mehr das g<strong>an</strong>ze Bild von homologen Punkten abgedeckt wird (linke Spalte in Abb. B-2).<br />

Die Abb. B-3 betrifft eine Probe aus <strong>Aluminium</strong> mit 10% SiC- Partikel der Größe 10µm, die<br />

durch thermisches Ätzen und Ionenätzen kontrastiert wurde. In der linken Spalte von Abb.<br />

B-3 sind wiederum zwei Partikel und die sie umgebende <strong>Aluminium</strong>matrix bei einer globalen<br />

Dehnung von εglobal =0% dargestellt. Diese wurden mit Aufnahmen der gleichen Stelle bei<br />

einer globalen Dehnung von εglobal=2,9% mit unterschiedlichem Wert für den Parameter<br />

„Threshold“ gematcht. Die vom Matching- Algorithmus gefundenen homologen Punkte sind<br />

wieder als rote Kreuze in die REM- Bilder eingezeichnet. Auch hier gibt das Programm mit<br />

steigendem Threshold eine geringere Anzahl <strong>an</strong> homologen Punkten aus. So fällt die Zahl<br />

dieser hier von 11501 homologen Punkten bei einem Threshold von 0,5 auf lediglich 2452 bei<br />

Threshold 0,9 ab. Allgemein sind die homologen Punkte bei ionengeätzten Proben sehr<br />

inhomogen auf den Bildern verteilt und konzentrieren sich <strong>an</strong> Ätzgrübchen und<br />

Partikelrändern.<br />

In Abb. B-3 sind rechts von den REM- Bildern wieder die dazugehörigen εx- Dehnungskarten<br />

dargestellt. Sie alle weisen eine starke Unregelmäßigkeit auf, was auf die inhomogene<br />

Verteilung der homologen Punkte in den REM- Aufnahmen und auf die „weiche“, für den<br />

Matching- Algorithmus schwer zu erkennende Sputterstruktur zurückzuführen ist. Auf der<br />

rechten Seite der Dehnungskarten zeigen die roten Bereiche höhere Dehnungen <strong>an</strong> als die<br />

linke Seite mit blauen und grünen Bereichen. Im Zentrum der Karten weisen direkt<br />

nebenein<strong>an</strong>der liegende weiße (größere negative Dehnungen) und rot-gelbe Bereiche auf<br />

besonders grobe Matchfehler hin.<br />

Die Dehnungskarten sind wieder von oben nach unten nach steigendem Threshold gereiht.<br />

Mit steigendem Threshold wird die Zahl der Matchfehler kaum geringer. Weil bei höherem<br />

Threshold in immer größeren Bereichen der Bilder keine homologen Punkte gefunden werden<br />

ist die Aussagekraft von Verformungsdaten, die mit zu hohem Threshold ermittelt wurden<br />

gering.<br />

Die Ursache der besonders gravierenden Fehler im Zentrum der Verformungsmaps ist aus<br />

Abb. B-4 ersichtlich. Die Matrix einer gesputterten Probe wird während der Aufnahme der<br />

REM- Bilder zunehmend kontaminiert, was durch die Steigerung der Helligkeit kompensiert<br />

werden muss. D<strong>an</strong>n besteht aber die Gefahr, dass helle Bildbereiche überstrahlt werden. Bei<br />

der Dehnung von εglobal=2,9% wurde von der mittlerweile kontaminierten Probe das rechte<br />

obere Bild (Abb. B-4) aufgenommen, auf dem ein vertikaler Streifen im Zentrum überstrahlt<br />

ist und weiß erscheint. Die Verformungskarten, die sich errechnen, wenn m<strong>an</strong> das linke und<br />

rechte Bild von Abb. B-4 matcht, wurden im letzten Absatz beschrieben und sind in Abb. B-3<br />

dargestellt. Werden aber die Fehler, die bei dreidimensionaler Auftragung der<br />

Verschiebungsdaten im Programm „Mex“ mit freiem Auge erk<strong>an</strong>nt werden gelöscht, so k<strong>an</strong>n<br />

eine korrigierte Verschiebungskarte erstellt werden (Abb. B-4 unten rechts). Auf dieser<br />

Verschiebungskarte k<strong>an</strong>n der überstrahlte Bereich im REM- Bild als Riss des Matrix- Partikel<br />

Interfaces interpretiert werden.<br />

- 59 -


Abb. B-3: Einfluß des Parameters „Threshold” auf das Ergebnis der automatischen<br />

<strong>Verformungsmessung</strong> bei gesputterten Probenoberflächen. Threshold von oben nach unten:<br />

0.5, 0.7, 0.8, 0.9. Links: REM-Bild mit eingezeichneten homologen Punkten, Pixel Size<br />

0,034µm. Rechts: Konturplot der Dehnung εxx.<br />

- 60 -


ε global= 0%<br />

Homologe Punkte<br />

nicht korrigiert<br />

- 61 -<br />

ε global= 2,9%<br />

Homologe Punkte<br />

korrigiert<br />

Abb. B-4: Oben: REM- Aufnahmen zweier Verformungsstufen einer ionengeätzten in-situ<br />

Zugprobe. Unten: Auswirkung der händischen Korrektur der homologen Punkte auf die<br />

Verformungskarte εxx (Threshold 0,7).


Durch geeignete Wahl des Parameters Threshold können Matchfehler ein wenig verringert<br />

werden, einen viel größeren Einfluss hat aber die Probenpräparation. Für die eigentlichen<br />

<strong>Verformungsmessung</strong>en wurden nur wirklich gut präparierte Proben wie jene in Abb. B-2<br />

verwendet. Ein zu hoher Threshold- Wert bewirkt, dass in größeren zusammenhängenden<br />

Bildbereichen keine homologen Punkte gefunden werden. Zur <strong>Verformungsmessung</strong> <strong>an</strong> Insitu-<br />

Zugproben wurde der Parameter Threshold auf 0,7 gesetzt.<br />

B.3 Auswertung der Verschiebungsdaten und Darstellung von<br />

Verformungskarten<br />

Das Programm „Surfer 7“ von Golden Software Inc. wird zur Umrechnung und Darstellung<br />

der Dehnungskarten aus dem Ausgabefile des Matching- Algorithmus benutzt. Einstellungen,<br />

die einen Einfluss auf das Erscheinungsbild der Dehnungskarten haben werden nachfolgend<br />

beschrieben.<br />

Tri<strong>an</strong>gulieren: Bei Verwendung von REM- Aufnahmen der Größe 4000x3200 Pixel wurde<br />

eine Stützweite von 16 Pixel eingestellt. In Auswertungen von Details der REM- Bilder<br />

betrug die Stützweite auf 4 Pixel.<br />

Glätten: Es wird eine Matrix-Glättung verwendet. Die Einstellungen sind: Method= Average,<br />

Weight of Matrix Center= 2, Rows on Either Side of Center=2, Columns on Either Side of<br />

Center= 2.<br />

Eine Beschreibung der automatischen <strong>Verformungsmessung</strong> ist in der Dissertation von<br />

Arnold Tatschl enthalten [21].<br />

- 62 -


C Vorversuche zur EBSD- Technik<br />

C.1 Verwendete Geräte<br />

Rasterelektronenmikroskop: „Leo Stereosc<strong>an</strong> 440“<br />

Kamera: “Merlin LTC 216 F40E“. Wegen eines Defektes kam es zeitweise zu Bildausfällen<br />

und plötzlichen Helligkeitsschw<strong>an</strong>kungen.<br />

Camera Control Unit: “Custom Cameras 2052”<br />

Steuerung: TSL MSC 100 von “TexSEM Labs. Inc. “.<br />

Computerprogramme: OIM Analysis 3.03 und OIM Data Collection 3.02 von „Tex Sem<br />

Laboratories“.<br />

C.2 Vorversuche<br />

Verschiedene Probenpräparationen wurden auf ihre Eignung zur Aufnahme von EBSD- Sc<strong>an</strong>s<br />

hin untersucht.<br />

Das Datenaufnahmeprogramm „OIM Data Collection“ ermöglicht die Erkennung mehrerer<br />

Phasen bei der Auswertung der EBSD- Pattern. Bei Nutzung dieser Möglichkeit <strong>an</strong> Proben<br />

aus dem pulvermetallurgisch hergestellten Verbundmaterial <strong>Aluminium</strong> A6061 +<br />

Siliziumkarbid wurden viele Messpunkte der falschen Phase zugeordnet. Grund dafür könnte<br />

die bei den Versuchen allgemein schlechte Patternqualität und die Ähnlichkeit der<br />

Kristallstrukturen von <strong>Aluminium</strong> und Siliziumkarbid sein. Deswegen wurde auf diese Option<br />

verzichtet, als Phase wurde <strong>Aluminium</strong> gewählt.<br />

Die Tab. C-1 zeigt eine Aufstellung der durchgeführten EBSD- Sc<strong>an</strong>s und ihre Bewertung.<br />

Material Präparation<br />

Anzahl der<br />

Punkte<br />

Tab. C-1: Aufstellung der EBSD- Sc<strong>an</strong>s<br />

Indizierte<br />

Punkte<br />

Indizierte<br />

Punkte(%)<br />

Average<br />

IQ<br />

Average<br />

CI<br />

Die Sc<strong>an</strong>s wurden <strong>an</strong>h<strong>an</strong>d folgender Zahlen bewertet:<br />

• Anzahl der Punkte<br />

• Indizierte Punkte: Anzahl der Messpunkte, die von der Software „OIM Data<br />

Collection“ indiziert wurden. Die Indizierung k<strong>an</strong>n aber falsch sein.<br />

• Indizierte Punkte (%): Anteil der indizierten Messpunkte<br />

- 63 -<br />

Filamenteinstellung<br />

A6061 Elektrolytisch poliert 612 504 82% 56,8 0,13 1. Peak<br />

A6061<br />

A6061 +<br />

10%Sic<br />

(10µm)<br />

A6061 +<br />

10%Sic<br />

(10µm)<br />

A6061 +<br />

10%Sic<br />

(10µm)<br />

A6061 +<br />

10%Sic<br />

(100µm)<br />

Elektrolytisch poliert,<br />

ionengeätzt<br />

„Minimet“ poliert,<br />

thermisch geätzt<br />

(Vakuum)<br />

„Minimet“ poliert,<br />

thermisch geätzt<br />

(Vakuum), ionengeätzt<br />

„Minimet“ poliert,<br />

chemisch geätzt<br />

„Minimet“ poliert,<br />

chemisch geätzt<br />

612 414 68% 43,9 0,07 1. Peak<br />

612 335 55% 44,8 0,06 1. Peak<br />

612 246 40% 37,2 0,03 1. Peak<br />

30839 13507 44% 38,3 0,03 1. Peak<br />

3066 1938 63% 56,0 0,09 2. Peak


• Average Image Quality (IQ): Der Image Quality Parameter beschreibt die Qualität der<br />

Electron Backscatter Diffraction Pattern. Der IQ Parameter ist die Summe der<br />

detektierten Peaks in der Hough- Tr<strong>an</strong>sformation. Er ist vom Material und dem<br />

Materialzust<strong>an</strong>d abhängig und ist keine absolute Zahl sondern eine Funktion der<br />

Aufnahmetechnik der Pattern [22].<br />

• Average Confidence Index (CI): Dieser Parameter wird bei der automatischen<br />

Indizierung der Diffraction Pattern berechnet. Zu einem Pattern können einige<br />

mögliche Orientierungen mit mehr oder weniger großer Sicherheit gefunden werden.<br />

Die Software reiht diese Orientierungen nach einem „Voting Scheme“. Der CI basiert<br />

auf dem „Voting Scheme“ und berechnet sich nach der Formel CI=(V1-V2)/Videal,<br />

wobei V1 und V2 die Zahl der Votes für die erste und zweite Lösung sind und Videal die<br />

Zahl aller möglichen Votes ist. Der CI k<strong>an</strong>n Werte zwischen 0 und 1 einnehmen.<br />

Einem EBSD, das nicht <strong>an</strong>alysiert werden konnte wird der Wert –1 zugewiesen [22].<br />

Weiters wurden die Sc<strong>an</strong>s in Inverse Polefigure Maps und Image Quality Maps<br />

dargestellt. Das in Abb. C-1 abgebildete St<strong>an</strong>darddreieck enthält den Farbcode für die<br />

Gitterorientierungen bezüglich einer äußeren Probenachse und erlaubt die Zuordnung<br />

unterschiedlicher Bereiche der Inverse Polefigure Maps.<br />

Abb. C-1: Farbcode bei der Orientierungszuweisung in Orientierungskarten<br />

C.2.1 Elektrolytisch polierte Probe<br />

Eine Probe aus unverstärktem pulvermetallurgisch hergestelltem <strong>Aluminium</strong> A6061 wurde<br />

mit den Einstellungen 60V, 5s, Flow 3 elektrolytisch poliert um die Verformungsschicht<br />

abzutragen.<br />

Aus dem EBSD- Sc<strong>an</strong> wurden die Maps in Abb. C-2 erstellt. Trotz relativ hoher Average<br />

Image Quality (siehe Tab. C-1) wurden viele Punkte nicht oder „falsch“ indiziert. Grund dafür<br />

könnten Oxide <strong>an</strong> den Oberflächen der <strong>Aluminium</strong>pulverteilchen oder Ausscheidungen sein.<br />

- 64 -


Abb. C-2: EBSD- Sc<strong>an</strong> einer elektrolytisch polierten Probe aus pulvermetallurgisch<br />

hergestelltem A6061. Links und Mitte: Inverse Polefigure Map, rechts: Image Quality Map.<br />

C.2.2 Elektrolytisch polierte und ionengeätzte Probe<br />

Eine Probe aus unverstärktem pulvermetallurgisch hergestelltem <strong>Aluminium</strong> A6061 wurde<br />

mit den Einstellungen 60V, 5s, Flow 3 elektrolytisch poliert und ionengeätzt (EHT 5kV,<br />

Beam Current 1mA, Vakuum 4,5*10 -3 mbar, Winkel von 90° zwischen Ionenstrahl und<br />

Probenoberfläche).<br />

Die aus dem EBSD- Sc<strong>an</strong> erstellten Maps sind in Abb. C-3 dargestellt. Der Vergleich der<br />

EBSD- Sc<strong>an</strong>s einer elektrolytisch polierten Probe und einer elektrolytisch polierten,<br />

ionengeätzten Probe zeigt, dass der Anteil der indizierten Punkte, die Average IQ und der<br />

Average CI durch Ionenätzen gesenkt wurden (siehe Tab. C-1).<br />

Das Ionenätzen minderte also die Qualität der erhaltenen EBSD- Sc<strong>an</strong>s <strong>an</strong> der elektrolytisch<br />

polierten Probe.<br />

Abb. C-3: EBSD- Sc<strong>an</strong> einer elektrolytisch polierten, ionengeätzen Probe aus<br />

pulvermetallurgisch hergestelltem A6061. Links und Mitte: Inverse Polefigure Map, rechts:<br />

Image Quality Map.<br />

C.2.3 „Minimet“- polierte und thermisch geätzte Probe<br />

Eine Probe aus pulvermetallurgisch hergestelltem <strong>Aluminium</strong> A6061 mit 10% SiC- Partikel<br />

der Größe 10µm wurde am Automaten „Minimet Polisher“ poliert und in Vakuum 8h bei<br />

175°C thermisch geätzt (siehe A.2.5.3).<br />

Die aus dem EBSD- Sc<strong>an</strong> erstellten Maps sind in Abb. C-4 dargestellt. Die zwei helleren<br />

Bereiche in der oberen Hälfte der Image Quality Map sind die Abbilder zweier SiC- Partikel.<br />

Der rechte der beiden Partikel wurde bei der automatischen Analyse der EBSD- Pattern<br />

fälschlicherweise als <strong>Aluminium</strong> erk<strong>an</strong>nt und in den Inverse Polefigure Maps violett bzw.<br />

grün dargestellt.<br />

Bei diesem Sc<strong>an</strong> wurden nur 55% der Messpunkte indiziert, dabei sind einige dieser<br />

wahrscheinlich falsch da sie eine schlechte Image Quality aufweisen (siehe Tab. C-1).<br />

- 65 -


Abb. C-4: EBSD- Sc<strong>an</strong> einer „Minimet“- polierten, thermisch geätzten Probe aus<br />

pulvermetallurgisch hergestelltem A6061+10% SiC (Partikelgröße 10µm). Links und Mitte:<br />

Inverse Polefigure Map, rechts: Image Quality Map.<br />

C.2.4 „Minimet“- polierte, thermisch geätzte und ionengeätzte Probe<br />

Eine Probe aus pulvermetallurgisch hergestelltem <strong>Aluminium</strong> A6061 mit 10% SiC- Partikel<br />

der Größe 10µm wurde am Automaten „Minimet Polisher“ poliert, in Vakuum 8h bei 175°C<br />

thermisch geätzt und ionengeätzt (siehe A.2.5.5). Die aus dem EBSD- Sc<strong>an</strong> erstellten Maps<br />

sind in Abb. C-5 dargestellt.<br />

Die Qualität dieser EBSD- Sc<strong>an</strong>s ist noch niedriger als jene <strong>an</strong> „Minimet“- polierten,<br />

thermisch geätzten Proben (siehe Tab. C-1).<br />

Abb. C-5: EBSD- Sc<strong>an</strong> einer „Minimet“- polierten, thermisch geätzten, ionengeätzten Probe<br />

aus pulvermetallurgisch hergestelltem A6061+10% SiC (Partikelgröße 10µm). Links und<br />

Mitte: Inverse Polefigure Map, rechts: Image Quality Map.<br />

C.2.5 „Minimet“- polierte, chemisch geätzte Probe<br />

Eine Probe aus pulvermetallurgisch hergestelltem <strong>Aluminium</strong> A6061 mit 10% SiC- Partikel<br />

der Größe 10µm wurde am Automaten „Minimet Polisher“ poliert, und mit dem Reagent 7,<br />

Tab. A-1 geätzt.<br />

Die aus dem EBSD- Sc<strong>an</strong> erstellten Maps sind in Abb. C-6 dargestellt. Die hellen Bereiche in<br />

der IQM geben SiC- Partikel wieder. In der allgemein dunkel dargestellten <strong>Aluminium</strong>-<br />

Matrix markieren wolkenartige hellere Bereiche die Körner. Die horizontalen schwarzen<br />

Streifen sind das Resultat von Bildausfällen. In den IPM sind die Bereiche der SiC- Partikel<br />

größtenteils nicht indiziert. Die Körner der <strong>Aluminium</strong>- Matrix sind in einzelnen Bereichen<br />

der IPM, beispielsweise rechts oben, gut zu erkennen, in <strong>an</strong>deren Gebieten, etwa links unten,<br />

ist keine Struktur sichtbar. Wegen der hohen Zahl von 30839 Messpunkten sind Kornstruktur<br />

und SiC- Partikel besser zu erkennen als in den vorhergehenden Sc<strong>an</strong>s. Mit 44% ist der Anteil<br />

der indizierten Punkte allerdings gering, und Average IQ und Average CI sind niedrig (siehe<br />

Tab. C-1).<br />

- 66 -


Abb. C-6: EBSD- Sc<strong>an</strong> einer „Minimet“- polierten, chemisch geätzten Probe aus<br />

pulvermetallurgisch hergestelltem A6061+10% SiC (Partikelgröße 10µm). Links und Mitte:<br />

Inverse Polefigure Map, rechts: Image Quality Map.<br />

Abb. C-7: EBSD- Sc<strong>an</strong> einer „Minimet“- polierten, chemisch geätzten Probe aus<br />

pulvermetallurgisch hergestelltem A6061+10% SiC (Partikelgröße 100µm). Filamentstrom<br />

am 2. Peak. Links und Mitte: Inverse Polefigure Map, rechts: Image Quality Map.<br />

Bei einem weiteren Versuch wurde zur Verbesserung der Qualität der EBSD- Pattern der<br />

Filamentstrom (Wolframfilament) vom ersten auf den zweiten Emissionspeak erhöht. Als<br />

Probe wurde pulvermetallurgisch hergestelltes <strong>Aluminium</strong> A6061 mit 10% SiC- Partikel der<br />

- 67 -


Größe 100µm verwendet, das am Automaten „Minimet Polisher“ poliert und mit dem<br />

Reagent 7, Tab. A-1 geätzt worden war.<br />

Die Ergebnisse des EBSD- Sc<strong>an</strong>s sind in Abb. C-7 dargestellt. In der IQM ist der dunkle<br />

rechte Bereich ein Teil eines 100µm großen Siliziumkarbid- Partikels. Links davon stellen die<br />

hellen Bereiche, die durch dunklere Linien vonein<strong>an</strong>der getrennt sind die Körner in der<br />

<strong>Aluminium</strong>- Matrix dar. Der breite schwarze horizontale Streifen im unteren Teil der Map ist<br />

die Folge einer Kamerastörung. Aus den IPM ist ersichtlich, daß in den Körnern bzw.<br />

Subkörnern der <strong>Aluminium</strong>- Matrix nur wenige Punkte nicht oder falsch indiziert sind. Der<br />

Anteil der indizierten Punkte von 63% und die Average IQ von 56 sind trotz der<br />

Kamerastörung während des Sc<strong>an</strong>s hoch.<br />

Bei großen Teilchengrößen scheint es mit großem Aufw<strong>an</strong>d möglich, sowohl die<br />

Orientierungänderungen als auch die lokalen Verformungen parallel zu erfassen. Die<br />

Bruchdehnung ist in diesem Material relativ klein, somit sollten auch die Gitterrotationen<br />

(Orientierungsänderungen) klein sein. Aus diesem Grunde wurde d<strong>an</strong>n in der weiteren Folge<br />

auf eine Untersuchung der Orientierungsänderung verzichtet.<br />

- 68 -


D In-situ Zugversuche zur lokalen <strong>Verformungsmessung</strong><br />

D.1 A6061 + 10%Sic, Partikelgröße 10µµµµm, chemisch geätzt<br />

Probenpräparation: Die Probe wurde am Automaten „Minimet Polisher“ poliert (A.2.4.2), und<br />

mit dem Reagent 7, Tab. A-1 geätzt.<br />

Abb. D-1: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size 0,034µm. Verformungsstufe εglobal= 0.<br />

- 69 -


Abb. D-2: Verformungsstufe εglobal= 1,9%. Oben: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size<br />

0,034µm. Unten: REM- Bild mit homologen Punkten.<br />

- 70 -


Abb. D-3: Verformungsstufe εglobal= 2,5%. Oben: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size<br />

0,034µm. Unten: REM- Bild mit homologen Punkten.<br />

- 71 -


Abb. D-4: Verformungsstufe εglobal= 3,3%. Oben: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size<br />

0,034µm. Unten: REM- Bild mit homologen Punkten.<br />

- 72 -


Abb. D-5: Verformungsstufe εglobal= 4,1%. Oben: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size<br />

0,034µm. Unten: REM- Bild mit homologen Punkten, Pixel Size 0,034µm.<br />

- 73 -


Abb. D-6: Verformungsstufe εglobal= 5,1%. Oben: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size<br />

0,034µm. Unten: REM- Bild mit homologen Punkten.<br />

- 74 -


εxx- lokal<br />

εyy- lokal<br />

- 75 -


εxy- lokal<br />

Rotation<br />

Abb. D-7: Verformungsstufe εglobal= 1,9%<br />

- 76 -


εxx- lokal<br />

εyy- lokal<br />

- 77 -


εxy- lokal<br />

Rotation<br />

Abb. D-8: Verformungsstufe εglobal= 2,5%<br />

- 78 -


εxx- lokal<br />

εyy- lokal<br />

- 79 -


εxy- lokal<br />

Rotation<br />

Abb. D-9: Verformungsstufe εglobal= 3,3%<br />

- 80 -


εxx- lokal<br />

εyy- lokal<br />

- 81 -


εxy- lokal<br />

Rotation<br />

Abb. D-10: Verformungsstufe εglobal=4,1%<br />

- 82 -


εxx- lokal<br />

εyy- lokal<br />

- 83 -


εxy- lokal<br />

Rotation<br />

Abb. D-11: Verformungsstufe εglobal=5,1%<br />

D.2 A6061 + 10%Sic, Partikelgröße 10µµµµm, ionengeätzt<br />

Probenpräparaion: Die Probe wurde am Automaten „Minimet Polisher“ poliert, in Vakuum 8h<br />

bei 175°C thermisch geätzt und ionengeätzt (siehe A.2.5.5).<br />

- 84 -


Abb. D-12: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size 0,034µm. Verformung εglobal=0%<br />

- 85 -


Abb. D-13: Verformungsstufe εglobal= 0,4%. Oben: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size<br />

0,034µm. Unten: REM- Bild mit homologen Punkten<br />

- 86 -


Abb. D-14: Verformungsstufe εglobal= 0,7%. Oben: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size<br />

0,034µm. Unten: REM- Bild mit homologen Punkten<br />

- 87 -


Abb. D-15: Verformungsstufe εglobal= 3,6%. Oben: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size<br />

0,034µm. Unten: REM- Bild mit homologen Punkten<br />

- 88 -


Abb. D-16: Verformungsstufe εglobal= 4,7%. Oben: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size<br />

0,034µm. Unten: REM- Bild mit homologen Punkten<br />

- 89 -


Abb. D-17: Verformungsstufe εglobal= 5,5%. Oben: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size<br />

0,034µm. Unten: REM- Bild mit homologen Punkten<br />

- 90 -


Abb. D-18: Verformungsstufe εglobal= 6,3%. Oben: REM- Bild. 4000x3200, Pixel Size<br />

0,034µm. Unten: REM- Bild mit homologen Punkten<br />

- 91 -


εxx- lokal<br />

εyy- lokal<br />

- 92 -


εxy- lokal<br />

Rotation<br />

Abb. D-19: Verformungsstufe εglobal=0,4%<br />

- 93 -


εxx- lokal<br />

εyy- lokal<br />

- 94 -


εxy- lokal<br />

Rotation<br />

Abb. D-20: Verformungsstufe εglobal=0,7%<br />

- 95 -


εxx- lokal<br />

εyy- lokal<br />

- 96 -


εxy- lokal<br />

Rotation<br />

Abb. D-21: Verformungsstufe εglobal=3,6%<br />

- 97 -


εxx- lokal<br />

εyy- lokal<br />

- 98 -


εxy- lokal<br />

Rotation<br />

Abb. D-22: Verformungsstufe εglobal=4,7%<br />

- 99 -


εxx- lokal<br />

εyy- lokal<br />

- 100 -


εxy- lokal<br />

Rotation<br />

Abb. D-23: Verformungsstufe εglobal=5,5%<br />

- 101 -


εxx- lokal<br />

εyy- lokal<br />

- 102 -


εxy- lokal<br />

Rotation<br />

Abb. D-24: Verformungsstufe εglobal=6,3%<br />

D.3 A6061 + 10%Sic, Partikelgröße 10µµµµm, kontrastiert mit Diam<strong>an</strong>tsuspension<br />

Probenpräparaion: Die Probe wurde am Automaten „Minimet Polisher“ poliert (A.2.4.2).<br />

D<strong>an</strong>n wurde, wie in Abschnitt A.2.5.6 beschrieben Diam<strong>an</strong>tsuspension aufgetragen und<br />

getrocknet.<br />

- 103 -


Abb. D-25: REM- Bild Bild 4000x3200, Pixel Size 0,034µm. Verformungsstufe εglobal= 0%<br />

- 104 -


Abb. D-26: Verformungsstufe εglobal= 0,3%. Oben: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size<br />

0,034µm. Unten: REM- Bild mit homologen Punkten<br />

- 105 -


Abb. D-27: Verformungsstufe εglobal= 1,0%. Oben: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size<br />

0,034µm. Unten: REM- Bild mit homologen Punkten<br />

- 106 -


Abb. D-28: Verformungsstufe εglobal= 2,1%. Oben: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size<br />

0,034µm. Unten: REM- Bild mit homologen Punkten<br />

- 107 -


Abb. D-29: Verformungsstufe εglobal= 2,4%. Oben: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size<br />

0,034µm. Unten: REM- Bild mit homologen Punkten<br />

- 108 -


εxx- lokal<br />

εyy- lokal<br />

- 109 -


εxy- lokal<br />

Rotation<br />

Abb. D-30: Verformungsstufe εglobal=0,3%<br />

- 110 -


εxx- lokal<br />

εyy- lokal<br />

- 111 -


εxy- lokal<br />

Rotation<br />

Abb. D-31: Verformungsstufe εglobal=1,0%<br />

- 112 -


εxx- lokal<br />

εyy- lokal<br />

- 113 -


εxy- lokal<br />

Rotation<br />

Abb. D-32: Verformungsstufe εglobal=2,1%<br />

- 114 -


εxx- lokal<br />

εyy- lokal<br />

- 115 -


εxy- lokal<br />

Rotation<br />

Abb. D-33: Verformungsstufe εglobal=2,4%<br />

D.4 A6061 + 10%Sic, Partikelgröße 100µµµµm, chemisch geätzt<br />

Probenpräparaion: Die Probe wurde am Automaten „Minimet Polisher“ poliert (A.2.4.2), und<br />

mit dem Reagent 7, Tab. A-1 geätzt.<br />

D.4.1 Bilder mit Pixel Size 0,671µm<br />

- 116 -


Abb. D-34: Rem- Bild 4000x3200, Pixel Size 0,671µm. Verformungsstufe εglobal= 0%<br />

- 117 -


Abb. D-35: Verformungsstufe εglobal= 0,2%. Oben: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size<br />

0,671µm. Unten: REM- Bild mit homologen Punkten<br />

- 118 -


Abb. D-36: Verformungsstufe εglobal= 0,3%. Oben: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size<br />

0,671µm. Unten: REM- Bild mit homologen Punkten<br />

- 119 -


Abb. D-37: Verformungsstufe εglobal= 0,5%. Oben: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size<br />

0,671µm. Unten: REM- Bild mit homologen Punkten<br />

- 120 -


Abb. D-38: Verformungsstufe εglobal= 0,55%. Oben: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size<br />

0,671µm. Unten: REM- Bild mit homologen Punkten<br />

- 121 -


Abb. D-39: Verformungsstufe εglobal= 1,0%. Oben: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size<br />

0,671µm. Unten: REM- Bild mit homologen Punkten<br />

- 122 -


εxx- lokal<br />

εyy- lokal<br />

- 123 -


εxy- lokal<br />

Rotation<br />

Abb. D-40: Verformungsstufe εglobal=0,2%<br />

- 124 -


εxx- lokal<br />

εyy- lokal<br />

- 125 -


εxy- lokal<br />

Rotation<br />

Abb. D-41: Verformungsstufe εglobal=0,3%<br />

- 126 -


εxx- lokal<br />

εyy- lokal<br />

- 127 -


εxy- lokal<br />

Rotation<br />

Abb. D-42: Verformungsstufe εglobal=0,5%<br />

- 128 -


εxx- lokal<br />

εyy- lokal<br />

- 129 -


εxy- lokal<br />

Rotation<br />

Abb. D-43: Verformungsstufe εglobal=0,55%<br />

- 130 -


εxx- lokal<br />

εyy- lokal<br />

- 131 -


εxy- lokal<br />

Rotation<br />

Abb. D-44: Verformungsstufe εglobal=1,0%<br />

D.4.2 Bilder mit Pixel Size 0,168µm<br />

- 132 -


Abb. D-45: Rem- Bild 4000x3200, Pixel Size 0,168µm. Verformungsstufe εglobal= 0%<br />

- 133 -


Abb. D-46: Verformungsstufe εglobal= 0,2%. Oben: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size<br />

0,168µm. Unten: REM- Bild mit homologen Punkten<br />

- 134 -


Abb. D-47: Verformungsstufe εglobal= 0,3%. Oben: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size<br />

0,168µm. Unten: REM- Bild mit homologen Punkten<br />

- 135 -


Abb. D-48: Verformungsstufe εglobal= 0,5%. Oben: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size<br />

0,168µm. Unten: REM- Bild mit homologen Punkten<br />

- 136 -


Abb. D-49: Verformungsstufe εglobal= 0,55%. Oben: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size<br />

0,168µm. Unten: REM- Bild mit homologen Punkten<br />

- 137 -


Abb. D-50: Verformungsstufe εglobal= 1,0%. Oben: REM- Bild 4000x3200, Pixel Size<br />

0,168µm. Unten: REM- Bild mit homologen Punkten<br />

- 138 -


εxx- lokal<br />

εyy- lokal<br />

- 139 -


εxy- lokal<br />

Rotation<br />

Abb. D-51: Verformungsstufe εglobal=0,2%<br />

- 140 -


εxx- lokal<br />

εyy- lokal<br />

- 141 -


εxy- lokal<br />

Rotation<br />

Abb. D-52: Verformungsstufe εglobal=0,3%<br />

- 142 -


εxx- lokal<br />

εyy- lokal<br />

- 143 -


εxy- lokal<br />

Rotation<br />

Abb. D-53: Verformungsstufe εglobal=0,5%<br />

- 144 -


εxx- lokal<br />

εyy- lokal<br />

- 145 -


εxy- lokal<br />

Rotation<br />

Abb. D-54: Verformungsstufe εglobal=0,55%<br />

- 146 -


εxx- lokal<br />

εyy- lokal<br />

- 147 -


εxy- lokal<br />

Rotation<br />

- 148 -

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