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Pra aktiku um - Ing. H. Heuermann

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Leistun<br />

ngsverstärker<br />

Aufbau eines HF - Verstärkers der Klasse AB<br />

<strong>Pra</strong>ktik<strong>um</strong><br />

Mikrowellentechnik ( MWT) )<br />

Prof.<br />

Dr.-<strong>Ing</strong>. H.<br />

<strong>Heuermann</strong><br />

Fachhochschule<br />

Aachenn<br />

FB5,<br />

Elektrotechnik<br />

u. Informationsverarbeitung<br />

Master-Studiengang Nachrichtentechnik


Inhalt<br />

1. Einleitung und Motivation ...................................................... - 3 -<br />

2. Grundlagen ......................................................................... - 3 -<br />

3. Aufbau ............................................................................... - 4 -<br />

3.1. Der Leistungstransistor ......................................................... - 4 -<br />

3.2. Schaltung ........................................................................... - 4 -<br />

3.3. Pinch-Off Spannung ............................................................. - 5 -<br />

3.4. Matching des Ein- und Ausgangs ............................................ - 6 -<br />

3.5. Oberwellenverhalten ............................................................ - 8 -<br />

4. Fazit .................................................................................. - 8 -<br />

- 2 -


1. Einleitung und Motivation<br />

Bei diesem <strong>Pra</strong>ktik<strong>um</strong>sversuch soll ein Leistungsverstärker im<br />

Hochfrequenzbereich bei 2.4GHz aufgebaut und optimiert werden. Die<br />

Optimierung soll nicht in Hinblick auf optimale Anpassung (konjugiert<br />

komplexe Anpassung) erfolgen. Vielmehr soll der Leistungsverstärker so<br />

ausgelegt werden, dass die maximale Leistung von ca.10W - 12W<br />

entnommen werden kann (Leistungsanpassung).<br />

2. Grundlagen<br />

Bei Leistungsverstärkern steht eine hohe Ausgangsleistung im<br />

Vordergrund und die Spannungsverstärkung spielt eine untergeordnete<br />

Rolle. In der Regel liegt die Spannungsverstärkung der Leistungsendstufen<br />

in der Größenordnung von Eins. Die Leistungsverstärkung kommt<br />

hauptsächlich durch eine Stromverstärkung zustande.<br />

Der AB-Leistungsverstärker wird üblicherweise mit 2 komplementären<br />

Transistoren aufgebaut, von denen jeder einen Spannungsbereich (positiv<br />

oder negativ) Verstärkt. Das liegt daran, dass der Arbeitspunkt der<br />

Transistoren im AB-Betrieb kurz oberhalb der Pinch-Off Spannung gelegt<br />

wird und so jeder Transistor nur eine Halbwelle des Eingangssignals<br />

verstärken kann.<br />

- 3 -


3. Aufbau<br />

3.1. Der Leistungstransistor<br />

Bei dem eingesetzten<br />

Leistungstransistor handelt es sich <strong>um</strong><br />

den<br />

PTFA220121M<br />

der Firma INFINION. Dem entsprechenden Datenblatt<br />

können folgende Werte entnommen werden:<br />

Max. Ausgangsleistung:<br />

12 Watt<br />

V DD : 28V<br />

3.2. Schaltung<br />

Abbildung 1: Beschaltung des Transistors<br />

Aus obiger Abbildung kann die Beschaltung des Transistors entnommen<br />

werden. Über die Widerstände R 1 , R 2 und die Vdc wird der Arbeitspunkt<br />

festgelegt. Die Bauteilee C1 und L bilden<br />

den Gamma-Transformator zur<br />

eingangsseitigen Anpassung. Die Bauelemente<br />

C und L3 dienen zur<br />

entsprechendenn ausgangsseitigenn Anpassung<br />

- 4 -


3.3<br />

Pinch-Off Spannun<br />

ng<br />

Abbildung 2: Spannungsverhalten im Pinch-Off Bereich<br />

Zur Ermittlung<br />

der Pinch-Off<br />

Spannung, die nicht von INFINION<br />

angegeben wurde, wurde der Arbeitspunkt des Transistors auf 2 V<br />

eingestellt und<br />

dann schrittweise erhöht. Dabei wurdee Peak-to-Peak<br />

Spannung am Ausgang des Transistors gemessen<br />

n. Wie in Abbildung 2 zu<br />

erkennen, fängt der Arbeitsbereich bei ca. 2.5V an. Da hierr der AB-Betrieb<br />

gewünscht ist, wurde die Basis-Emitter-Vorspannung auf 2. 6 V eingestellt.<br />

- 5 -


3.4. Matching des Ein-<br />

und Ausgangs<br />

Abbildung 3: Unangepasster Ein- und Ausgang<br />

Abbildung 3 zeigt das Smith Chart der unangepassten Ein- und Ausgänge.<br />

Um<br />

sie anzupassen,<br />

wurdenn<br />

ein- und ausgangsseitig<br />

Gamma-<br />

die<br />

Transformatoren verwendet (siehe Abbildung 1). In Abbildung 4 sind<br />

Werte für angepassten Ein- und Ausgänge<br />

zu sehen.<br />

- 6 -


Abbildung 4: Angepasster Ein- und Ausgang<br />

Tabelle 1: S-Parameter<br />

und PAE derr Schaltung<br />

Tabelle 2: Stabilität des Verstärkerss<br />

- 7 -


3.5. Oberwellenverhalten<br />

Abbildung 5: Das Spektr<strong>um</strong> der Oberwellen<br />

4.<br />

Fazit<br />

Der Klasse AB Verstärker<br />

stellt einen Kompromiss<br />

zwischen<br />

energieaufwändiger Klasse-A- und verzerrungsanfälliger Klasse-B-Technik<br />

dar. Der Wirkungsgrad<br />

ist hier höher als beim reinen r Klasse-A-Betrieb,<br />

allerdings treten vermehrt Oberwellen auf, die auch beim Klasse-B-Betrieb<br />

zu beobachten<br />

sind.<br />

- 8 -

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