Pra aktiku um - Ing. H. Heuermann
Pra aktiku um - Ing. H. Heuermann
Pra aktiku um - Ing. H. Heuermann
Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.
YUMPU macht aus Druck-PDFs automatisch weboptimierte ePaper, die Google liebt.
Leistun<br />
ngsverstärker<br />
Aufbau eines HF - Verstärkers der Klasse AB<br />
<strong>Pra</strong>ktik<strong>um</strong><br />
Mikrowellentechnik ( MWT) )<br />
Prof.<br />
Dr.-<strong>Ing</strong>. H.<br />
<strong>Heuermann</strong><br />
Fachhochschule<br />
Aachenn<br />
FB5,<br />
Elektrotechnik<br />
u. Informationsverarbeitung<br />
Master-Studiengang Nachrichtentechnik
Inhalt<br />
1. Einleitung und Motivation ...................................................... - 3 -<br />
2. Grundlagen ......................................................................... - 3 -<br />
3. Aufbau ............................................................................... - 4 -<br />
3.1. Der Leistungstransistor ......................................................... - 4 -<br />
3.2. Schaltung ........................................................................... - 4 -<br />
3.3. Pinch-Off Spannung ............................................................. - 5 -<br />
3.4. Matching des Ein- und Ausgangs ............................................ - 6 -<br />
3.5. Oberwellenverhalten ............................................................ - 8 -<br />
4. Fazit .................................................................................. - 8 -<br />
- 2 -
1. Einleitung und Motivation<br />
Bei diesem <strong>Pra</strong>ktik<strong>um</strong>sversuch soll ein Leistungsverstärker im<br />
Hochfrequenzbereich bei 2.4GHz aufgebaut und optimiert werden. Die<br />
Optimierung soll nicht in Hinblick auf optimale Anpassung (konjugiert<br />
komplexe Anpassung) erfolgen. Vielmehr soll der Leistungsverstärker so<br />
ausgelegt werden, dass die maximale Leistung von ca.10W - 12W<br />
entnommen werden kann (Leistungsanpassung).<br />
2. Grundlagen<br />
Bei Leistungsverstärkern steht eine hohe Ausgangsleistung im<br />
Vordergrund und die Spannungsverstärkung spielt eine untergeordnete<br />
Rolle. In der Regel liegt die Spannungsverstärkung der Leistungsendstufen<br />
in der Größenordnung von Eins. Die Leistungsverstärkung kommt<br />
hauptsächlich durch eine Stromverstärkung zustande.<br />
Der AB-Leistungsverstärker wird üblicherweise mit 2 komplementären<br />
Transistoren aufgebaut, von denen jeder einen Spannungsbereich (positiv<br />
oder negativ) Verstärkt. Das liegt daran, dass der Arbeitspunkt der<br />
Transistoren im AB-Betrieb kurz oberhalb der Pinch-Off Spannung gelegt<br />
wird und so jeder Transistor nur eine Halbwelle des Eingangssignals<br />
verstärken kann.<br />
- 3 -
3. Aufbau<br />
3.1. Der Leistungstransistor<br />
Bei dem eingesetzten<br />
Leistungstransistor handelt es sich <strong>um</strong><br />
den<br />
PTFA220121M<br />
der Firma INFINION. Dem entsprechenden Datenblatt<br />
können folgende Werte entnommen werden:<br />
Max. Ausgangsleistung:<br />
12 Watt<br />
V DD : 28V<br />
3.2. Schaltung<br />
Abbildung 1: Beschaltung des Transistors<br />
Aus obiger Abbildung kann die Beschaltung des Transistors entnommen<br />
werden. Über die Widerstände R 1 , R 2 und die Vdc wird der Arbeitspunkt<br />
festgelegt. Die Bauteilee C1 und L bilden<br />
den Gamma-Transformator zur<br />
eingangsseitigen Anpassung. Die Bauelemente<br />
C und L3 dienen zur<br />
entsprechendenn ausgangsseitigenn Anpassung<br />
- 4 -
3.3<br />
Pinch-Off Spannun<br />
ng<br />
Abbildung 2: Spannungsverhalten im Pinch-Off Bereich<br />
Zur Ermittlung<br />
der Pinch-Off<br />
Spannung, die nicht von INFINION<br />
angegeben wurde, wurde der Arbeitspunkt des Transistors auf 2 V<br />
eingestellt und<br />
dann schrittweise erhöht. Dabei wurdee Peak-to-Peak<br />
Spannung am Ausgang des Transistors gemessen<br />
n. Wie in Abbildung 2 zu<br />
erkennen, fängt der Arbeitsbereich bei ca. 2.5V an. Da hierr der AB-Betrieb<br />
gewünscht ist, wurde die Basis-Emitter-Vorspannung auf 2. 6 V eingestellt.<br />
- 5 -
3.4. Matching des Ein-<br />
und Ausgangs<br />
Abbildung 3: Unangepasster Ein- und Ausgang<br />
Abbildung 3 zeigt das Smith Chart der unangepassten Ein- und Ausgänge.<br />
Um<br />
sie anzupassen,<br />
wurdenn<br />
ein- und ausgangsseitig<br />
Gamma-<br />
die<br />
Transformatoren verwendet (siehe Abbildung 1). In Abbildung 4 sind<br />
Werte für angepassten Ein- und Ausgänge<br />
zu sehen.<br />
- 6 -
Abbildung 4: Angepasster Ein- und Ausgang<br />
Tabelle 1: S-Parameter<br />
und PAE derr Schaltung<br />
Tabelle 2: Stabilität des Verstärkerss<br />
- 7 -
3.5. Oberwellenverhalten<br />
Abbildung 5: Das Spektr<strong>um</strong> der Oberwellen<br />
4.<br />
Fazit<br />
Der Klasse AB Verstärker<br />
stellt einen Kompromiss<br />
zwischen<br />
energieaufwändiger Klasse-A- und verzerrungsanfälliger Klasse-B-Technik<br />
dar. Der Wirkungsgrad<br />
ist hier höher als beim reinen r Klasse-A-Betrieb,<br />
allerdings treten vermehrt Oberwellen auf, die auch beim Klasse-B-Betrieb<br />
zu beobachten<br />
sind.<br />
- 8 -