Flash-basierte FPGAs (1)
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SRAM-<strong>basierte</strong> <strong>FPGAs</strong> (1)<br />
SRAM-Zelle<br />
VDD<br />
• Eine statische RAM-Zelle besteht aus<br />
zwei kreuzgekoppelten CMOS<br />
Invertern, die zusammen eine bistabile<br />
Schaltung bilden: Der Ausgang D2<br />
kann sich in einem von zwei stabilen<br />
Zustand (0 und 1) befinden. D2 zeigt<br />
den Gegenwert auf.<br />
• Zum Zugriff auf diese Zelle zwecks des<br />
Lesens und Schreibens bedarf es noch<br />
mindestens eines weiteren Transistors.<br />
• Die Zelle wird adressiert durch<br />
Ansteuerung des Gates dieses so<br />
genannten Zugriffstransistors über die<br />
Wortleitung.<br />
• Daten werden ein- und ausgelesen<br />
über die Bitleitung.<br />
• Es gibt zahlreiche Ausprägungen der<br />
SRAM-Zelle, vor allem solche mit 6<br />
Transistoren.<br />
Wortleitung<br />
T<br />
Bitleitung<br />
MP1<br />
D1<br />
MN1<br />
MP1<br />
D1<br />
MN1<br />
D1<br />
VDD<br />
MP2<br />
D2<br />
MN2<br />
MP2<br />
D2<br />
MN2<br />
D2<br />
20.01.2010<br />
Rekonfigurierbare Prozessoren S. A. Huss<br />
Vorlesung 11 Folie 8
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