Parametrisiertes SPICE-Modell eines Streufeldkondensators zur ...
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<strong>Parametrisiertes</strong> <strong>SPICE</strong>-<strong>Modell</strong> <strong>eines</strong> <strong>Streufeldkondensators</strong><br />
<strong>zur</strong> Impedanzmessung in Flüssigkeiten und Gasen<br />
Geert Brokmann, Dr. Hartmut Übensee, Dieter Römhild, Arndt Steinke und Stefan Völlmeke,<br />
Erfurt (D)<br />
Zusammenfassung<br />
Ausgehend von einem Taupunktmesssystem mit kapazitiver Betauungserfassung wird für<br />
das Teilsystem Streufeldkapazität ein <strong>SPICE</strong>-<strong>Modell</strong> entwickelt und parametrisiert. Es werden<br />
der Aufbau der Streufeldkapazität, deren <strong>Modell</strong> und das <strong>Modell</strong>ierungsverfahren beschrieben.<br />
Weiterhin werden Ergebnisse von Messungen mit verschiedenen Streufeldkapazitäten vorgestellt<br />
und neue Anwendungsmöglichkeiten dieser Sensorelemente diskutiert.<br />
1 Einleitung<br />
Bisheriges Haupteinsatzfeld von kapazitiven Sensorelemente aus eigener Entwicklung und<br />
Fertigung sind Messsysteme <strong>zur</strong> Erfassung der Gasfeuchte. Nachfolgend ist ein solches<br />
Taupunktmesssystem, das nach dem CCC-Messprinzip arbeitet, dargestellt [1].<br />
Sensor - Umgebung<br />
integrierte Signalvorverarbeitung<br />
Streufeldkapazität<br />
COB-Substrat<br />
Peltierelement<br />
Kühlkörper<br />
Abb. 1: Taupunktsondenkopf<br />
Auf einem Siliziumchip sind ein Streufeldkondensator (Taupunktsensor), eine Temperaturdiode<br />
(Temperatursensor) und eine Schaltung <strong>zur</strong> Kapazitäts-Frequenz-Wandlung integriert.
Dieses Chip ist auf einem Mikropeltierelement (Aktor) aufgeklebt, das die Kühlung des<br />
<strong>Streufeldkondensators</strong> übernimmt. Wird das Chip unter den Taupunkt der umgebenden Luft<br />
abgekühlt, kommt es <strong>zur</strong> Betauung der Chipoberfläche. Die Kapazität des <strong>Streufeldkondensators</strong><br />
und damit die Frequenz am Ausgang der Signalwandlerschaltung ändern sich mit<br />
sehr großem Anstieg. Mit dem Frequenzsignal wird der Strom des Peltierelements so geregelt,<br />
dass sich ein Kondensationsgleichgewicht auf der Oberfläche der Streufeldkapazität<br />
einstellt. Die Temperatur auf der Chipoberfläche entspricht im ausgeregelten Zustand der<br />
Taupunkttemperatur und wird mit Hilfe der Diodenflussspannung der Temperaturdiode ermittelt.<br />
In Abbildung 2 ist das System als vereinfachter Regelkreis schematisch dargestellt.<br />
Temperatur-<br />
Diode<br />
Regler<br />
Aktor<br />
Peltier-<br />
Element<br />
Prozess<br />
Betauung<br />
Sensoren<br />
Streufeldkondensator<br />
f/U-Wandler<br />
C/f-Wandler<br />
Integriert On-Chip<br />
Abb. 2: Vereinfachtes <strong>Modell</strong> des TPS-Regelkreises<br />
Das System entspricht in seiner Wirkungsweise den etablierten Tauspiegelmessgeräten,<br />
verwendet <strong>zur</strong> Detektion der Betauung allerdings einen kapazitiven Transducer.<br />
Während der Entwicklung des Taupunktmesssystems wurde das Teilelement Streufeldkapazität<br />
(Transducer) modelliert und parametrisiert, wie in den nachfolgenden Punkten 2 Aufbau<br />
der Streufeldkapazität und 3 <strong>Parametrisiertes</strong> <strong>Modell</strong> der Streufeldkapazität dargestellt<br />
wird. Dabei ergaben sich eine Reihe interessanter und nutzbarer Abhängigkeiten, aus denen<br />
neue Einsatzfelder der Streufeldkapazität entstehen können. Darauf wird unter Punkt<br />
4 Anwendungen und Messergebnisse näher eingegangen.<br />
2 Aufbau der Streufeldkapazität<br />
Mit einer hier dargestellten Streufeldkapazität lassen sich Impedanzänderungen auf ihrer<br />
Oberfläche oder in deren unmittelbarer Nähe detektieren. Die Streufeldstruktur wird durch<br />
eine Interdigitalstruktur (zwei ineinander greifende Kammelektroden) realisiert und ist auf ein<br />
Siliziumsubstrat in einer Schichtfolge auf der Basis von CMOS-Prozessen aufgebracht. Dieser<br />
Aufbau ermöglicht die Integration weiterer Auswerteelektronik (z.B. Oszillator) auf das<br />
Chip. Das Chip hat eine Fläche von 2.640 x 4.040 µm², die eigentliche Streufeldkapazität<br />
eine Fläche von ca. 1.230 x 1.360 µm². Das nachfolgende Bild zeigt den prinzipiellen Aufbau
einer Streufeldkapazität im Schnitt und in der Draufsicht und bezeichnet die variablen geometrischen<br />
Parameter [2].<br />
Wasser / Luft<br />
d o<br />
Leitbahnisolation Si3N4<br />
TiN-Elektrodenleitbahn<br />
Passivierung SiO2<br />
d u<br />
Breite - b<br />
Abstand - a<br />
Si-Substrat<br />
Fläche - A<br />
Länge - l<br />
b<br />
a<br />
Abb. 3: Streufeldanordnung<br />
a Abstand der Kämme (Gap) in µm (2µ - 150µm)<br />
AREA Fläche <strong>eines</strong> Kamms in mm 2<br />
d u Dicke der Isolatorschicht zwischen Kämmen und Si-Substrat in µm<br />
d o Dicke der Passivierungsschicht über den Kämmen in µm<br />
b/a Kammbreite b zu Kammabstand a (b/a = 4/3).<br />
3 <strong>Parametrisiertes</strong> <strong>Modell</strong> der Streufeldkapazität<br />
Das nachfolgende Bild zeigt die Zuordnung der Einzelelemente <strong>eines</strong> Ersatzschaltbildes zum<br />
Schichtaufbau.<br />
R_w<br />
C_w<br />
Luft / Wasser<br />
R_b<br />
C_ox<br />
C_dir<br />
C_ox<br />
R_b<br />
Siliziumnitrid oben<br />
Kammstruktur<br />
C_par_w<br />
C_par<br />
C_par<br />
C_par_w<br />
Siliziumnitrid/<br />
Siliziumoxid unten<br />
R_Si<br />
R_Si<br />
Silizium-Substrat<br />
C_a<br />
Abb. 4: Schichtaufbau und Ersatzschaltbild
Die Impedanz des zu messenden Mediums wird über die Kapazitäten der Passivierungsschicht<br />
über den TiN-Leitbahnen eingekoppelt. Die Elemente des <strong>Modell</strong>s werden wie folgt<br />
beschrieben:<br />
C w<br />
R w<br />
Wasserkapazität in Abhängigkeit vom Strukturabstand a und der Leitfähigkeit<br />
Wasserwiderstand in Abhängigkeit vom Strukturabstand a und der Leitfähigkeit<br />
C par<br />
C par_w<br />
parasitäre Kapazität in Abhängigkeit von der Dicke der unteren Isolatorschichtdicke d u<br />
und der Fläche <strong>eines</strong> Kammes (AREA)<br />
parasitäre Kapazität bei Vorhandensein von Wasser<br />
C ox<br />
C dir<br />
C a<br />
R b<br />
R Si<br />
Oxidkapazität in Abhängigkeit von der Dicke der oberen Passivierungsschichtdicke d o<br />
direkte Kapazität in Abhängigkeit vom Strukturabstand a<br />
äußere Kapazität<br />
Bahnwiderstand<br />
Widerstand des Siliziumsubstrates<br />
Die genannten Parameter sind geometrie- und technologieabhängig, werden also durch die<br />
Elektrodenabmessungen sowie die Schichttypen und deren Abscheidebedingungen bestimmt.<br />
Zur Ermittlung des Parametersatzes wurden für Streufeldkapazitäten mit 2, 3, 5, 10,<br />
15, 20, 50, 100 und 150µm Kammabstand Impedanz-Frequenz-Kenninien gemessen. Anschließend<br />
erfolgte mit einem Parameterextraktionsprogramm ein Anfitten des oben beschriebenen<br />
Parametersatzes an diese Messkurven. Das Parameterextraktionsprogramm ist<br />
eine applikationsbezogene Eigenentwicklung und nutzt als numerischen Algorithmus das<br />
Simplex-Verfahren nach Nelder-Mead [3].<br />
Die nachfolgende Abbildung 5 zeigt die grafische Darstellung des Anfit-Ergebnisses.<br />
Abb.5: Anfit-Ergebnis einer Streufeld-Kapazität mit 150µm Gap<br />
Hierbei sind links der Betrag |Z| (in Ohm) und rechts die Phase
ckung dargestellt. Die Überdeckung von Fit- und Messkurve zeigt, da sie auch für die anderen<br />
realisierten Kammabstände gilt, eine sehr gute Anpassung des Parametersatzes.<br />
Das Ergebnis der <strong>Modell</strong>ierung ist ein parametrisiertes <strong>SPICE</strong>-<strong>Modell</strong> für Streufeldkapazitäten<br />
unterschiedlicher Geometrien, wie sie im CiS Institut für Mikrosensorik gefertigt werden.<br />
Für ein vorgegebenes Design einer Streufeldanordnung mit den Geometriedaten Fläche,<br />
Kammabstand und Kammbreite, sowie mit den Technologiedaten Passivierungsdicke unter<br />
bzw. über der Kammstruktur werden die Parameter des <strong>SPICE</strong>-<strong>Modell</strong>s gewonnen. Mit dem<br />
hier aufgestellten <strong>SPICE</strong>-<strong>Modell</strong> kann die Streufeldanordnung in eine <strong>SPICE</strong>-Simulation eingebunden<br />
werden, d. h., das <strong>SPICE</strong>-<strong>Modell</strong> ermöglicht mit den angegebenen Parametern<br />
das Design angepaßter Streufeldanordnungen und eine Einbindung des Streufeldsensors in<br />
Standard-Layout-Programme. Umgekehrt können für eine zu entwerfende Streufeldanordnung<br />
mit <strong>SPICE</strong> die Parameter der Streufeldstruktur (im Rahmen der vorgegebenen Entwurfsregeln)<br />
variiert werden, bis für eine spezielle Anforderung eine optimierte Streufeldstruktur<br />
gefunden wird.<br />
4 Anwendungen und Messergebnisse<br />
Im Ergebnis der Arbeiten <strong>zur</strong> Parametrisierung <strong>eines</strong> <strong>SPICE</strong>-<strong>Modell</strong>s der Streufeldkapazitäten<br />
wurden integrierte Beschlagssensoren unterschiedlicher Rasterkonstanten hergestellt,<br />
die für unterschiedliche Wassertropfengrößen empfindlich sind. In den Abbildungen 6 und 7<br />
sind 2 Varianten solcher integrierten Beschlagssensoren dargestellt.<br />
Abb. 6: Streufeldkapazität mit 25µm Gap<br />
Abb. 7: Streufeldkapazität mit 100µm Gap<br />
Die Chips enthalten neben den in ihren Abmessungen variablen Streufeldkapazitäten eine<br />
Diode <strong>zur</strong> Temperaturmessung und einen Oszillator, der die C/f-Wandlung vornimmt. Mit<br />
zunehmender Wassertropfenanzahl und –größe steigt die Kapazität des Streufeldkonden-
sators, während die Oszillatorfrequenz sinkt. In Abbildung 8 sind Wassermasse/ Frequenzkennlinien<br />
von Betauungsfühlern unterschiedlicher Geometrien dargestellt.<br />
1<br />
Betauungsfühler unterschiedlicher Steg-/Grabenbreiten<br />
Naß-/Trockenfrequenz<br />
0,9<br />
0,8<br />
0,7<br />
0,6<br />
0,5<br />
3µm Gap<br />
25µm Gap<br />
100µm Gap<br />
0,4<br />
0 1 10 100 1000<br />
Wassermasse [µg/mm²]<br />
Abb. 8: Wassermasse/Frequenzkennlinien für Betauungsfühler mit 3, 25 und 100µm Gap<br />
Das Verhältnis Naß-/Trockenfrequenz ist über der Wassermasse in µg/mm² aufgetragen. Die<br />
Wassermasse auf einem betauten Fühler wurde bei einer Trocken- oder Ausgangsfrequenz<br />
von ca. 500kHz durch Kühlung der Fühler und optische Auswertung der Betauungsbilder bei<br />
sinkenden Frequenzen ermittelt [4]. Hier ist deutlich die bei zunehmendem Gap zu größeren<br />
Wassermassen wandernde Empfindlichkeit der Betauungsfühler zu erkennen.<br />
1,4<br />
Normierter relativer Hub der Oszillatorfrequenz vs. Leitwert<br />
1,35<br />
1,3<br />
1,25<br />
1,2<br />
1,15<br />
3µm Gap<br />
20µm Gap<br />
150µm Gap<br />
1,1<br />
1,05<br />
1<br />
0,001 0,01 0,1 1 10 100<br />
LW [mS/cm]<br />
Abb. 9: Geometrieabhängigkeit der Leitfähigkeitsänderung für Streufeldkapazitäten<br />
In Abbildung 9 ist ein weiterer Effekt, der bei der Messung von Streufeldkapazitäten unterschiedlicher<br />
Geometrien deutlich wurde, dargestellt. Hierbei handelt es sich um die Abhän-
gigkeit der Empfindlichkeit der Streufeldkapazitäten von der Leitwertänderung in KCl-Lösung.<br />
Dazu wurden mit Streufeldkapazitäten unterschiedlicher Geometrien Frequenzkennlinien an<br />
einem Oszillator in KCl-Lösungen unterschiedlicher Konzentration gemessen. Hier wird die<br />
mit zunehmenden Kammabstand verbesserte Linearität und Empfindlichkeit der Streufeldkapazität<br />
deutlich. Die Messungen erfolgten für DI-Wasser an Luft, mit einer Leitfähigkeit von<br />
5µS/cm, sowie für 0,00001, 0,0001, 0,001 und 0,01molare KCl-Lösung mit Leitwerten von<br />
0,0051, 0,018, 0,1505, 1,413 und 12,88mS/cm.<br />
5 Zusammenfassung und Ausblick<br />
Ausgehend von einem Taupunktmesssystem mit kapazitiver Betauungserfassung wurde für<br />
das Teilsystem Streufeldkapazität ein <strong>SPICE</strong>-<strong>Modell</strong> entwickelt und parametrisiert. Es wurden<br />
der Aufbau der Streufeldkapazität, deren <strong>Modell</strong> und das <strong>Modell</strong>ierungsverfahren beschrieben.<br />
Es wurden Ergebnisse von Messungen mit als Betauungsfühler genutzten Streufeldkapazitäten<br />
unterschiedlicher Geometrien vorgestellt. Weiterhin wurde eine Abhängigkeit der Impedanz/<br />
Frequenzkennlinie von der Leitfähigkeit des Messmediums festgestellt. Daraus ergeben<br />
sich für diese Sensorelemente neue Anwendungsmöglichkeiten als Leitfähigkeitssensoren<br />
u.U. sogar bei Nutzung der Möglichkeiten der Impedanzspektroskopie als ionenselektive<br />
Leitfähigkeitssensoren.<br />
Die gegenwärtigen Entwicklungen beschäftigen sich mit einer <strong>Modell</strong>erweiterung <strong>zur</strong> Einbeziehung<br />
der Leitfähigkeitsabhängigkeit einzelner Parameter und mit Applikationen kapazitiver<br />
Leitfähigkeitssensoren.<br />
6 Danksagung<br />
Die Arbeiten <strong>zur</strong> <strong>Modell</strong>ierung wurden in Teilen gefördert durch das Bundesministerium für<br />
Bildung und Forschung BMBF unter dem Förderkennzeichen 16SV239/3.<br />
7 Literatur<br />
[1] Deutsche Patentschrift DE 41 16 322: Anordnung <strong>zur</strong> Messung der Taupunkttemperatur, der<br />
Betauung und der Luftzusammensetzung<br />
[2] Übensee, H. und Philipp, T.: <strong>Modell</strong> für eine integrierte Streufeldkapazität auf Geometrieebene.<br />
In: Tagungsband zum 1. MIMOSYS-Statusseminar, Paderborn, Dezember 1996.<br />
[3] Brokmann, G. und Übensee, H.: Präzisierung des <strong>Modell</strong>s des <strong>Streufeldkondensators</strong> - Stand<br />
und Ausblick. Beitrag zum 4. Internen MIMOSYS- Statusseminar, Ilmenau, Juni 1999.<br />
[4] Buschmann, U., March, B., Steinke, A. und Völlmeke, S.: Mikrosensoren <strong>zur</strong> Betauungserkennung.<br />
Materials and Corrosion 51,1-3(2000), WILEY-VCH Verlag GmbH