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Parametrisiertes SPICE-Modell eines Streufeldkondensators zur ...

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<strong>Parametrisiertes</strong> <strong>SPICE</strong>-<strong>Modell</strong> <strong>eines</strong> <strong>Streufeldkondensators</strong><br />

<strong>zur</strong> Impedanzmessung in Flüssigkeiten und Gasen<br />

Geert Brokmann, Dr. Hartmut Übensee, Dieter Römhild, Arndt Steinke und Stefan Völlmeke,<br />

Erfurt (D)<br />

Zusammenfassung<br />

Ausgehend von einem Taupunktmesssystem mit kapazitiver Betauungserfassung wird für<br />

das Teilsystem Streufeldkapazität ein <strong>SPICE</strong>-<strong>Modell</strong> entwickelt und parametrisiert. Es werden<br />

der Aufbau der Streufeldkapazität, deren <strong>Modell</strong> und das <strong>Modell</strong>ierungsverfahren beschrieben.<br />

Weiterhin werden Ergebnisse von Messungen mit verschiedenen Streufeldkapazitäten vorgestellt<br />

und neue Anwendungsmöglichkeiten dieser Sensorelemente diskutiert.<br />

1 Einleitung<br />

Bisheriges Haupteinsatzfeld von kapazitiven Sensorelemente aus eigener Entwicklung und<br />

Fertigung sind Messsysteme <strong>zur</strong> Erfassung der Gasfeuchte. Nachfolgend ist ein solches<br />

Taupunktmesssystem, das nach dem CCC-Messprinzip arbeitet, dargestellt [1].<br />

Sensor - Umgebung<br />

integrierte Signalvorverarbeitung<br />

Streufeldkapazität<br />

COB-Substrat<br />

Peltierelement<br />

Kühlkörper<br />

Abb. 1: Taupunktsondenkopf<br />

Auf einem Siliziumchip sind ein Streufeldkondensator (Taupunktsensor), eine Temperaturdiode<br />

(Temperatursensor) und eine Schaltung <strong>zur</strong> Kapazitäts-Frequenz-Wandlung integriert.


Dieses Chip ist auf einem Mikropeltierelement (Aktor) aufgeklebt, das die Kühlung des<br />

<strong>Streufeldkondensators</strong> übernimmt. Wird das Chip unter den Taupunkt der umgebenden Luft<br />

abgekühlt, kommt es <strong>zur</strong> Betauung der Chipoberfläche. Die Kapazität des <strong>Streufeldkondensators</strong><br />

und damit die Frequenz am Ausgang der Signalwandlerschaltung ändern sich mit<br />

sehr großem Anstieg. Mit dem Frequenzsignal wird der Strom des Peltierelements so geregelt,<br />

dass sich ein Kondensationsgleichgewicht auf der Oberfläche der Streufeldkapazität<br />

einstellt. Die Temperatur auf der Chipoberfläche entspricht im ausgeregelten Zustand der<br />

Taupunkttemperatur und wird mit Hilfe der Diodenflussspannung der Temperaturdiode ermittelt.<br />

In Abbildung 2 ist das System als vereinfachter Regelkreis schematisch dargestellt.<br />

Temperatur-<br />

Diode<br />

Regler<br />

Aktor<br />

Peltier-<br />

Element<br />

Prozess<br />

Betauung<br />

Sensoren<br />

Streufeldkondensator<br />

f/U-Wandler<br />

C/f-Wandler<br />

Integriert On-Chip<br />

Abb. 2: Vereinfachtes <strong>Modell</strong> des TPS-Regelkreises<br />

Das System entspricht in seiner Wirkungsweise den etablierten Tauspiegelmessgeräten,<br />

verwendet <strong>zur</strong> Detektion der Betauung allerdings einen kapazitiven Transducer.<br />

Während der Entwicklung des Taupunktmesssystems wurde das Teilelement Streufeldkapazität<br />

(Transducer) modelliert und parametrisiert, wie in den nachfolgenden Punkten 2 Aufbau<br />

der Streufeldkapazität und 3 <strong>Parametrisiertes</strong> <strong>Modell</strong> der Streufeldkapazität dargestellt<br />

wird. Dabei ergaben sich eine Reihe interessanter und nutzbarer Abhängigkeiten, aus denen<br />

neue Einsatzfelder der Streufeldkapazität entstehen können. Darauf wird unter Punkt<br />

4 Anwendungen und Messergebnisse näher eingegangen.<br />

2 Aufbau der Streufeldkapazität<br />

Mit einer hier dargestellten Streufeldkapazität lassen sich Impedanzänderungen auf ihrer<br />

Oberfläche oder in deren unmittelbarer Nähe detektieren. Die Streufeldstruktur wird durch<br />

eine Interdigitalstruktur (zwei ineinander greifende Kammelektroden) realisiert und ist auf ein<br />

Siliziumsubstrat in einer Schichtfolge auf der Basis von CMOS-Prozessen aufgebracht. Dieser<br />

Aufbau ermöglicht die Integration weiterer Auswerteelektronik (z.B. Oszillator) auf das<br />

Chip. Das Chip hat eine Fläche von 2.640 x 4.040 µm², die eigentliche Streufeldkapazität<br />

eine Fläche von ca. 1.230 x 1.360 µm². Das nachfolgende Bild zeigt den prinzipiellen Aufbau


einer Streufeldkapazität im Schnitt und in der Draufsicht und bezeichnet die variablen geometrischen<br />

Parameter [2].<br />

Wasser / Luft<br />

d o<br />

Leitbahnisolation Si3N4<br />

TiN-Elektrodenleitbahn<br />

Passivierung SiO2<br />

d u<br />

Breite - b<br />

Abstand - a<br />

Si-Substrat<br />

Fläche - A<br />

Länge - l<br />

b<br />

a<br />

Abb. 3: Streufeldanordnung<br />

a Abstand der Kämme (Gap) in µm (2µ - 150µm)<br />

AREA Fläche <strong>eines</strong> Kamms in mm 2<br />

d u Dicke der Isolatorschicht zwischen Kämmen und Si-Substrat in µm<br />

d o Dicke der Passivierungsschicht über den Kämmen in µm<br />

b/a Kammbreite b zu Kammabstand a (b/a = 4/3).<br />

3 <strong>Parametrisiertes</strong> <strong>Modell</strong> der Streufeldkapazität<br />

Das nachfolgende Bild zeigt die Zuordnung der Einzelelemente <strong>eines</strong> Ersatzschaltbildes zum<br />

Schichtaufbau.<br />

R_w<br />

C_w<br />

Luft / Wasser<br />

R_b<br />

C_ox<br />

C_dir<br />

C_ox<br />

R_b<br />

Siliziumnitrid oben<br />

Kammstruktur<br />

C_par_w<br />

C_par<br />

C_par<br />

C_par_w<br />

Siliziumnitrid/<br />

Siliziumoxid unten<br />

R_Si<br />

R_Si<br />

Silizium-Substrat<br />

C_a<br />

Abb. 4: Schichtaufbau und Ersatzschaltbild


Die Impedanz des zu messenden Mediums wird über die Kapazitäten der Passivierungsschicht<br />

über den TiN-Leitbahnen eingekoppelt. Die Elemente des <strong>Modell</strong>s werden wie folgt<br />

beschrieben:<br />

C w<br />

R w<br />

Wasserkapazität in Abhängigkeit vom Strukturabstand a und der Leitfähigkeit<br />

Wasserwiderstand in Abhängigkeit vom Strukturabstand a und der Leitfähigkeit<br />

C par<br />

C par_w<br />

parasitäre Kapazität in Abhängigkeit von der Dicke der unteren Isolatorschichtdicke d u<br />

und der Fläche <strong>eines</strong> Kammes (AREA)<br />

parasitäre Kapazität bei Vorhandensein von Wasser<br />

C ox<br />

C dir<br />

C a<br />

R b<br />

R Si<br />

Oxidkapazität in Abhängigkeit von der Dicke der oberen Passivierungsschichtdicke d o<br />

direkte Kapazität in Abhängigkeit vom Strukturabstand a<br />

äußere Kapazität<br />

Bahnwiderstand<br />

Widerstand des Siliziumsubstrates<br />

Die genannten Parameter sind geometrie- und technologieabhängig, werden also durch die<br />

Elektrodenabmessungen sowie die Schichttypen und deren Abscheidebedingungen bestimmt.<br />

Zur Ermittlung des Parametersatzes wurden für Streufeldkapazitäten mit 2, 3, 5, 10,<br />

15, 20, 50, 100 und 150µm Kammabstand Impedanz-Frequenz-Kenninien gemessen. Anschließend<br />

erfolgte mit einem Parameterextraktionsprogramm ein Anfitten des oben beschriebenen<br />

Parametersatzes an diese Messkurven. Das Parameterextraktionsprogramm ist<br />

eine applikationsbezogene Eigenentwicklung und nutzt als numerischen Algorithmus das<br />

Simplex-Verfahren nach Nelder-Mead [3].<br />

Die nachfolgende Abbildung 5 zeigt die grafische Darstellung des Anfit-Ergebnisses.<br />

Abb.5: Anfit-Ergebnis einer Streufeld-Kapazität mit 150µm Gap<br />

Hierbei sind links der Betrag |Z| (in Ohm) und rechts die Phase


ckung dargestellt. Die Überdeckung von Fit- und Messkurve zeigt, da sie auch für die anderen<br />

realisierten Kammabstände gilt, eine sehr gute Anpassung des Parametersatzes.<br />

Das Ergebnis der <strong>Modell</strong>ierung ist ein parametrisiertes <strong>SPICE</strong>-<strong>Modell</strong> für Streufeldkapazitäten<br />

unterschiedlicher Geometrien, wie sie im CiS Institut für Mikrosensorik gefertigt werden.<br />

Für ein vorgegebenes Design einer Streufeldanordnung mit den Geometriedaten Fläche,<br />

Kammabstand und Kammbreite, sowie mit den Technologiedaten Passivierungsdicke unter<br />

bzw. über der Kammstruktur werden die Parameter des <strong>SPICE</strong>-<strong>Modell</strong>s gewonnen. Mit dem<br />

hier aufgestellten <strong>SPICE</strong>-<strong>Modell</strong> kann die Streufeldanordnung in eine <strong>SPICE</strong>-Simulation eingebunden<br />

werden, d. h., das <strong>SPICE</strong>-<strong>Modell</strong> ermöglicht mit den angegebenen Parametern<br />

das Design angepaßter Streufeldanordnungen und eine Einbindung des Streufeldsensors in<br />

Standard-Layout-Programme. Umgekehrt können für eine zu entwerfende Streufeldanordnung<br />

mit <strong>SPICE</strong> die Parameter der Streufeldstruktur (im Rahmen der vorgegebenen Entwurfsregeln)<br />

variiert werden, bis für eine spezielle Anforderung eine optimierte Streufeldstruktur<br />

gefunden wird.<br />

4 Anwendungen und Messergebnisse<br />

Im Ergebnis der Arbeiten <strong>zur</strong> Parametrisierung <strong>eines</strong> <strong>SPICE</strong>-<strong>Modell</strong>s der Streufeldkapazitäten<br />

wurden integrierte Beschlagssensoren unterschiedlicher Rasterkonstanten hergestellt,<br />

die für unterschiedliche Wassertropfengrößen empfindlich sind. In den Abbildungen 6 und 7<br />

sind 2 Varianten solcher integrierten Beschlagssensoren dargestellt.<br />

Abb. 6: Streufeldkapazität mit 25µm Gap<br />

Abb. 7: Streufeldkapazität mit 100µm Gap<br />

Die Chips enthalten neben den in ihren Abmessungen variablen Streufeldkapazitäten eine<br />

Diode <strong>zur</strong> Temperaturmessung und einen Oszillator, der die C/f-Wandlung vornimmt. Mit<br />

zunehmender Wassertropfenanzahl und –größe steigt die Kapazität des Streufeldkonden-


sators, während die Oszillatorfrequenz sinkt. In Abbildung 8 sind Wassermasse/ Frequenzkennlinien<br />

von Betauungsfühlern unterschiedlicher Geometrien dargestellt.<br />

1<br />

Betauungsfühler unterschiedlicher Steg-/Grabenbreiten<br />

Naß-/Trockenfrequenz<br />

0,9<br />

0,8<br />

0,7<br />

0,6<br />

0,5<br />

3µm Gap<br />

25µm Gap<br />

100µm Gap<br />

0,4<br />

0 1 10 100 1000<br />

Wassermasse [µg/mm²]<br />

Abb. 8: Wassermasse/Frequenzkennlinien für Betauungsfühler mit 3, 25 und 100µm Gap<br />

Das Verhältnis Naß-/Trockenfrequenz ist über der Wassermasse in µg/mm² aufgetragen. Die<br />

Wassermasse auf einem betauten Fühler wurde bei einer Trocken- oder Ausgangsfrequenz<br />

von ca. 500kHz durch Kühlung der Fühler und optische Auswertung der Betauungsbilder bei<br />

sinkenden Frequenzen ermittelt [4]. Hier ist deutlich die bei zunehmendem Gap zu größeren<br />

Wassermassen wandernde Empfindlichkeit der Betauungsfühler zu erkennen.<br />

1,4<br />

Normierter relativer Hub der Oszillatorfrequenz vs. Leitwert<br />

1,35<br />

1,3<br />

1,25<br />

1,2<br />

1,15<br />

3µm Gap<br />

20µm Gap<br />

150µm Gap<br />

1,1<br />

1,05<br />

1<br />

0,001 0,01 0,1 1 10 100<br />

LW [mS/cm]<br />

Abb. 9: Geometrieabhängigkeit der Leitfähigkeitsänderung für Streufeldkapazitäten<br />

In Abbildung 9 ist ein weiterer Effekt, der bei der Messung von Streufeldkapazitäten unterschiedlicher<br />

Geometrien deutlich wurde, dargestellt. Hierbei handelt es sich um die Abhän-


gigkeit der Empfindlichkeit der Streufeldkapazitäten von der Leitwertänderung in KCl-Lösung.<br />

Dazu wurden mit Streufeldkapazitäten unterschiedlicher Geometrien Frequenzkennlinien an<br />

einem Oszillator in KCl-Lösungen unterschiedlicher Konzentration gemessen. Hier wird die<br />

mit zunehmenden Kammabstand verbesserte Linearität und Empfindlichkeit der Streufeldkapazität<br />

deutlich. Die Messungen erfolgten für DI-Wasser an Luft, mit einer Leitfähigkeit von<br />

5µS/cm, sowie für 0,00001, 0,0001, 0,001 und 0,01molare KCl-Lösung mit Leitwerten von<br />

0,0051, 0,018, 0,1505, 1,413 und 12,88mS/cm.<br />

5 Zusammenfassung und Ausblick<br />

Ausgehend von einem Taupunktmesssystem mit kapazitiver Betauungserfassung wurde für<br />

das Teilsystem Streufeldkapazität ein <strong>SPICE</strong>-<strong>Modell</strong> entwickelt und parametrisiert. Es wurden<br />

der Aufbau der Streufeldkapazität, deren <strong>Modell</strong> und das <strong>Modell</strong>ierungsverfahren beschrieben.<br />

Es wurden Ergebnisse von Messungen mit als Betauungsfühler genutzten Streufeldkapazitäten<br />

unterschiedlicher Geometrien vorgestellt. Weiterhin wurde eine Abhängigkeit der Impedanz/<br />

Frequenzkennlinie von der Leitfähigkeit des Messmediums festgestellt. Daraus ergeben<br />

sich für diese Sensorelemente neue Anwendungsmöglichkeiten als Leitfähigkeitssensoren<br />

u.U. sogar bei Nutzung der Möglichkeiten der Impedanzspektroskopie als ionenselektive<br />

Leitfähigkeitssensoren.<br />

Die gegenwärtigen Entwicklungen beschäftigen sich mit einer <strong>Modell</strong>erweiterung <strong>zur</strong> Einbeziehung<br />

der Leitfähigkeitsabhängigkeit einzelner Parameter und mit Applikationen kapazitiver<br />

Leitfähigkeitssensoren.<br />

6 Danksagung<br />

Die Arbeiten <strong>zur</strong> <strong>Modell</strong>ierung wurden in Teilen gefördert durch das Bundesministerium für<br />

Bildung und Forschung BMBF unter dem Förderkennzeichen 16SV239/3.<br />

7 Literatur<br />

[1] Deutsche Patentschrift DE 41 16 322: Anordnung <strong>zur</strong> Messung der Taupunkttemperatur, der<br />

Betauung und der Luftzusammensetzung<br />

[2] Übensee, H. und Philipp, T.: <strong>Modell</strong> für eine integrierte Streufeldkapazität auf Geometrieebene.<br />

In: Tagungsband zum 1. MIMOSYS-Statusseminar, Paderborn, Dezember 1996.<br />

[3] Brokmann, G. und Übensee, H.: Präzisierung des <strong>Modell</strong>s des <strong>Streufeldkondensators</strong> - Stand<br />

und Ausblick. Beitrag zum 4. Internen MIMOSYS- Statusseminar, Ilmenau, Juni 1999.<br />

[4] Buschmann, U., March, B., Steinke, A. und Völlmeke, S.: Mikrosensoren <strong>zur</strong> Betauungserkennung.<br />

Materials and Corrosion 51,1-3(2000), WILEY-VCH Verlag GmbH

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