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Lichtstreuende Oberflächen, Schichten und Schichtsysteme zur ...

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4 Materialeigenschaften von ZnO:Al<br />

Der bei niedriger Substrat-Temperatur vom Target mit TDM = 0,2 wt% gesputterte<br />

Film (offene graue Sterne in Abb. 4.18) zeigt einen deutlichen Anstieg<br />

der Beweglichkeit von µ = 19 cm2 /Vs auf µ = 37 cm2 /Vs nach dem Vakuum-Tempern<br />

für eine St<strong>und</strong>e bei 300 ◦ C. Tempern bei höheren Temperaturen<br />

reduziert die Beweglichkeit bis auf µ = 15 cm2 /Vs (600 ◦ C). Die Ladungsträgerdichte<br />

bildet ein Maximum im Fall des Temperns bei 300 ◦ C bis 400 ◦ Caus<br />

<strong>und</strong> damit im Bereich, indem auch eine hohe Beweglichkeit gemessen wird. Insgesamt<br />

verbleibt die Ladungsträgerdichte auf einem vergleichsweise niedrigen<br />

86<br />

Abbildung 4.19: Verhalten von ZnO:Al-Filmen – deponiert bei vergleichsweise<br />

hoher Substrat-Temperatur von TS = 460 ◦ C (TDM 0,2 wt% bzw. 2 wt%) bzw.<br />

TS = 300 ◦ C (TDM 1 wt%) – unter Vakuum-Tempern für je eine St<strong>und</strong>e bei verschiedenen<br />

Temperaturen. Beweglichkeit µ, Ladungsträgerdichte n <strong>und</strong> Transmission<br />

(ausgewertet bei λ = 1,6 µm) sind dargestellt. Die Linien verdeutlichen die<br />

Trends.

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