Lichtstreuende Oberflächen, Schichten und Schichtsysteme zur ...
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4 Materialeigenschaften von ZnO:Al<br />
Der bei niedriger Substrat-Temperatur vom Target mit TDM = 0,2 wt% gesputterte<br />
Film (offene graue Sterne in Abb. 4.18) zeigt einen deutlichen Anstieg<br />
der Beweglichkeit von µ = 19 cm2 /Vs auf µ = 37 cm2 /Vs nach dem Vakuum-Tempern<br />
für eine St<strong>und</strong>e bei 300 ◦ C. Tempern bei höheren Temperaturen<br />
reduziert die Beweglichkeit bis auf µ = 15 cm2 /Vs (600 ◦ C). Die Ladungsträgerdichte<br />
bildet ein Maximum im Fall des Temperns bei 300 ◦ C bis 400 ◦ Caus<br />
<strong>und</strong> damit im Bereich, indem auch eine hohe Beweglichkeit gemessen wird. Insgesamt<br />
verbleibt die Ladungsträgerdichte auf einem vergleichsweise niedrigen<br />
86<br />
Abbildung 4.19: Verhalten von ZnO:Al-Filmen – deponiert bei vergleichsweise<br />
hoher Substrat-Temperatur von TS = 460 ◦ C (TDM 0,2 wt% bzw. 2 wt%) bzw.<br />
TS = 300 ◦ C (TDM 1 wt%) – unter Vakuum-Tempern für je eine St<strong>und</strong>e bei verschiedenen<br />
Temperaturen. Beweglichkeit µ, Ladungsträgerdichte n <strong>und</strong> Transmission<br />
(ausgewertet bei λ = 1,6 µm) sind dargestellt. Die Linien verdeutlichen die<br />
Trends.