Lichtstreuende Oberflächen, Schichten und Schichtsysteme zur ...

6 Lighttrapping-Limits
Rechnungen studiert. Dabei wurde aufgezeigt, dass mit verringerter Frontkontakt-Absorption
eine Verbesserung des Rückreflektors immer bedeutender wird.
Der Einsatz einer Antireflexionsschicht aus TiO2 zwischen Frontkontakt und
Silizium hat experimentell die Signifikanz einer optimierten Brechungsindexanpassung
aufgezeigt und so den Unterschied zwischen Modell und Experiment
reduziert. Basierend auf den realisierten optischen Verbesserungen wurde zum
Abschluss des Kapitels mit Rechnungen auf Basis von Deckman et al. eine mögliche
Quanteneffizienz und Zellstromdichte bei Kombination der optischen Verbesserungen
abgeschätzt. Analog wurde ein auf mittlerer Zeitskala möglicherweise
erreichbares Quanteneffizienz-Niveau bei Annahme weiterer optischer Verbesserungen
ermittelt. Demnach sollten Zellstromdichten in der Größe von 30 mA/cm2 mit intrinsischen Absorberschichtdicken di-Si ≈ 2,5 µm bis3,0µmbereits durch
Kombination der vorhandenen optischen Verbesserungen erzielbar sein.
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