Thèse d'Habilitation à Diriger les Recherches Université Pierre et ...
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Fig.3.6 – Diagramme de Wulff schématique d’un cristal cubique faiblement anisotrope, d’harmonique<br />
sphérique d’ordre 4 dominante.<br />
où γ ≡ γ(θ) <strong>et</strong> γ ′′ ≡ ∂2 γ<br />
∂θ 2 . La longueur capillaire d(θ) est proportionnelle à a(θ), donc<br />
possède la même anisotropie. On veut connaître la variation de a(θ) pour une orientation<br />
quelconque du cristal par rapport à l’échantillon. Considérons d’abord certaines<br />
orientations particulières. Pour des orientations "axia<strong>les</strong>" {001}〈100〉, prises comme<br />
référence, on a :<br />
γ(θ) = γ 0 [1 + ɛ 4 cos4θ] , (3.10)<br />
donc<br />
τ(θ) = γ 0 [1 − 15ɛ 4 cos4θ]. (3.11)<br />
L’anisotropie effective dans le plan ɛ 4 est alors à son maximum. Un autre cas intéressant<br />
est celui où l’axe [100] reste dans le plan de l’échantillon, mais est incliné<br />
d’un angle quelconque α 0 par rapport à z :<br />
τ(θ) = γ 0 [1 − 15ɛ 4 cos4(θ − α 0 )] . (3.12)<br />
Parmi ces orientations, celle où l’axe [110] est parallèle à z, appelée "orientation<br />
dégénérée" (001)[110] est particulière : <strong>les</strong> deux minima de τ sont disposés symétriquement<br />
par rapport à z –l’axe [110] est parallèle à z <strong>et</strong> <strong>les</strong> axes [100] <strong>et</strong> [010] sont<br />
disposés à ±45 o de l’axe z.<br />
Pour un cristal d’orientation {111}〈uvw〉 [qu’on notera simplement {111} ou<br />
(111)], la composante d’ordre 4 de τ(θ) est nulle. Dans l’approximation proposée ici,<br />
le système est alors isotrope, ce qui peut s’expliquer par un argument de symétrie<br />
simple, puisque l’axe [111] est un axe de symétrie 3, alors que le réseau est cubique.<br />
Il convient de garder à l’esprit qu’une p<strong>et</strong>ite composante d’anisotropie ("résiduelle")<br />
d’ordre 6 est en réalité présente dans ces orientations (111) de CBr 4 -C 2 Cl 6 .<br />
Pour une orientation quelconque, on peut représenter l’anisotropie interfaciale<br />
par un développement de Fourier en θ de la tension <strong>et</strong> de la raideur de surface, qui<br />
s’écrivent, à l’ordre le plus bas :<br />
γ(θ) ≈ γ 0 {1 + ɛ[5β 2 cos2(θ − α 0 − α 2 ) + cos4(θ − α 0 )]} , (3.13)<br />
τ(θ) ≈ τ 0 {1 − 15ɛ[β 2 cos2(θ − α 0 − α 2 ) + cos4(θ − α 0 )]} . (3.14)<br />
Dans ces expressions, τ 0 , α 2 , β 2 , <strong>et</strong> surtout ɛ(< ɛ 4 ) dépendent de la "désorientation"<br />
du cristal "hors du plan" de l’échantillon (c’est-à-dire l’angle entre la direction [100]<br />
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