Descarga en PDF - Ciudad Ciencia
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Contacto<br />
eléctrico<br />
Confinami<strong>en</strong>to<br />
Capa activa<br />
Figura 7.1. Esquema de un láser de diodo<br />
con emisión lateral.<br />
Haz láser<br />
diverg<strong>en</strong>te<br />
Contacto eléctrico<br />
Confinami<strong>en</strong>to<br />
posible debido a la mejora sistemática<br />
de los materiales.<br />
Aunque la antigüedad del láser no<br />
alcanza los cincu<strong>en</strong>ta años ya ocupa<br />
un sitio destacado <strong>en</strong> la vida<br />
cotidiana, <strong>en</strong> aplicaciones biomédicas,<br />
<strong>en</strong> la producción industrial y <strong>en</strong> el<br />
desarrollo ci<strong>en</strong>tífico. Las v<strong>en</strong>tas<br />
mundiales de sistemas láser <strong>en</strong> 2005<br />
alcanzaron 5.900 millones de dólares<br />
con un crecimi<strong>en</strong>to del 10% anual <strong>en</strong><br />
los últimos cinco años 2 .<br />
Semiconductores <strong>en</strong> láseres<br />
La unión pn es el fundam<strong>en</strong>to<br />
de los láseres de diodo semiconductor.<br />
En la estructura más popular que se<br />
muestra <strong>en</strong> la figura 7.1. la corri<strong>en</strong>te<br />
se propaga transversalm<strong>en</strong>te a la unión<br />
y la luz láser se propaga <strong>en</strong> su plano.<br />
Los láseres de diodo son muy<br />
efici<strong>en</strong>tes <strong>en</strong> términos de conversión<br />
de <strong>en</strong>ergía eléctrica a óptica lo que ha<br />
permitido su miniaturización como<br />
clave de su éxito comercial. Su rango<br />
de emisión clásico es del rojo al<br />
infrarojo cercano correspondi<strong>en</strong>do<br />
con las <strong>en</strong>ergías de la banda prohibida<br />
o gap de los semiconductores con<br />
transiciones electrónicas directas.<br />
Los materiales más utilizados son<br />
aleaciones Al x Ga 1-x As, Al x Ga 1-x-y In y P<br />
( L = 600-900 nm) y In x Ga 1-x As 1-y P y<br />
( L = 1.3-1.5 m), L se selecciona<br />
variando la composición.<br />
La clave del éxito para la<br />
fabricación de láseres de<br />
semiconductor efici<strong>en</strong>tes y duraderos<br />
ha estado <strong>en</strong> el desarrollo de epitaxias<br />
con algunos nanómetros (10 -9 m)<br />
de espesor y muy baja d<strong>en</strong>sidad de<br />
defectos <strong>en</strong> las intercaras<br />
2. “Laser marketplace 2006”, Laser Focus World, vol. 42, p. 78 (2006).<br />
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