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Descarga en PDF - Ciudad Ciencia

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Contacto<br />

eléctrico<br />

Confinami<strong>en</strong>to<br />

Capa activa<br />

Figura 7.1. Esquema de un láser de diodo<br />

con emisión lateral.<br />

Haz láser<br />

diverg<strong>en</strong>te<br />

Contacto eléctrico<br />

Confinami<strong>en</strong>to<br />

posible debido a la mejora sistemática<br />

de los materiales.<br />

Aunque la antigüedad del láser no<br />

alcanza los cincu<strong>en</strong>ta años ya ocupa<br />

un sitio destacado <strong>en</strong> la vida<br />

cotidiana, <strong>en</strong> aplicaciones biomédicas,<br />

<strong>en</strong> la producción industrial y <strong>en</strong> el<br />

desarrollo ci<strong>en</strong>tífico. Las v<strong>en</strong>tas<br />

mundiales de sistemas láser <strong>en</strong> 2005<br />

alcanzaron 5.900 millones de dólares<br />

con un crecimi<strong>en</strong>to del 10% anual <strong>en</strong><br />

los últimos cinco años 2 .<br />

Semiconductores <strong>en</strong> láseres<br />

La unión pn es el fundam<strong>en</strong>to<br />

de los láseres de diodo semiconductor.<br />

En la estructura más popular que se<br />

muestra <strong>en</strong> la figura 7.1. la corri<strong>en</strong>te<br />

se propaga transversalm<strong>en</strong>te a la unión<br />

y la luz láser se propaga <strong>en</strong> su plano.<br />

Los láseres de diodo son muy<br />

efici<strong>en</strong>tes <strong>en</strong> términos de conversión<br />

de <strong>en</strong>ergía eléctrica a óptica lo que ha<br />

permitido su miniaturización como<br />

clave de su éxito comercial. Su rango<br />

de emisión clásico es del rojo al<br />

infrarojo cercano correspondi<strong>en</strong>do<br />

con las <strong>en</strong>ergías de la banda prohibida<br />

o gap de los semiconductores con<br />

transiciones electrónicas directas.<br />

Los materiales más utilizados son<br />

aleaciones Al x Ga 1-x As, Al x Ga 1-x-y In y P<br />

( L = 600-900 nm) y In x Ga 1-x As 1-y P y<br />

( L = 1.3-1.5 m), L se selecciona<br />

variando la composición.<br />

La clave del éxito para la<br />

fabricación de láseres de<br />

semiconductor efici<strong>en</strong>tes y duraderos<br />

ha estado <strong>en</strong> el desarrollo de epitaxias<br />

con algunos nanómetros (10 -9 m)<br />

de espesor y muy baja d<strong>en</strong>sidad de<br />

defectos <strong>en</strong> las intercaras<br />

2. “Laser marketplace 2006”, Laser Focus World, vol. 42, p. 78 (2006).<br />

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