rapport d'activités 2003-2008 - RQMP
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Manipulation optique et lecture résistive<br />
de spins nucléaires de GaAs<br />
Chercheur : Guillaume Gervais<br />
Collaborateurs : M.P. Lilly et J.L. Reno (Center for Integrated Nanotechnologies (CINT), USA)<br />
Étudiant : Jonathan M. Buset<br />
Contact : Guillaume Gervais; gervais@physics.mcgill.ca; www.physics.mcgill.ca/~hedbergj/labpage/home.htm<br />
Nous étudions les effets de la manipulation optique de spins nucléaires près de l’état Hall quantique<br />
n =1 de GaAs/AlGaAs. Nous avons construit sur mesure un contrôleur de polarisation permettant<br />
à un laser de lumière infrarouge-proche polarisé arbitrairement d’être transmise à un échantillon<br />
à travers une fibre optique. En utilisant une lecture de sortie résistive, différentes polarisations<br />
induisent des changements spécifiques dans les propriétés des premiers niveaux de Landau du<br />
puits quantique GaAs/AlGaAs.<br />
60 | <strong>RQMP</strong> | projets | Propriétés électroniques et quantiques des matériaux<br />
Les dispositifs opérant en vertu des propriétés des spins électroniques<br />
sont une alternative intéressante à l’électronique<br />
conventionnelle pour la prochaine génération de matériaux<br />
semiconducteurs. Les avantages de ces dispositifs « spintroniques<br />
» sont les plus grands degrés de liberté offerts par les<br />
spins ainsi qu’une meilleure isolation de l’environnement; les<br />
états quantiques sont donc moins portés à la décohérence. Le<br />
potentiel des spins nucléaires de GaAs comme porteurs d’information<br />
quantique pourra cependant être exploité seulement<br />
lorsqu’il sera possible d’initialiser, contrôler et lire efficacement<br />
leurs états mécanico-quantiques. La cohérence quantique<br />
multiple des spins nucléaires du GaAs, récemment détectée<br />
localement par des méthodes résistives, présente des temps<br />
de cohérence relativement longs, de l’ordre des millisecondes :<br />
un avantage pour implémenter des algorithmes quantiques.<br />
Nos résultats préliminaires démontrent que les différentes<br />
polarisations de la lumière induisent des changements spécifiques<br />
des propriétés du transport du premier niveau de Landau<br />
du puits quantique GaAs/AlGaAs.<br />
Nous utilisons l’effet Overhauser optique pour interagir avec<br />
les spins nucléaires du GaAs : une lumière dans l’infrarougeproche<br />
(l = 800 nm) avec une polarisation circulaire définie,<br />
crée une large polarisation hors-équilibre des spins nucléaires.<br />
Puisque le couplage effectif de l’effet Overhauser est optimal<br />
pour de la lumière avec une polarisation circulaire, et minimal<br />
pour une polarisation linéaire, le contrôle de la polarisation de<br />
la lumière in situ permet de manipuler la polarisation d’un petit<br />
ensemble de spins nucléaires.<br />
Figure 1. Diagramme schématique du contrôleur de polarisation utilisant une nouvelle<br />
technique de mesure de réflexion de retour. (Mack, 2007)<br />
À faible puissance laser, une lumière dans l’infrarouge-proche,<br />
polarisée circulairement, est requise afin de pomper optiquement<br />
les spins nucléaires de GaAs efficacement. Afin de<br />
contrer l’effet de la biréfringence variable dans la fibre optique,<br />
un contrôleur de polarisation (Figure 1) a été construit de sorte<br />
à permettre la transmission d’une lumière de n’importe quelle<br />
polarisation sur l’échantillon en tournant simplement une série<br />
de plaques d’ondes l/4 et l/2.<br />
Nos résultats préliminaires sont montrés en figure 2. À gauche,<br />
la polarisation sortante en fonction de l’angle des plaques<br />
(a et b) : les maximums correspondent à la lumière polarisée<br />
circulairement (s) et les minimums, à la sortie de lumière polarisée<br />
linéairement (||). À droite, une corrélation claire existe où<br />
les régions de polarisation circulaire droite (s + ) correspondent<br />
aux maximums locaux de résistance R xx et les régions de polarisation<br />
circulaire gauche (s - ) correspondent aux minimums.<br />
Figure 2. Relation entre la polarisation de la lumière et la résistance R xx du transport<br />
de l’état Hall quantique.<br />
Cette recherche est effectuée en collaboration avec les « Sandia<br />
National Laboratories » et a été supportée par le CRSNG,<br />
FQRNT, la fondation Alfred P. Sloan et le <strong>RQMP</strong>.<br />
Références<br />
• “Towards optical manipulation and resistive readout of the GaAs nuclear spins”,<br />
J.M. Buset, A.H. Mack, D. Laroche, C.R. Dean, M.P. Lilly, J.L. Reno et G. Gervais,<br />
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 40, 1252 (<strong>2008</strong>).<br />
• “Local control of light polarization with low-temperature fiber optics”,<br />
A.H. Mack, J. Riordon, C.R. Dean, R. Talbot and G. Gervais,<br />
Optics Lett. 32, 1378 (2007).