FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA - Sociedade Brasileira de Física

5EM/6:45ibsf.
..CARACTERIZAC`AO. ATRAVES DE MAPEAMENTOS DE INTENSIDADE DE
FOiOLIDIINESCENCIA, DE WAFERS DE GaAs PROCESSADOS PARA FABRICAÇÃO DE FET DO
TIPO "RECESS GATE"." - A.C. LAMAS e R.C. de Oliveira - CPqD Telebrâs - Campinas.
SP. 13085 - BRASIL
Mapeamentos de fotoluminescência foram realizados para 2 §eracterizar óticamenta
wafers semi-isolantes de GaAs implantados com Si antes e após processamento
para fabricação de FET do tipo "recess gate". A analise da qualidade
ótica por fotoluminescência das amostras recozidas por RTA em diferentes
temperaturas e tempos indica como ponto õtimo de ativação o recozimento
a 800 ,C por 10 segundos. Varreduras espaciais em 1/4 de wafers de
GaAs semi-isolantes recozidos apresentam uma boa uniformidade na intensidade
do pico de fotoluminescência associado õ transição banda-banda o que indica
a homogeneidade da amostra. A mesma analise quando realizada apôs a-
taque químico para remoção da camada ativada da amostra indica a formação de
regiões bem determinadas onde a eficiência da transição banda-banda e muito
forte. No entanto, a análise da emissão possivelmente associada aos nívois
profundos do tipo EL2 indicam que a presença destes se estende muito slim da
arco delineada pelo ataque químico. Estes transições são observadas em uma
faixa de 7 microns ao fedor de uma largura processada de 2 microns. E possível
concluir que a região de influência destes defeitos se estende muito
além daquela determinada pelo processo de ataque químico.
ANMLISE DA INFLUENCIA DE VIVEIS PROFUNDOS NO ESPECTRO DE FOTOCOSDUTIVIDADE
A BAIXA TENO'EBATURA. Lute V. A. Scalar!. _Eduardo Ninas[ • Pierre Basenji (Instituto de Físicas
química de São Carlos. USP)
O espectro de fotocoadutivided ■ de filmes de AlCaAs tipo o pode forra.:er important. ■ informa-
Cie. quando raali:ado 1 temperatura ambiente. Alta dopagem poria, fax coa que a condutãncia se
ja praticamente constante coo o comprimento de anda e a influiincla da lus torna-se imperceptível.
Na temp de nitrogénio líquido. a captura d• portadoras peles níveis profundos
pode também agir de modo a mascarar resultados. quando se incorpora a variação de temperatura
ao experimento. as informaçães a respeito da amostra podem se tornar sais claras, assim co me
rena interpretação correta nos espectros e decaimentos cam o tempo geram um conhecimento na
origem doa nivela profundos. No caso de centros Da. dominantes em AlGrAa, a secção transvsr-
■al de capture teoricamente ativada gera • fotocaodutividade persietarte. o que torna as curvas
de decaimento de particular I
Neste trabalho nós apresentamos um estuda de fotocondutividade em AIG+AA em função do Im peratura
e diferentes dopintes (SI.Se,Pb).
(Este trabalho too o suporta do CNPq).
E. Bana e J.C. Portal*
CENTRO OXEN AlaGal_aAs:Se A.C.. Voter'. .F. [Vasa ji. B.Schreppe (IPQSC-USP
As propriedades de transporte de Al 5Cai..Aa:Se (0 4 x 4.0.25), crescido por NaE forem eaisidas
a baixa tamp ura (4.210 como função de campo mascitico ati (20 T). A concentração
de portadoraa foram dedusidaa atravi s das o.cilaties de Shnbnikav-de-Nana. que apreum
ben a:ordo cam as medidas de capacitãneta-voltagem. A 7otoconduttvidade Perala
(PPC) a baias temperatura não fot observada. A sio preaenco da iPC pode ser atribuids so
efeito da cila .la 1.
I CNNas-INSA - F.31077 Toulouse e CNRS -SNEI - F.3SO42 Grenoble.
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