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FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA - Sociedade Brasileira de Física

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SEM A/ 16 : 30/61f .<br />

DIFUSEO DE ESTANHO EM ARSENETO DE GAUD<br />

POR PROCESSAMENTO TERMICO RÁPIDO<br />

CrisLiana S. Hernan<strong>de</strong>z CDFA - 1FOV - UNICAMP). Jacobus V. Swart C DSTF<br />

- FEE - UNICAMP)<br />

A difusáo do - dopar<strong>de</strong>s em somicond um dos processos utilizados em<br />

microelstrdnica para e fabricacHo do circuitos integrados. Estamos<br />

estudando difusao do Estanho CSn) em Areento <strong>de</strong> Gallo (GaAs) por<br />

processamento tirneco rapido para a obLenç3o do camadas tipo n rasas. As<br />

dirusaos sio realizadas utlllzando uma omuls8o liquida do S.O.G.<br />

C"spin-on-siris") dopada com Retenho quo • solidificada na superricio do<br />

semicondutor formando um films colido que como fonte paro a<br />

difusao. Eata • realizada on, um forno <strong>de</strong> aquecimento rapido CRTP) com<br />

uma Laica <strong>de</strong> subida do temp do 60 .C/s. A caracteriza çEo dosses<br />

camada sera por medidas <strong>de</strong> Efeito Hall e CY-elatroqufmico. Os primeiros<br />

resultados mosLraraun que tanto a difusao quanto a nao dogradaçSo da<br />

superfido <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>m diretamente da qualida<strong>de</strong> o composioSo do filma quo<br />

serve como Conto para a difuslo.<br />

Apoio : CPgD-TELEBRAS. FAPESP<br />

591 5/16:3U/61 f' J 1 INE»D ENTRE -s wum Sl -DIMENSIONAIS<br />

Bernardo Roemer Almeida Neves; José Francisco <strong>de</strong> Sespaio;jAlfredo Contilo <strong>de</strong> Oliveira e,<br />

Resina Pinto <strong>de</strong> Carvalho (DF = ICE; - UFMG)<br />

Os resultados <strong>de</strong> axperimemtoa envolvendo tunelamento <strong>de</strong> carga. através <strong>de</strong> barreiras<br />

gerelmecte analisado•supondo-se regras <strong>de</strong> seleçio . baseadae na coneervacio <strong>de</strong> energia ■<br />

somouton linear. 3 luz <strong>de</strong>stes regras o tsnelamento antra dois sistemas bi-dimensionai ■ <strong>de</strong>ve<br />

me manifestar caro picos estremAsente ■atreitos nas curvas earaeteríaticas IsV.<br />

Reste trabalho apresentaremos cure lstless experimentai ■ <strong>de</strong> ano cor<br />

dois poços quinticos. cresctdas por MSE. Os resultados sio analisados en tersos dam poet<br />

çies'dos oivele . quinticos mos pólos • das regra, <strong>de</strong> ■ leçio aeine mencionados.<br />

591 6/16:30/62 í.<br />

1 PROPRIE<strong>DA</strong>DES ELEIRICAS E ESTRUTURAIS DO CONTATO OHLICO AvZn/p-Ca.Sb. A<br />

N.^a,. me^, i. <strong>de</strong> Oliveira, P.S. Pisani e J.Ç. Calaeraoi. (Departamento <strong>de</strong> Fiaiea, Univer<br />

ãida<strong>de</strong> Fedérara-1ao Garlwj, L^, -Clraoeo,_<br />

6.^. t r•lbão • R. Lan<strong>de</strong>rs. (Instituto dé<br />

Fietca, Universida<strong>de</strong> Estadual <strong>de</strong> amp se a .<br />

Foras eero<strong>de</strong>do. contatos amiew obtidos pela <strong>de</strong>posiçio do filmes Au/Zn/Au (espessuras<br />

var(iveis) cobra substratos <strong>de</strong> p-CaSb. As amostras forma sub metidas a tratamento<br />

tirmico convencional (m forno resistivo) a a tretmento tirmico ripido (m um<br />

forno <strong>de</strong> lampedas halogénicas <strong>de</strong> tungetinio) para campareçao doa resultados obtidas cem<br />

os dois 'tipos da imente. Tiveram estio suas reslatinciea específicas <strong>de</strong> contato<br />

medidas pelo mitodo <strong>de</strong> quatro pones.. As microestruturas das interfaces foram anall.adae<br />

uaamdo Espectroscopia <strong>de</strong> Elitrous Auger • Difraçao <strong>de</strong> Raios-Y.<br />

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