HGC606A/2003 ID intern unic: 295071 Версия на ... - VERTIC

proprietăţile de interferenţă ale unui ansamblu compus din materiale cu diverşi indici de refracţie sînt
folosite pentru reflectarea, transmiterea sau absorbţia diverselor benzi de lungime de undă. Straturile
dielectrice sînt cele în care există mai mult de 4 straturi de dielectric sau straturi "compozite"
dielectric/metal.
16.\x01+Carbura de wolfram cementată' nu include materialele pentru scule de aşchiere şi de
formare, constînd în carbură de wolfram/(cobalt, nichel), carbură de titan/(cobalt, nichel), carbură de
crom /(nichel-crom) şi carbură crom/nichel.
17.Nu este supusă controlului "tehnologia" special concepută pentru a depune carbonul tip diamant
pe oricare din următoarele: capete şi disk-drive-uri magnetice, lupe policarbonat, echipamente pentru
fabricarea recuperatorilor, echipamente pentru panificaţie, supape pentru robineţi, diafragme acustice
pentru microfoane, piese pentru motoare de automobile, scule de tăiere, poansoane pentru perforarepresare,
lentile de înaltă calitate pentru telescoape şi aparate de fotografiat, echipamente de
automatizare pentru birouri, microfoane sau dispozitive medicale.
18.\x01+Carbura de siliciu' nu include materialele pentru scule de tăiere şi formare.
19.Substraturile ceramice, aşa cum sînt precizate în liste, nu includ materialele ceramice conţinînd
5% din greutate sau mai mult, argilă sau ciment, luate drept constituenţi separaţi sau în combinaţie.
NOTĂ TEHNICĂ LA TABEL
Procedeele specificate în coloana 1 a Tabelului sînt definite după cum urmează:
a. Depunerea chimică în fază de vapori (CVD) este o acoperire stratificată sau un procedeu de
acoperire cu modificarea suprafeţei, în care un metal, aliaj, "compozit", dielectric sau ceramic este
depus pe un substrat încălzit.
Reactanţii gazoşi sînt reduşi sau combinaţi în vecinătatea unui substrat, ducînd la depunerea
materialului elementar, aliajului sau compusului dorit pe substrat. Energia acestei descompuneri sau
procesului reacţiei chimice, poate fi asigurată de căldura substratului, de plasma cu descărcare
luminiscentă sau de iradierea "laser".
N.B.1 CVD include următoarele procedee: depunere necompactă cu curent de gaz dirijat, CVD
pulsatorie, descompunere termică cu nucleere controlată (CNTD), precum şi procedeele CVD
ameliorate sau asistate cu plasmă.
N.B.2 Compact semnifică un substrat care este imersat într-un amestec de pulberi.
N.B.3 Reactanţii gazoşi utilizaţi în procedeul necompact sînt produşi pe baza aceloraşi reacţii şi
parametri elementari ca şi în procedeul cimentare compactă, cu excepţia faptului că substratul de
acoperit nu este în contact cu amestecul de pulberi.
b. Depunerea fizică în fază de vapori prin evaporare termică (TE-PVD) este un procedeu de
acoperire prin recuperare care se petrece în vid la o presiune mai mică de 0,1 Pa, în care pentru
evaporarea materialului de acoperire se foloseşte o sursă de energie termică. Acest procedeu constă în
condensarea sau depunerea materialului evaporat pe substraturile aflate într-o poziţie adecvată.
Introducerea gazelor în camera de vid în timpul procesului de acoperire pentru sinteza compuşilor
de acoperire este o modificare obişnuită a procedeului.
Utilizarea fasciculelor de ioni sau de electroni sau a plasmei pentru activarea sau facilitarea depunerii
acoperirii este, de asemenea, o modificare obişnuită în cadrul acestui procedeu. Se pot utiliza în
aceeaşi măsură instrumente de control pentru măsurarea în cursul procesului a caracteristicilor optice şi
a grosimii acoperirilor.
Procedeele TE-PVD specifice, sînt după cum urmează:
1. PVD cu fascicul de electroni foloseşte un fascicul de electroni pentru încălzirea şi evaporarea
materialului care formează acoperirea.
2. PVD cu încălzire rezistivă foloseşte surse de încălzire cu rezistenţă electrică capabile să producă
un flux controlat şi uniform din materialul de acoperire evaporat.
3. Evaporarea "laser" foloseşte un fascicul' "laser" cu undă pulsatorie sau continuă pentru încălzirea
materialului care formează acoperirea.