HGC606A/2003 ID intern unic: 295071 Версия на ... - VERTIC

4. Depunerea cu arc catodic foloseşte un catod consumabil din materialul care formează acoperirea
şi care realizează o descărcare în arc pe suprafaţă printr-un contact momentan cu masa al unui
declanşator. Mişcarea controlată a formării arcului erodează suprafaţa catodului şi creează o plasmă
puternic ionizată. Anodul poate fi, fie un con ataşat de periferia catodului printr-un izolator, fie camera
însăşi. Polarizarea substratului se utilizează pentru depunerile fără linie de vizare.
N.B. Această definiţie nu se aplică la depunerea cu arc catodic aleatorie cu substraturi nepolarizate.
5. Placarea ionică este o modificare specială a procedeului general
TE-PVD, în care o sursă de plasmă sau de ioni este folosită pentru ionizarea materialului care se
depune, iar o polarizare negativă se aplică pe substrat pentru a facilita extragerea materialului care se
depune din plasmă. Introducerea materialelor reactive, evaporarea solidelor în interiorul camerei de
procesare şi folosirea instrumentelor pentru a asigura măsurarea pe parcursul procesului a
caracteristicilor optice şi a grosimii acoperirilor sînt modificări obişnuite ale procedeului.
c. Cimentarea compactă este o acoperire de modificare a suprafeţei sau un procedeu de acoperire
cu straturi suprapuse, în care substratul este imersat într-un amestec de pulberi care constă din:
1. Pulberi metalici care trebuie depuşi (de obicei, aluminiu, crom, siliciu, sau combinaţii ale
acestora).
2. Un activator (în mod normal o sare halogenată); şi
3. O pulbere inertă, cel mai frecvent alumină.
Substratul şi amestecul de pulberi este introdus într-o retortă care este încălzită între 1.030 K
(757oC) şi 1.375 K (1.102oC) un timp suficient pentru depunerea acoperirii.
d. Pulverizarea cu plasmă este un procedeu de acoperire în straturi suprapuse, prin care un
dispozitiv de pulverizare (ajutaj), care produce şi controlează o plasmă, primeşte materiale de
acoperire sub formă de pulbere sau fire, le topeşte şi le proiectează pe substrat, pe care se formează în
consecinţă o acoperire integral aderentă. Pulverizarea cu plasmă poate fi o pulverizare la joasă
presiune sau o pulverizare cu plasmă de mare viteză.
N.B.1 Presiune joasă înseamnă presiunea sub presiunea atmosferică.
N.B.2 Mare viteză se referă la viteze ale gazului la ieşirea ajutajului mai mare de 750 m/s calculate
la 293 K (20o C) şi 0,1 MPa.
e. Depunerea din suspensie este o depunere de modificare a suprafeţei sau un procedeu de
depunere în straturi suprapuse, în care o pulbere metalică sau ceramică cu un liant organic, aflată în
suspensie într-un lichid este aplicată pe substrat prin pulverizare, imersie sau vopsire. Ansamblul este
uscat în aer sau în cuptor şi apoi supus la un tratament termic pentru obţinerea acoperirii dorite.
f. Depunerea prin pulverizare catodică este un procedeu de acoperire în straturi suprapuse care se
bazează pe fenomenul transferului de energie cinetică, în care ionii pozitivi sînt acceleraţi de un cîmp
electric şi proiectaţi pe suprafaţa unei ţinte (materialul de acoperit). Energia cinetică degajată prin şocul
ionilor este suficientă pentru eliberarea atomilor din suprafaţa ţintă şi depunerea lor pe un substrat
poziţionat adecvat.
N.B.1 Tabelul se referă numai la depunerile prin pulverizare cu triodă, magnetron sau reactiv care
este folosit pentru mărirea aderenţei acoperirii şi a vitezei de depunere şi la depunerea prin pulverizare
catodică ameliorată prin radiofrecvenţă (RF), folosită pentru a permite vaporizarea materialelor de
acoperire nemetalice.
N.B. 2 Pentru activarea depunerii pot fi folosite fascicule ionice de mică energie (sub 5 keV).
g. Implantarea ionică este un procedeu de acoperire prin modificarea suprafeţei în care elementul
de aliat este ionizat, accelerat printr-un gradient de potenţial şi implantat în zona superficială a
substratului. Aceasta include procedeele în care implantarea ionică se realizează simultan cu depunerea
fizică în fază de vapori cu fascicul de electroni sau cu depunere prin pulverizare catodică.
2E101 "Tehnologie" în conformitate cu Nota Generală privind Tehnologia pentru "utilizarea"
echipamentelor supuse controlului prin 2B004, 2B104, 2B109, 2B116 sau 2D101.
2E201 "Tehnologie" în conformitate cu Nota Generală privind Tehnologia pentru "utilizarea"