BOPI in intregime - agepi
BOPI in intregime - agepi
BOPI in intregime - agepi
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
MD - <strong>BOPI</strong> 4/2009<br />
INVENTIONS<br />
40<br />
pe care sunt amplasate consecutiv un stratelectrod,<br />
un strat sensibil la gaze şi un electrod<br />
cu suprafaţă mică. Totodată stratul sensibil<br />
la gaze reprez<strong>in</strong>tă o peliculă nanodimensională<br />
depusă pr<strong>in</strong> metoda evaporării în<br />
vid de As 2S 3, As 2Se 3, sau a soluţiilor lor solide,<br />
iar suprafaţa peliculei este executată poroasă<br />
pr<strong>in</strong> corodare chimică.<br />
Revendicări: 1<br />
Figuri: 3<br />
*<br />
* *<br />
(54) Gas sensor on base of vitreous chalcogenide<br />
semiconductors<br />
(57) The <strong>in</strong>vention relates to the semiconductor<br />
devices, particularly to the gas sensors and<br />
can be used for detection of toxic gases <strong>in</strong><br />
the atmosphere.<br />
The gas sensor on base of vitreous chalcogenide<br />
semiconductors <strong>in</strong>cludes an <strong>in</strong>sulat<strong>in</strong>g<br />
base, on which there are placed <strong>in</strong> series<br />
an electrode layer, a gas sensitive layer and<br />
an electrode with small surface. At the same<br />
time, the gas sensitive layer represents a<br />
nanodimensional film deposited by the<br />
method of vacuum evaporation of As 2S 3,<br />
As 2Se 3, or their solid solutions, and the film<br />
surface is made porous by means of chemical<br />
etch<strong>in</strong>g.<br />
Claims: 1<br />
Fig.: 3<br />
*<br />
* *<br />
(54) Газовый датчик на основе стеклообразных<br />
халькогенидных полупроводников<br />
(57) Изобретение относится к полупроводниковым<br />
приборам, в частности к газовым<br />
датчикам, и может быть использовано для<br />
детектирования токсичных газов в<br />
атмосфере.<br />
Газовый датчик на основе стеклообразных<br />
халькогенидных полупроводников включает<br />
изолирующую подложку, на которой<br />
последовательно расположены электродный<br />
слой, газочувствительный слой и<br />
электрод с малой площадью. Причем газочувствительный<br />
слой представляет собой<br />
наноразмерную пленку, осажденную<br />
методом испарения в вакууме As 2S 3,<br />
As 2Se 3, или их твердых растворов, а поверхность<br />
пленки выполнена пористой<br />
посредством химического травления.<br />
П. формулы: 1<br />
Фиг.: 3<br />
(11) 3895 (13) F1<br />
(51) Int. Cl.: G03C 1/73 (2006.01)<br />
G03G 5/07 (2006.01)<br />
C08F 226/12 (2006.01)<br />
C08F 226/10 (2006.01)<br />
C08F 210/14 (2006.01)<br />
C07C 19/07 (2006.01)<br />
(21) a 2008 0093<br />
(22) 2008.03.28<br />
(71)(73) INSTITUTUL DE FIZICĂ APLICATĂ AL<br />
ACADEMIEI DE ŞTIINŢE A MOLDOVEI, MD<br />
(72) ANDRIEŞ Andrei, MD; BIVOL Valeriu, MD;<br />
ROBU Ştefan, MD; MITCOV Dmitri, MD;<br />
MEŞALCHIN Alexei, MD; PRISACAR Alexandru,<br />
MD; SERGHEEV Serghei, MD; TRI-<br />
DUH Ghenadii, MD<br />
(74) ANISIMOVA Liudmila<br />
(54) Purtător de <strong>in</strong>formaţie foto- şi electronostructurabil<br />
(57) Invenţia se referă la un purtător de <strong>in</strong>formaţie<br />
foto- şi electronostructurabil pentru înregistrarea<br />
imag<strong>in</strong>ilor holografice, care poate fi utilizat<br />
în foto- şi electrografie, opto- şi microelectronică.<br />
Purtătorul de <strong>in</strong>formaţie foto- şi electronostructurabil<br />
constă d<strong>in</strong>tr-un suport optic<br />
transparent şi un strat fotosensibil care <strong>in</strong>clude<br />
o compoziţie de copolimer: N-<br />
v<strong>in</strong>ilcarbazol, o alchenă superioară (1-octenă<br />
sau 1-hexadecenă) şi opţional N-<br />
v<strong>in</strong>ilpirolidonă, precum şi 8…10 % de<br />
triiodometan, în următorul raport al monomerilor,<br />
% mol:<br />
N-v<strong>in</strong>ilcarbazol 40…60<br />
alchena superioară 20…40<br />
N-v<strong>in</strong>ilpirolidonă<br />
0…20.<br />
Rezultatul constă în majorarea fotosensibilităţii,<br />
eficacităţii de difracţie şi ameliorarea<br />
proprietăţilor optice ale purtătorului de <strong>in</strong>formaţie.<br />
Revendicări: 1<br />
Figuri: 2<br />
*<br />
* *<br />
(54) Photo- and electron structure-form<strong>in</strong>g<br />
<strong>in</strong>formation medium<br />
(57) The <strong>in</strong>vention refers to a photo- and electron<br />
structure-form<strong>in</strong>g <strong>in</strong>formation medium for record<strong>in</strong>g<br />
of holographic images that can be<br />
used <strong>in</strong> photo- and xerography, opto- and<br />
microelectronics.<br />
The photo- and electron structure-form<strong>in</strong>g <strong>in</strong>formation<br />
medium consists of an optically<br />
transparent support and a photosensitive<br />
layer, <strong>in</strong>clud<strong>in</strong>g a copolymer composition: N-<br />
v<strong>in</strong>ylcarbazole, a higher alkene (1-octene or