02.11.2014 Views

BOPI in intregime - agepi

BOPI in intregime - agepi

BOPI in intregime - agepi

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

MD - <strong>BOPI</strong> 4/2009<br />

INVENTIONS<br />

40<br />

pe care sunt amplasate consecutiv un stratelectrod,<br />

un strat sensibil la gaze şi un electrod<br />

cu suprafaţă mică. Totodată stratul sensibil<br />

la gaze reprez<strong>in</strong>tă o peliculă nanodimensională<br />

depusă pr<strong>in</strong> metoda evaporării în<br />

vid de As 2S 3, As 2Se 3, sau a soluţiilor lor solide,<br />

iar suprafaţa peliculei este executată poroasă<br />

pr<strong>in</strong> corodare chimică.<br />

Revendicări: 1<br />

Figuri: 3<br />

*<br />

* *<br />

(54) Gas sensor on base of vitreous chalcogenide<br />

semiconductors<br />

(57) The <strong>in</strong>vention relates to the semiconductor<br />

devices, particularly to the gas sensors and<br />

can be used for detection of toxic gases <strong>in</strong><br />

the atmosphere.<br />

The gas sensor on base of vitreous chalcogenide<br />

semiconductors <strong>in</strong>cludes an <strong>in</strong>sulat<strong>in</strong>g<br />

base, on which there are placed <strong>in</strong> series<br />

an electrode layer, a gas sensitive layer and<br />

an electrode with small surface. At the same<br />

time, the gas sensitive layer represents a<br />

nanodimensional film deposited by the<br />

method of vacuum evaporation of As 2S 3,<br />

As 2Se 3, or their solid solutions, and the film<br />

surface is made porous by means of chemical<br />

etch<strong>in</strong>g.<br />

Claims: 1<br />

Fig.: 3<br />

*<br />

* *<br />

(54) Газовый датчик на основе стеклообразных<br />

халькогенидных полупроводников<br />

(57) Изобретение относится к полупроводниковым<br />

приборам, в частности к газовым<br />

датчикам, и может быть использовано для<br />

детектирования токсичных газов в<br />

атмосфере.<br />

Газовый датчик на основе стеклообразных<br />

халькогенидных полупроводников включает<br />

изолирующую подложку, на которой<br />

последовательно расположены электродный<br />

слой, газочувствительный слой и<br />

электрод с малой площадью. Причем газочувствительный<br />

слой представляет собой<br />

наноразмерную пленку, осажденную<br />

методом испарения в вакууме As 2S 3,<br />

As 2Se 3, или их твердых растворов, а поверхность<br />

пленки выполнена пористой<br />

посредством химического травления.<br />

П. формулы: 1<br />

Фиг.: 3<br />

(11) 3895 (13) F1<br />

(51) Int. Cl.: G03C 1/73 (2006.01)<br />

G03G 5/07 (2006.01)<br />

C08F 226/12 (2006.01)<br />

C08F 226/10 (2006.01)<br />

C08F 210/14 (2006.01)<br />

C07C 19/07 (2006.01)<br />

(21) a 2008 0093<br />

(22) 2008.03.28<br />

(71)(73) INSTITUTUL DE FIZICĂ APLICATĂ AL<br />

ACADEMIEI DE ŞTIINŢE A MOLDOVEI, MD<br />

(72) ANDRIEŞ Andrei, MD; BIVOL Valeriu, MD;<br />

ROBU Ştefan, MD; MITCOV Dmitri, MD;<br />

MEŞALCHIN Alexei, MD; PRISACAR Alexandru,<br />

MD; SERGHEEV Serghei, MD; TRI-<br />

DUH Ghenadii, MD<br />

(74) ANISIMOVA Liudmila<br />

(54) Purtător de <strong>in</strong>formaţie foto- şi electronostructurabil<br />

(57) Invenţia se referă la un purtător de <strong>in</strong>formaţie<br />

foto- şi electronostructurabil pentru înregistrarea<br />

imag<strong>in</strong>ilor holografice, care poate fi utilizat<br />

în foto- şi electrografie, opto- şi microelectronică.<br />

Purtătorul de <strong>in</strong>formaţie foto- şi electronostructurabil<br />

constă d<strong>in</strong>tr-un suport optic<br />

transparent şi un strat fotosensibil care <strong>in</strong>clude<br />

o compoziţie de copolimer: N-<br />

v<strong>in</strong>ilcarbazol, o alchenă superioară (1-octenă<br />

sau 1-hexadecenă) şi opţional N-<br />

v<strong>in</strong>ilpirolidonă, precum şi 8…10 % de<br />

triiodometan, în următorul raport al monomerilor,<br />

% mol:<br />

N-v<strong>in</strong>ilcarbazol 40…60<br />

alchena superioară 20…40<br />

N-v<strong>in</strong>ilpirolidonă<br />

0…20.<br />

Rezultatul constă în majorarea fotosensibilităţii,<br />

eficacităţii de difracţie şi ameliorarea<br />

proprietăţilor optice ale purtătorului de <strong>in</strong>formaţie.<br />

Revendicări: 1<br />

Figuri: 2<br />

*<br />

* *<br />

(54) Photo- and electron structure-form<strong>in</strong>g<br />

<strong>in</strong>formation medium<br />

(57) The <strong>in</strong>vention refers to a photo- and electron<br />

structure-form<strong>in</strong>g <strong>in</strong>formation medium for record<strong>in</strong>g<br />

of holographic images that can be<br />

used <strong>in</strong> photo- and xerography, opto- and<br />

microelectronics.<br />

The photo- and electron structure-form<strong>in</strong>g <strong>in</strong>formation<br />

medium consists of an optically<br />

transparent support and a photosensitive<br />

layer, <strong>in</strong>clud<strong>in</strong>g a copolymer composition: N-<br />

v<strong>in</strong>ylcarbazole, a higher alkene (1-octene or

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!