ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3ΟΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΚΑΙ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΑΙΣΘΗΤΗΡΑ
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3ΟΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΚΑΙ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΑΙΣΘΗΤΗΡΑ
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3ΟΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΚΑΙ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΑΙΣΘΗΤΗΡΑ
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Κεφάλαιο 2 Ο Τεχνικές δημιουργίας του αισθητήρα & χαρακτηρισμού επιφάνειας<br />
Για την εναπόθεση υμενίου με καλές ιδιότητες απαιτείται όπως προαναφέραμε χρήση υψηλού<br />
κενού(>10-6mTorr) για την αποφυγή οξείδωσης του εξαχνώμενου υλικού[12]. Η εξάχνωση<br />
πραγματοποιείται είτε με θέρμανση του προς εξάχνωση υλικού μέσω διέλευσης ηλεκτρικού<br />
ρεύματος, είτε με τον βομβαρδισμό του υλικού με ηλεκτρόνια, από μια κατευθυνόμενη δέσμη<br />
ηλεκτρονίων (e-gun). Με εξάχνωση υπό κενό εναποτίθενται αγώγιμα υλικά με εύκολο τρόπο.<br />
Πιο δύσκολη είναι η εξάχνωση κραμάτων λόγω των διαφορετικών ρυθμών εξάχνωσης των<br />
συστατικών τους.<br />
Εικόνα 2.2 Κεφαλή του e-Gun με τέσσερις θέσεις για τοποθέτηση υλικού (pockets)<br />
• Ιοντοβολή (Sputtering): Η τεχνική αυτή συνίσταται στην απομάκρυνση ατόμων ή<br />
μορίων από την επιφάνεια ενός υλικού (στόχος) και την ακόλουθη εναπόθεσή τους σε ένα<br />
προεπιλεγμένο υπόστρωμα. Στον ενδιάμεσο χώρο μεταξύ ανόδου (υπόστρωμα) και στόχου<br />
(υλικό προς εναπόθεση) δημιουργείται πλάσμα αδρανούς υλικού (συνήθως αργό), το οποίο<br />
μέσω των κρούσεων του με το στόχο αποκολλά τα άτομα ή τα μόρια του στόχου και τα οποία<br />
με τη σειρά τους κατευθύνονται προς το υπόστρωμα. Στο DC-sputtering χρησιμοποιείται dc<br />
τροφοδοσία υψηλής τάσης για τη δημιουργία της εκκένωσης. Στο RF-sputtering γίνεται<br />
χρήση εναλλασσόμενου πεδίου υψηλής συχνότητας για περιορισμό της εκκένωσης στην<br />
περιοχή του στόχου.<br />
25
Change language