ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3ΟΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΚΑΙ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΑΙΣΘΗΤΗΡΑ
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3ΟΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΚΑΙ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΑΙΣΘΗΤΗΡΑ
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3ΟΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΚΑΙ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΑΙΣΘΗΤΗΡΑ
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Κεφάλαιο 2 Ο Τεχνικές δημιουργίας του αισθητήρα & χαρακτηρισμού επιφάνειας<br />
και προσγειώνονται ομαλώς (soft-landed). Τα νανοσωματίδια περνώντας την οπή φτάνουν<br />
στο δειγματοφορέα δημιουργώντας μια ομοιόμορφη κατανομή στην επιφάνεια του δείγματος.<br />
Στην εναπόθεση μέσω Sputtering τα νανοσωματίδια αποκτούν φορτίο. Αυτό οφείλεται στο<br />
ότι κατά την διαδρομή από τον στόχο ως και το υπόστρωμα διέρχονται από το πλάσμα του<br />
αερίου το οποίο και προσδίδει φορτίο στα νανοσωματίδια. Όσο περισσότερος ο χρόνος<br />
εναπόθεσης, τόσο πιο πυκνός ο σχηματισμός των νανοσωματιδίων.<br />
Εξαιτίας της φύσης της τεχνικής του Sputtering αξίζει να σημειωθεί ότι ο στόχος δεν<br />
μπορεί να είναι μονωτικό υλικό μιας και ο βομβαρδισμός ενός υλικού με θετικά φορτισμένα<br />
ιόντα Αργού θα είχε ως αποτέλεσμα την φόρτιση του μονωτή και την δημιουργία ενός<br />
ηλεκτρικού πεδίου ανταγωνίσιμου προς αυτό της καθόδου ελαττώνοντας σημαντικά την<br />
αποτελεσματικότητα/απόδοση της διαδικασίας. Η εναπόθεση μονωτικού υλικού μπορεί να<br />
γίνει με το RF Sputtering. Παρόλα αυτά, τα οξείδια των υλικών μπορούν να παραχθούν αν<br />
παράλληλα με την δημιουργία των νανοσωματιδίων εισαχθεί στον θάλαμο οξυγόνο.<br />
Εικόνα 2.3: Σχηματική αναπαράσταση εναπόθεσης νανοσωματιδίων με Ιοντοβολή, αριστερά<br />
βρίσκεται ο στόχος του υλικού και δεξιά στην απέναντι πλευρά βρίσκεται το δείγμα<br />
27
Change language