deo4 (pdf)
deo4 (pdf)
deo4 (pdf)
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
CVD silicijum nitrid<br />
• Stehiometrijska formulacija: Si 3 N 4<br />
– U praksi Si/N varira od 0.7 (obogaćen N) do 1.1<br />
(obogaćen Si)<br />
• Uslovi depozicije:<br />
– LPCVD: 700-900 o C<br />
• 3SiH 4<br />
+ 4NH 3<br />
-> Si 3<br />
N 4<br />
+12H 2<br />
• 3Si 2<br />
Cl 2<br />
H 2<br />
+4NH 3<br />
-> Si 3<br />
N 4<br />
+ 6HCl +6H 2<br />
Si/N oko 0.75, 4-8% H<br />
ρ~3 g/cm 3 , n~2.0, k~6-7<br />
– PECVD: 250-350 o C<br />
• SiH 4<br />
+ NH 3<br />
-> Si x<br />
N y<br />
H z<br />
+ H 2<br />
• SiH 4<br />
+ N 2<br />
-> Si x<br />
N y<br />
H z<br />
+ H 2<br />
Si/N od 0.8-1.2, ~20%H<br />
ρ~2.4-2.8 g/cm 3 , n~1.8-2.5, k~6-9
Change language