deo4 (pdf)
deo4 (pdf)
deo4 (pdf)
SHOW LESS
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Termička oksidacija Si<br />
• Visokotemperaturni proces (900-1200 o C)<br />
• Dve vrste procesa:<br />
– Suva (dry) oksidacija<br />
Si (č) + O 2<br />
= SiO 2<br />
– Vlažna (wet) oksidacija<br />
Si (č) + 2H 2<br />
O = SiO 2<br />
+ 2H 2<br />
Suva oksidacija daje okside većih gustina:<br />
ρ(dry)=2.25 g/cm 3 , ρ(wet)=2.15 g/cm 3<br />
Početna površina Si<br />
Si
Change language