Osnove mikroelektronike - Elektronski fakultet Nis

More documents

Recommendations

Info

Kondenzatori u integrisanim kolimaMOS tranzistorInvertor u MOS tehnologijipn kondenzatorMOS kondenzatorMOS strukturaMOS strukturaPoly Si se dopira visokom koncentracijom primesa p ili n tipametal (Al)SiO 2poly SiSiO 2p ili n Sip ili n SimetalmetalZ. Prijić, T. Pešić Osnove mikroelektronike
Kondenzatori u integrisanim kolimaMOS tranzistorInvertor u MOS tehnologijiEkvivalentno koloC OX ne zavisi od napona V G , a C Si zavisi.pn kondenzatorMOS kondenzatorMOS strukturametal (Al)SiO 2 t ox COXV Gp SiV GC SimetalC OX = ɛ ox /t ox (kapacitivnost se posmatra po jedinici površine!)Z. Prijić, T. Pešić Osnove mikroelektronike
Page 5: pn kondenzatorParazitni elementiKon
Page 9: Kondenzatori u integrisanim kolimaM
Page 14 and 15: Kondenzatori u integrisanim kolimaM
Page 16 and 17: OsiromašenjeV G > 0Kondenzatori u
Page 18 and 19: InverzijaJaka inverzijaKondenzatori
Page 20: Kondenzatori u integrisanim kolimaM
Page 39 and 40: PMOS tranzistorNapon praga je negat
Page 45 and 46: Grafička analizaZa invertor: tačk
Page 47 and 48: SadržajKondenzatori u integrisanim
Page 61 and 62: CMOS invertorKondenzatori u integri
Page 63 and 64:
Kondenzatori u integrisanim kolimaM
Page 65 and 66:
Kondenzatori u integrisanim kolimaM
show all

Osnove mikroelektronike - Elektronski fakultet Nis

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?