Osnove mikroelektronike - Elektronski fakultet Nis

More documents

Recommendations

Info

OsiromašenjeV G > 0Kondenzatori u integrisanim kolimaMOS tranzistorInvertor u MOS tehnologijipn kondenzatorMOS kondenzatorMOS strukturaNa me ¯dupovršini Metal-SiO 2 indukuje se pozitivnonaelektrisanje. Da bi se zadržala elektro-neutralnost,šupljine bivaju odbačene od me ¯dupovršine Si-SiO 2 ,ostavljajući za sobom negativne akceptorske jone. Na tajnačin se ispod me ¯dupovršine Si-SiO 2 formira osiromašenaoblast. Kapacitivnost se menja kao redna vezakapacitivnosti silicijuma i oksida.Z. Prijić, T. Pešić Osnove mikroelektronike
InverzijaSlaba inverzijaKondenzatori u integrisanim kolimaMOS tranzistorInvertor u MOS tehnologijipn kondenzatorMOS kondenzatorMOS strukturaNapon V G nastavlja da raste. Da bi se zadržalaelektro-neutralnost, elektroni bivaju privučeni me ¯dupovršiniSi-SiO 2 . Na taj način se ispod me ¯dupovršine Si-SiO 2formira inverzioni sloj. Osiromašena oblast se i dalje širi udubinu supstrata. Kapacitivnost se menja kao redna vezakapacitivnosti silicijuma i oksida.Z. Prijić, T. Pešić Osnove mikroelektronike
Page 5: pn kondenzatorParazitni elementiKon
Page 9: Kondenzatori u integrisanim kolimaM
Page 12 and 13: Kondenzatori u integrisanim kolimaM
Page 18 and 19: InverzijaJaka inverzijaKondenzatori
Page 20: Kondenzatori u integrisanim kolimaM
Page 39 and 40: PMOS tranzistorNapon praga je negat
Page 45 and 46: Grafička analizaZa invertor: tačk
Page 47 and 48: SadržajKondenzatori u integrisanim
Page 61 and 62: CMOS invertorKondenzatori u integri

Osnove mikroelektronike - Elektronski fakultet Nis

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?