Osnove mikroelektronike - Elektronski fakultet Nis

More documents

Recommendations

Info

SOI tehnologijaSOI - Silicon On InsulatorKondenzatori u integrisanim kolimaMOS tranzistorInvertor u MOS tehnologijiOsnovno koloCMOS invertorTehnološki nizPoly gejtt oxn + n +SiO 2SiOp2ukopani oksid SiO 2p supstratUkopani oksid služi kao izolator prema supstratuNema parazitnih komponenata prema supstratuVeća gustina pakovanjaZ. Prijić, T. Pešić Osnove mikroelektronike
Kondenzatori u integrisanim kolimaMOS tranzistorInvertor u MOS tehnologijiOsnovno koloCMOS invertorTehnološki nizTehnologija napregnutog silicijuma (strained silicon)Veće brzine, manja disipacija toplote, veća gustina pakovanjaSiSiGenapregnuti SiSiGeSendvič strukturaSi-SiGe-SiMe ¯duatomsko rastojanje ugornjem sloju Si sepovećava, radiprilago ¯davanja kristalnojstrukturi sloja SiGePovećanje pokretljivostinosilacaZ. Prijić, T. Pešić Osnove mikroelektronike
Page 5:
pn kondenzatorParazitni elementiKon
Page 9:
Kondenzatori u integrisanim kolimaM
Page 12 and 13:
Kondenzatori u integrisanim kolimaM
Page 14 and 15: Kondenzatori u integrisanim kolimaM
Page 16 and 17: OsiromašenjeV G > 0Kondenzatori u
Page 18 and 19: InverzijaJaka inverzijaKondenzatori
Page 20: Kondenzatori u integrisanim kolimaM
Page 39 and 40: PMOS tranzistorNapon praga je negat
Page 45 and 46: Grafička analizaZa invertor: tačk
Page 47 and 48: SadržajKondenzatori u integrisanim
Page 61 and 62: CMOS invertorKondenzatori u integri
Page 63: Kondenzatori u integrisanim kolimaM
show all

Osnove mikroelektronike - Elektronski fakultet Nis

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?