Osnove mikroelektronike - Elektronski fakultet Nis

Kondenzatori u integrisanim kolimaMOS tranzistorInvertor u MOS tehnologijiPrincip radaElektrične karakteristikeEfekat modulacije dužine kanalaU oblasti zasićenja tranzistor ima konačnu izlaznu otpornost r oI D = 1 2 µ nC OXWL (v GS − V t ) 2 (1 + λv DS )(oblast zasićenja)r o =V A = 1 λ[ ∂iD∂v DS] −1v GS =Const.Z. Prijić, T. Pešić Osnove mikroelektronike