Osnove mikroelektronike - Elektronski fakultet Nis
Osnove mikroelektronike - Elektronski fakultet Nis
Osnove mikroelektronike - Elektronski fakultet Nis
- No tags were found...
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
AkumulacijaV G < 0Kondenzatori u integrisanim kolimaMOS tranzistorInvertor u MOS tehnologijipn kondenzatorMOS kondenzatorMOS strukturaNa me ¯dupovršini Metal-SiO 2 indukuje se negativnonaelektrisanje. Da bi se zadržala elektro-neutralnost,šupljine bivaju privučene me ¯dupovršini Si-SiO 2 , formirajućina taj način akumulacioni sloj. Ovaj sloj služi kao "štit" zadalji dolazak šupljina iz dubine supstrata. Visokakoncentracija šupljina čini da je C Si ≫ C OX , pa jemaksimalna kapacitivnost jednaka kapacitivnosti oksida.Z. Prijić, T. Pešić <strong>Osnove</strong> <strong>mikroelektronike</strong>