Osnove mikroelektronike - Elektronski fakultet Nis

More documents

Recommendations

Info

Kondenzatori u integrisanim kolimaMOS tranzistorInvertor u MOS tehnologijipn kondenzatorMOS kondenzatorMOS strukturaC-V karakteristikaRazlikuju se tri oblasti: akumulacija, osiromašenje, inverzijaCC OXC OXakumulacijajaka inverzijaslaba inverzijaosiromašenje0V GZ. Prijić, T. Pešić Osnove mikroelektronike
AkumulacijaV G < 0Kondenzatori u integrisanim kolimaMOS tranzistorInvertor u MOS tehnologijipn kondenzatorMOS kondenzatorMOS strukturaNa me ¯dupovršini Metal-SiO 2 indukuje se negativnonaelektrisanje. Da bi se zadržala elektro-neutralnost,šupljine bivaju privučene me ¯dupovršini Si-SiO 2 , formirajućina taj način akumulacioni sloj. Ovaj sloj služi kao "štit" zadalji dolazak šupljina iz dubine supstrata. Visokakoncentracija šupljina čini da je C Si ≫ C OX , pa jemaksimalna kapacitivnost jednaka kapacitivnosti oksida.Z. Prijić, T. Pešić Osnove mikroelektronike
Page 5: pn kondenzatorParazitni elementiKon
Page 9: Kondenzatori u integrisanim kolimaM
Page 12 and 13: Kondenzatori u integrisanim kolimaM
Page 16 and 17: OsiromašenjeV G > 0Kondenzatori u
Page 18 and 19: InverzijaJaka inverzijaKondenzatori
Page 20: Kondenzatori u integrisanim kolimaM
Page 39 and 40: PMOS tranzistorNapon praga je negat
Page 45 and 46: Grafička analizaZa invertor: tačk
Page 47 and 48: SadržajKondenzatori u integrisanim
Page 61 and 62: CMOS invertorKondenzatori u integri
Page 65 and 66:
Kondenzatori u integrisanim kolimaM
show all

Osnove mikroelektronike - Elektronski fakultet Nis

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?