Osnove mikroelektronike - Elektronski fakultet Nis
Osnove mikroelektronike - Elektronski fakultet Nis
Osnove mikroelektronike - Elektronski fakultet Nis
- No tags were found...
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
OsiromašenjeV G > 0Kondenzatori u integrisanim kolimaMOS tranzistorInvertor u MOS tehnologijipn kondenzatorMOS kondenzatorMOS strukturaNa me ¯dupovršini Metal-SiO 2 indukuje se pozitivnonaelektrisanje. Da bi se zadržala elektro-neutralnost,šupljine bivaju odbačene od me ¯dupovršine Si-SiO 2 ,ostavljajući za sobom negativne akceptorske jone. Na tajnačin se ispod me ¯dupovršine Si-SiO 2 formira osiromašenaoblast. Kapacitivnost se menja kao redna vezakapacitivnosti silicijuma i oksida.Z. Prijić, T. Pešić <strong>Osnove</strong> <strong>mikroelektronike</strong>