Osnove mikroelektronike - Elektronski fakultet Nis

More documents

Recommendations

Info

InverzijaJaka inverzijaKondenzatori u integrisanim kolimaMOS tranzistorInvertor u MOS tehnologijipn kondenzatorMOS kondenzatorMOS strukturaNapon V G nastavlja da raste. Koncentracija elektrona uinverzionom sloju raste i dostiže vrednost koja je dovoljnada "štiti" osiromašenu oblast od daljeg uticaja električnogpolja. Osiromašena oblast prestaje da se širi u dubinusupstrata. C Si = ɛ Si /x dm , pri čemu je x dm maksimalnaširina osiromašene oblasti. Maksimalna kapacitivnostjednaka je kapacitivnosti oksida.Z. Prijić, T. Pešić Osnove mikroelektronike
Kondenzatori u integrisanim kolimaMOS tranzistorInvertor u MOS tehnologijipn kondenzatorMOS kondenzatorMOS strukturaC-V karakteristika na visokim učestanostimaNaponu V G superponira se naizmenični napon v g učestanosti 1MHz i amplitude koja jemnogo manja od V GCC OXakumulacijaslaba inverzijaosiromašenjejaka inverzijaC min0V GElektroni ne mogu da slede promene superponiranog napona.Z. Prijić, T. Pešić Osnove mikroelektronike
Page 5: pn kondenzatorParazitni elementiKon
Page 9: Kondenzatori u integrisanim kolimaM
Page 12 and 13: Kondenzatori u integrisanim kolimaM
Page 16 and 17: OsiromašenjeV G > 0Kondenzatori u
Page 20: Kondenzatori u integrisanim kolimaM
Page 39 and 40: PMOS tranzistorNapon praga je negat
Page 45 and 46: Grafička analizaZa invertor: tačk
Page 47 and 48: SadržajKondenzatori u integrisanim
Page 61 and 62: CMOS invertorKondenzatori u integri

Osnove mikroelektronike - Elektronski fakultet Nis

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?